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公开(公告)号：CN108269884B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201810075313.1
申请日：2018-01-25
Applicant: 浙江大学 , 蚌埠产品质量监督检验研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , C30B33/10
Abstract: 本发明公开了一种金刚线切割多晶硅太阳电池绒面的制备方法，包括以下步骤：(1)在10～30℃下，将清洗后的金刚线切割多晶硅片浸没于第一腐蚀液中腐蚀3～5min；所述第一腐蚀液为HF、HNO3和去离子水的混合液；(2)在0～5℃下，将步骤(1)中腐蚀后的硅片浸没于第二腐蚀液中腐蚀1～9min；所述第二腐蚀液为水相、油相和乳化剂的混合液；所述水相为HF、HNO3和去离子水的混合液；所述油相为甲苯，所述乳化剂为吐温；(3)在10～30℃下，将步骤(2)中腐蚀后的硅片浸没于碱溶液中进行刻蚀0.5～5min，清洗、干燥，即得。本发明制得的绒面具有较低的反射率和较高的少子寿命。
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公开(公告)号：CN106672975A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611185114.3
申请日：2016-12-20
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B33/021 , B82Y30/00
CPC classification number: C01B33/021 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2006/16
Abstract: 本发明公开了一种低成本纳米多孔硅粉的制备方法，包括以下步骤：硅粉的刻蚀：将预处理的硅粉采用刻蚀液进行刻蚀，经过1‑600min的刻蚀得到含有纳米级孔道的多孔硅，孔径在1‑1000nm；所述的刻蚀液为由HF、金属盐、乙醇和水组成的混合溶液；硅粉的处理：将含有纳米级孔道的多孔硅置于酸性溶液中浸泡，之后经清洗去除杂质，得到纳米多孔硅粉。本发明中，引入金属盐作为刻蚀剂，通过控制腐蚀液浓度可控制多孔硅粉的形貌、孔径、成孔速度等。本发明方法利用反应放热实现常温下制备多孔硅，避免了加热设备。同时反应速度快速，通常在数分钟内即可制备出多孔硅。
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公开(公告)号：CN106684174A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611199319.7
申请日：2016-12-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/02363
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅片的表面制绒方法，依次对清洗后的多晶硅片进行第一次腐蚀和第二次腐蚀即完成制绒，第一次腐蚀时，将清洗后的金刚线切割多晶硅片浸没于第一腐蚀溶液中腐蚀，第二次腐蚀时，将经过第一次腐蚀后的多晶硅片置于由第二腐蚀溶液的雾化形成的雾中进行腐蚀。本发明的方法简单，成本低廉，不需要使用任何贵金属，无需使用昂贵的大型设备，且该制绒方法能够在金刚线切割多晶硅片表面制绒，将金刚线切割多晶硅太阳电池表面反射率最低可降至10％以下。且该制绒方法简单，成本低廉，不需要使用任何贵金属，无需使用昂贵的大型设备，具有很强的商业应用前景。
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公开(公告)号：CN106629736A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611184219.7
申请日：2016-12-20
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B33/021 , C23F1/20
CPC classification number: C01B33/021 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2006/16 , C23F1/20
Abstract: 本发明公开了一种多孔硅粉的制备方法，包括：采用刻蚀液对铝硅合金粉进行刻蚀，经过1‑600min的刻蚀得到含有纳米级孔道的多孔硅，孔径在1‑1000nm之间；将含有纳米级孔道的多孔硅置于酸性溶液中浸泡，之后经清洗去除杂质，得到多孔硅粉。所述的刻蚀液为由FeCl3、HCl、乙醇和水组成的混合溶液或者由AgNO3、HCl、乙醇和水组成的混合溶液。本发明以铝硅合金粉为原料，在酸腐蚀体系中，直接腐蚀合金粉中的铝后形成多孔硅粉，在硅粉内部形成孔隙率、结构可控的孔隙。本方法具有设备简单、反应时间短、操作方便、成本低、材料结构可控、能适应大规模工业生产等优势。
