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公开(公告)号：CN104201335B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410407070.9
申请日：2014-08-18
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/136 , H01M4/1397 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米片状磷酸铁锂及其制备方法，所述纳米片状磷酸铁锂的微观形貌为厚度10～100nm，长度600～800nm，宽度200～300nm的片状结构，并且垂直于厚度的方向为[010]。所述制备方法包括以下步骤：将CTAB(十六烷基三甲基溴化铵)和VC(L‑抗坏血酸)溶于水，加入磷源、亚铁源和锂源，混合均匀后进行水热反应，反应完成后将产物过滤、洗涤、干燥，制得所述的纳米片状磷酸铁锂。本发明制备的磷酸铁锂形貌规则，大小均匀，作为锂离子电池负极材料，独特的片状结构可以缩短充放电过程中锂离子的传输距离，从而改善电极材料的电化学性能；本发明采用水热法合成磷酸铁锂，具有能耗低、适用性广、步骤简单、容易控制、易于重复和放大等优点。
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公开(公告)号：CN104201338A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410405873.0
申请日：2014-08-18
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/139
CPC classification number: H01M4/139 , H01M4/0402 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种锂离子电池负极的制备方法，包括以下步骤：(1)以钴盐和尿素为原料，通过水热反应结合热处理在衬底上合成氧化亚钴纳米线阵列；(2)在氧化亚钴纳米线阵列上沉积电极材料，得到锂离子电池负极。本发明具有生产工艺简单，重现性好，生产成本低廉的优点，本发明制得的锂离子电池负极具有高比容量以及优越的循环性能，在500mA的电流密度下，20次循环以后，比容量大约900mAh/g。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104201335A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410407070.9
申请日：2014-08-18
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/136 , H01M4/1397 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: H01M4/5825 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B25/45 , H01M4/136 , H01M4/1397 , H01M10/0525 , H01M2004/021
Abstract: 本发明公开了一种纳米片状磷酸铁锂及其制备方法，所述纳米片状磷酸铁锂的微观形貌为厚度10～100nm，长度600～800nm，宽度200～300nm的片状结构，并且垂直于厚度的方向为[010]。所述制备方法包括以下步骤：将CTAB(十六烷基三甲基溴化铵)和VC(L-抗坏血酸)溶于水，加入磷源、亚铁源和锂源，混合均匀后进行水热反应，反应完成后将产物过滤、洗涤、干燥，制得所述的纳米片状磷酸铁锂。本发明制备的磷酸铁锂形貌规则，大小均匀，作为锂离子电池负极材料，独特的片状结构可以缩短充放电过程中锂离子的传输距离，从而改善电极材料的电化学性能；本发明采用水热法合成磷酸铁锂，具有能耗低、适用性广、步骤简单、容易控制、易于重复和放大等优点。
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公开(公告)号：CN104201332A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410406333.4
申请日：2014-08-18
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/134 , H01M4/04 , H01M4/1395 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/0426 , H01M4/1395 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种衬底上生长有钴纳米线阵列的锂离子电池负极及其制备方法，所述锂离子电池负极由衬底、生长在衬底上的钴纳米线阵列以及沉积在钴纳米线阵列上的电极材料组成。所述制备方法包括以下步骤：(1)以钴盐和尿素为原料，通过水热反应在衬底上合成氧化亚钴纳米线阵列；(2)将所述氧化亚钴纳米线阵列还原为钴纳米线阵列；(3)在纳米线阵列上沉积电极材料。本发明通过在衬底上生长钴纳米线阵列，再将硅沉积在钴纳米线阵列上，提高了硅与集流体的结合力，同时给硅材料形变提供了缓冲空间，进而提高了锂离子电池负极的电化学性能。另外该本发明方法工艺简单，成本低，易于推广。
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公开(公告)号：CN104201332B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410406333.4
申请日：2014-08-18
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/134 , H01M4/04 , H01M4/1395 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种衬底上生长有钴纳米线阵列的锂离子电池负极及其制备方法，所述锂离子电池负极由衬底、生长在衬底上的钴纳米线阵列以及沉积在钴纳米线阵列上的电极材料组成。所述制备方法包括以下步骤：(1)以钴盐和尿素为原料，通过水热反应在衬底上合成氧化亚钴纳米线阵列；(2)将所述氧化亚钴纳米线阵列还原为钴纳米线阵列；(3)在纳米线阵列上沉积电极材料。本发明通过在衬底上生长钴纳米线阵列，再将硅沉积在钴纳米线阵列上，提高了硅与集流体的结合力，同时给硅材料形变提供了缓冲空间，进而提高了锂离子电池负极的电化学性能。另外该本发明方法工艺简单，成本低，易于推广。
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公开(公告)号：CN104201338B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201410405873.0
申请日：2014-08-18
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/139
Abstract: 本发明公开了一种锂离子电池负极的制备方法，包括以下步骤：(1)以钴盐和尿素为原料，通过水热反应结合热处理在衬底上合成氧化亚钴纳米线阵列；(2)在氧化亚钴纳米线阵列上沉积电极材料，得到锂离子电池负极。本发明具有生产工艺简单，重现性好，生产成本低廉的优点，本发明制得的锂离子电池负极具有高比容量以及优越的循环性能，在500mA的电流密度下，20次循环以后，比容量大约900mAh/g。
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