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公开(公告)号：CN105845918A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610164517.3
申请日：2016-03-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/38 , H01M10/0525 , C01B33/021
CPC classification number: H01M4/386 , C01B33/021 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种具有高容量的多孔硅材料的制备方法，其特征在于，具体为：将硅化镁粉末置于氮气气氛下，经600～800℃的热处理后，再经酸洗及后处理得到所述的具有高容量的多孔硅材料。本发明提供了一种具有高容量的多孔硅材料的制备方法，以氮气气氛代替空气气氛，在制备多孔硅的同时，避免了硅的氧化，且无需采用高挥发性的氢氟酸进行处理，工艺简单，高效环保。制备得到的多孔硅中的氧含量极低，作为负极材料应用于锂离子电池中，将显著提高锂离子电池的比容量和循环稳定性。
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公开(公告)号：CN104291829B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410446973.8
申请日：2014-09-04
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B21/068 , C04B35/584 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开一种高α相氮化硅的制备方法，包括以下步骤：首先将质量比为5～45:100的纳米级硅粉和微米级硅粉充分混合，得到硅粉原料；氮气气氛下，将所述的硅粉原料加热到800～1200℃，保温2～20h，再升温至1200～1350℃，待氮化反应完全后得到氮化硅。本发明提供了一种高α相氮化硅的制备方法，通过在微米级硅粉中掺入纳米级硅粉，同时控制氮化温度，抑制硅粉的自烧结，进而获得了高含量的α相氮化硅；本制备方法工艺简单、性能可控，且生产周期短、极大地降低了生产能耗，适合于大规模的工业化生产。
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公开(公告)号：CN105845918B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201610164517.3
申请日：2016-03-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/38 , H01M10/0525 , C01B33/021
Abstract: 本发明公开了一种具有高容量的多孔硅材料的制备方法，其特征在于，具体为：将硅化镁粉末置于氮气气氛下，经600～800℃的热处理后，再经酸洗及后处理得到所述的具有高容量的多孔硅材料。本发明提供了一种具有高容量的多孔硅材料的制备方法，以氮气气氛代替空气气氛，在制备多孔硅的同时，避免了硅的氧化，且无需采用高挥发性的氢氟酸进行处理，工艺简单，高效环保。制备得到的多孔硅中的氧含量极低，作为负极材料应用于锂离子电池中，将显著提高锂离子电池的比容量和循环稳定性。
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公开(公告)号：CN104291829A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410446973.8
申请日：2014-09-04
Applicant: 浙江大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/626 , C01B21/068
CPC classification number: C04B35/584 , C04B35/626 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/66
Abstract: 本发明公开一种高α相氮化硅的制备方法，包括以下步骤：首先将质量比为5～45:100的纳米级硅粉和微米级硅粉充分混合，得到硅粉原料；氮气气氛下，将所述的硅粉原料加热到800～1200℃，保温2～20h，再升温至1200～1350℃，待氮化反应完全后得到氮化硅。本发明提供了一种高α相氮化硅的制备方法，通过在微米级硅粉中掺入纳米级硅粉，同时控制氮化温度，抑制硅粉的自烧结，进而获得了高含量的α相氮化硅；本制备方法工艺简单、性能可控，且生产周期短、极大地降低了生产能耗，适合于大规模的工业化生产。
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公开(公告)号：CN105826528B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201610165059.5
申请日：2016-03-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种制备多孔硅‑铜复合材料的方法，具体为：将CuO、Mg2Si两种粉体原料均匀混合，在600～700℃下进行热处理，再经酸洗及后处理得到所述的多孔硅‑铜复合材料。本发明的制备工艺简单，具有很大的操作性，所采用的原料来源丰富，价格便宜，所使用的方法途径容易在工厂中进行，特别是巧妙利用了镁和氧化铜的置换反应，在制得多孔硅的同时，生成纳米级的铜颗粒均匀弥散于多孔硅的表面，更加充分的发挥了铜对整个材料体系导电性的提高作用和铜颗粒对硅在脱嵌锂离子时的体积变化的缓冲作用。是一种潜在的可大规模合成结构独特的硅‑铜复合材料的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105826527B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201610164963.4
申请日：2016-03-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/583 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种多孔硅‑碳复合材料的制备方法，具体为：将硅化镁粉末置于CO2/Ar混合气氛下，在700～900℃下进行热处理，再经酸洗及后处理得到所述的多孔硅‑铜复合材料；所述的CO2/Ar混合气氛中，CO2的体积分数为10～90％。本发明的工艺简单，易于重复，可实现大规模的工业化生产。制备得到的多孔硅‑碳复合材料作为负极材料应用于锂离子电池中，将显著提高锂离子电池的循环稳定性。
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公开(公告)号：CN104495765B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201410750725.2
申请日：2014-12-09
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B21/068
Abstract: 本发明公开了一种利用多孔硅制备高α相氮化硅的方法，以多孔硅为原料，在氮气气氛下，依次经高温煅烧、研磨处理，得到所述的高α相氮化硅。本发明提供了一种利用多孔硅制备高α相氮化硅的方法，高效制备得到了高α相含量、粒径分布均匀的氮化硅，本制备方法工艺简单、性能可控，且生产周期短、极大地降低了生产能耗，成本低廉，适合于大规模的工业化生产。
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公开(公告)号：CN105826528A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610165059.5
申请日：2016-03-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/386 , H01M4/364 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种制备多孔硅?铜复合材料的方法，具体为：将CuO、Mg2Si两种粉体原料均匀混合，在600～700℃下进行热处理，再经酸洗及后处理得到所述的多孔硅?铜复合材料。本发明的制备工艺简单，具有很大的操作性，所采用的原料来源丰富，价格便宜，所使用的方法途径容易在工厂中进行，特别是巧妙利用了镁和氧化铜的置换反应，在制得多孔硅的同时，生成纳米级的铜颗粒均匀弥散于多孔硅的表面，更加充分的发挥了铜对整个材料体系导电性的提高作用和铜颗粒对硅在脱嵌锂离子时的体积变化的缓冲作用。是一种潜在的可大规模合成结构独特的硅?铜复合材料的方法。
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公开(公告)号：CN105826527A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610164963.4
申请日：2016-03-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/583 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/386 , H01M4/364 , H01M4/583 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种多孔硅?碳复合材料的制备方法，具体为：将硅化镁粉末置于CO2/Ar混合气氛下，在700～900℃下进行热处理，再经酸洗及后处理得到所述的多孔硅?铜复合材料；所述的CO2/Ar混合气氛中，CO2的体积分数为10～90％。本发明的工艺简单，易于重复，可实现大规模的工业化生产。制备得到的多孔硅?碳复合材料作为负极材料应用于锂离子电池中，将显著提高锂离子电池的循环稳定性。
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公开(公告)号：CN104495765A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410750725.2
申请日：2014-12-09
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B21/068
Abstract: 本发明公开了一种利用多孔硅制备高α相氮化硅的方法，以多孔硅为原料，在氮气气氛下，依次经高温煅烧、研磨处理，得到所述的高α相氮化硅。本发明提供了一种利用多孔硅制备高α相氮化硅的方法，高效制备得到了高α相含量、粒径分布均匀的氮化硅，本制备方法工艺简单、性能可控，且生产周期短、极大地降低了生产能耗，成本低廉，适合于大规模的工业化生产。
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