公开(公告)号：CN108269884A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201810075313.1

申请日：2018-01-25

Applicant: 浙江大学 ,  蚌埠产品质量监督检验研究院

Inventor： 汪雷 ,  刘友博 ,  蔡辉 ,  王淑娴 ,  李利凯 ,  杨德仁 ,  汤庆文 ,  张坤 ,  郭庆 ,  崔灿 ,  赵红喜

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  C30B33/10

Abstract: 本发明公开了一种金刚线切割多晶硅太阳电池绒面的制备方法，包括以下步骤：(1)在10～30℃下，将清洗后的金刚线切割多晶硅片浸没于第一腐蚀液中腐蚀3～5min；所述第一腐蚀液为HF、HNO3和去离子水的混合液；(2)在0～5℃下，将步骤(1)中腐蚀后的硅片浸没于第二腐蚀液中腐蚀1～9min；所述第二腐蚀液为水相、油相和乳化剂的混合液；所述水相为HF、HNO3和去离子水的混合液；所述油相为甲苯，所述乳化剂为吐温；(3)在10～30℃下，将步骤(2)中腐蚀后的硅片浸没于碱溶液中进行刻蚀0.5～5min，清洗、干燥，即得。本发明制得的绒面具有较低的反射率和较高的少子寿命。

公开(公告)号：CN108269884B

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201810075313.1

申请日：2018-01-25

Applicant: 浙江大学 ,  蚌埠产品质量监督检验研究院

Inventor： 汪雷 ,  刘友博 ,  蔡辉 ,  王淑娴 ,  李利凯 ,  杨德仁 ,  汤庆文 ,  张坤 ,  郭庆 ,  崔灿 ,  赵红喜

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  C30B33/10

Abstract: 本发明公开了一种金刚线切割多晶硅太阳电池绒面的制备方法，包括以下步骤：(1)在10～30℃下，将清洗后的金刚线切割多晶硅片浸没于第一腐蚀液中腐蚀3～5min；所述第一腐蚀液为HF、HNO3和去离子水的混合液；(2)在0～5℃下，将步骤(1)中腐蚀后的硅片浸没于第二腐蚀液中腐蚀1～9min；所述第二腐蚀液为水相、油相和乳化剂的混合液；所述水相为HF、HNO3和去离子水的混合液；所述油相为甲苯，所述乳化剂为吐温；(3)在10～30℃下，将步骤(2)中腐蚀后的硅片浸没于碱溶液中进行刻蚀0.5～5min，清洗、干燥，即得。本发明制得的绒面具有较低的反射率和较高的少子寿命。

公开(公告)号：CN110143593A

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201910354538.5

申请日：2019-04-29

Applicant: 浙江大学

Inventor： 汪雷 ,  蔡辉 ,  李利凯 ,  阮雅丽 ,  杨德仁

IPC: C01B33/02 ,  H01M4/38 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了一种多孔硅粉的制备方法、多孔硅粉以及其在锂离子电池上的应用。多孔硅粉的制备方法包括将硅粉、硝酸银、硝酸铜、腐蚀助剂、去离子水、氢氟酸、双氧水混合均匀后腐蚀，所述腐蚀助剂为甲醇、乙醇、醋酸、磷酸、聚乙二醇中的至少一种。本发明成功的利用银铜双金属辅助的湿化学腐蚀法制备多孔硅，大大降低了多孔硅粉的制备成本，制备得到的多孔硅粉为槽状与纳米孔洞的复合结构，且得到的多孔硅性能均一，孔径均一；比表面积大，最大达到56m2/g；基于制备得到硅粉制备的扣式电池50次循环后放电比容量高，最高达到850mAh/g。

公开(公告)号：CN108191254B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201810140291.2

申请日：2018-02-11

Applicant: 浙江大学

Inventor： 汪雷 ,  刘友博 ,  王淑娴 ,  蔡辉 ,  李利凯 ,  杨德仁

IPC: C03C15/00

Abstract: 本发明公开了一种玻璃表面多孔结构的制备方法，将腐蚀溶液雾化形成液滴对玻璃进行腐蚀。本发明的玻璃表面多孔结构的制备方法成本较低，废液处理较为简单；无需采用大型的物理沉积或者刻蚀设备，方法简单易行；制备出的多孔结构均匀，且该多孔结构制备方法具有普适性，能够在各种玻璃片和玻璃制品上的表面制备出多孔结构，具有很强的市场前景。

公开(公告)号：CN108281508A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201810075289.1

申请日：2018-01-25

Applicant: 浙江大学 ,  蚌埠产品质量监督检验研究院

Inventor： 汪雷 ,  刘友博 ,  蔡辉 ,  王淑娴 ,  李利凯 ,  杨德仁 ,  孙葳 ,  陈敏 ,  刘雪艳 ,  沈家万

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种低表面反射率金刚线切割多晶硅片绒面的制备方法，包括以下步骤：(1)在20～50℃下，将清洗后的金刚线切割多晶硅片浸没于第一腐蚀液中腐蚀20～60min；第一腐蚀液为HF、Fe(NO3)3和乙醇的混合水溶液，HF的浓度为1～10mol/L，Fe(NO3)3的浓度为0.1～1mol/L，乙醇的体积百分比浓度为1～5％；(2)在10～30℃下，将步骤(1)中腐蚀后的金刚线切割多晶硅片浸没于第二腐蚀液中腐蚀10～30min；第二腐蚀液为氨水、双氧水和去离子水的混合溶液，氨水、双氧水和去离子水的体积比为1∶1～3∶1～6；氨水的质量百分比浓度为25％、双氧水的质量百分比浓度为30％；(3)将腐蚀后的金刚线切割多晶硅片用去离子水清洗、吹干，即得。该制备方法制备的金刚线切割多晶硅片绒面反射率低，少子寿命较长。

公开(公告)号：CN108191254A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201810140291.2

申请日：2018-02-11

Applicant: 浙江大学

Inventor： 汪雷 ,  刘友博 ,  王淑娴 ,  蔡辉 ,  李利凯 ,  杨德仁

IPC: C03C15/00

Abstract: 本发明公开了一种玻璃表面多孔结构的制备方法，将腐蚀溶液雾化形成液滴对玻璃进行腐蚀。本发明的玻璃表面多孔结构的制备方法成本较低，废液处理较为简单；无需采用大型的物理沉积或者刻蚀设备，方法简单易行；制备出的多孔结构均匀，且该多孔结构制备方法具有普适性，能够在各种玻璃片和玻璃制品上的表面制备出多孔结构，具有很强的市场前景。