公开(公告)号：CN104787773B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510157516.1

申请日：2015-04-03

Applicant: 浙江大学

Inventor： 李东升 ,  沈浩 ,  徐凌波 ,  杨德仁

IPC: C01B33/20 ,  C09K11/79

Abstract: 本发明公开了一种具有敏化效果的硅酸铒的制备方法，将铒可溶化合物溶解于溶剂中得到的溶液旋涂于多孔硅表面，直至旋涂量达到4.44×10-3～8.89×10-2ml/cm2，烘干后，依次经两步热处理得到具有敏化效果的硅酸铒。制备得到的硅酸铒为由纳米硅柱及包覆在纳米硅柱表面的单层硅酸铒组成的核壳结构，有较好的敏化效果，在非共振激发光下仍有较好发光，可应用于硅基光电集成和光通信等领域。

公开(公告)号：CN104787773A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201510157516.1

申请日：2015-04-03

Applicant: 浙江大学

Inventor： 李东升 ,  沈浩 ,  徐凌波 ,  杨德仁

IPC: C01B33/20 ,  C09K11/79

Abstract: 本发明公开了一种具有敏化效果的硅酸铒的制备方法，将铒可溶化合物溶解于溶剂中得到的溶液旋涂于多孔硅表面，直至旋涂量达到4.44×10-3～8.89×10-2ml/cm2，烘干后，依次经两步热处理得到具有敏化效果的硅酸铒。制备得到的硅酸铒为由纳米硅柱及包覆在纳米硅柱表面的单层硅酸铒组成的核壳结构，有较好的敏化效果，在非共振激发光下仍有较好发光，可应用于硅基光电集成和光通信等领域。

公开(公告)号：CN216902854U

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202221097556.3

申请日：2022-05-10

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 王蓉 ,  杨光 ,  皮孝东 ,  李佳君 ,  徐凌波 ,  崔灿 ,  杨德仁

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/306

Abstract: 本实用新型公开了一种半导体单晶衬底腐蚀装置，包括支撑环、连接杆和分隔套管，支撑环上设有定位孔，相邻的两个支撑环之间用分隔套管隔开，且分隔套管与定位孔一一对应，连接杆沿轴向贯穿分隔套管和定位孔后将多个平行的支撑环连接在一起，连接杆的下端设有凸台。本实用新型具有一次性腐蚀多片半导体单晶衬底的正反面，提高腐蚀效率，便于分析对比，保证各半导体单晶衬底腐蚀时间和环境相同等优点。