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公开(公告)号：CN110143593A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910354538.5
申请日：2019-04-29
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B33/02 , H01M4/38 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种多孔硅粉的制备方法、多孔硅粉以及其在锂离子电池上的应用。多孔硅粉的制备方法包括将硅粉、硝酸银、硝酸铜、腐蚀助剂、去离子水、氢氟酸、双氧水混合均匀后腐蚀，所述腐蚀助剂为甲醇、乙醇、醋酸、磷酸、聚乙二醇中的至少一种。本发明成功的利用银铜双金属辅助的湿化学腐蚀法制备多孔硅，大大降低了多孔硅粉的制备成本，制备得到的多孔硅粉为槽状与纳米孔洞的复合结构，且得到的多孔硅性能均一，孔径均一；比表面积大，最大达到56m2/g；基于制备得到硅粉制备的扣式电池50次循环后放电比容量高，最高达到850mAh/g。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106629736B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201611184219.7
申请日：2016-12-20
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B33/021 , C23F1/20
Abstract: 本发明公开了一种多孔硅粉的制备方法，包括：采用刻蚀液对铝硅合金粉进行刻蚀，经过1‑600min的刻蚀得到含有纳米级孔道的多孔硅，孔径在1‑1000nm之间；将含有纳米级孔道的多孔硅置于酸性溶液中浸泡，之后经清洗去除杂质，得到多孔硅粉。所述的刻蚀液为由FeCl3、HCl、乙醇和水组成的混合溶液或者由AgNO3、HCl、乙醇和水组成的混合溶液。本发明以铝硅合金粉为原料，在酸腐蚀体系中，直接腐蚀合金粉中的铝后形成多孔硅粉，在硅粉内部形成孔隙率、结构可控的孔隙。本方法具有设备简单、反应时间短、操作方便、成本低、材料结构可控、能适应大规模工业生产等优势。
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公开(公告)号：CN108269884A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810075313.1
申请日：2018-01-25
Applicant: 浙江大学 , 蚌埠产品质量监督检验研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , C30B33/10
Abstract: 本发明公开了一种金刚线切割多晶硅太阳电池绒面的制备方法，包括以下步骤：(1)在10～30℃下，将清洗后的金刚线切割多晶硅片浸没于第一腐蚀液中腐蚀3～5min；所述第一腐蚀液为HF、HNO3和去离子水的混合液；(2)在0～5℃下，将步骤(1)中腐蚀后的硅片浸没于第二腐蚀液中腐蚀1～9min；所述第二腐蚀液为水相、油相和乳化剂的混合液；所述水相为HF、HNO3和去离子水的混合液；所述油相为甲苯，所述乳化剂为吐温；(3)在10～30℃下，将步骤(2)中腐蚀后的硅片浸没于碱溶液中进行刻蚀0.5～5min，清洗、干燥，即得。本发明制得的绒面具有较低的反射率和较高的少子寿命。
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公开(公告)号：CN108281508A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810075289.1
申请日：2018-01-25
Applicant: 浙江大学 , 蚌埠产品质量监督检验研究院
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种低表面反射率金刚线切割多晶硅片绒面的制备方法，包括以下步骤：(1)在20～50℃下，将清洗后的金刚线切割多晶硅片浸没于第一腐蚀液中腐蚀20～60min；第一腐蚀液为HF、Fe(NO3)3和乙醇的混合水溶液，HF的浓度为1～10mol/L，Fe(NO3)3的浓度为0.1～1mol/L，乙醇的体积百分比浓度为1～5％；(2)在10～30℃下，将步骤(1)中腐蚀后的金刚线切割多晶硅片浸没于第二腐蚀液中腐蚀10～30min；第二腐蚀液为氨水、双氧水和去离子水的混合溶液，氨水、双氧水和去离子水的体积比为1∶1～3∶1～6；氨水的质量百分比浓度为25％、双氧水的质量百分比浓度为30％；(3)将腐蚀后的金刚线切割多晶硅片用去离子水清洗、吹干，即得。该制备方法制备的金刚线切割多晶硅片绒面反射率低，少子寿命较长。
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