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公开(公告)号：CN120058213A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510100501.5
申请日：2025-01-22
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种高纯透明石英玻璃的制备方法，包括：将石英胚体放入坩埚中，并在石英胚体上下两侧放置感应加热元件，在石英胚体的侧面填充导热材料；然后将坩埚放入真空感应加热炉中，烧结得到高纯透明石英玻璃。本发明能制备出高透明度、气泡含量极少、低羟基含量的大尺寸石英玻璃，并解决了现有生产方式烧制高纯透明石英玻璃耗费时间长、原料损耗大的问题。
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公开(公告)号：CN119510661A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411682523.9
申请日：2024-11-22
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种合成二氧化硅中微量氯离子的快速检测方法及其应用。合成二氧化硅中微量氯离子的快速检测方法包括清洗溶样罐、制备样品溶液、制备标准氯离子溶液、离子色谱法检测、分析测试结果和确定合成二氧化硅中氯离子含量等过程。本发明方法既防止氯离子和溶剂挥发同时不需要额外添加助溶剂，具有易操作、耗时短、测量精度高和含量测定准确等优点，为超高纯合成二氧化硅中氯离子浓度的测定提供了一种重要的样品处理和检测手段。
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公开(公告)号：CN118814150A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410966321.0
申请日：2024-07-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种大面积高效制备金纳米颗粒膜的方法及金纳米颗粒膜。本发明通过有机分子气液界面自组装大面积制备薄膜固态有机金分子，利用固态前驱体的热分解技术，实现金纳米颗粒单层膜的大面积高效制备。并且能够在目标衬底上实现金纳米结构的原位生长。本发明金纳米颗粒膜的形貌可以通过有机金分子膜的厚度和退火温度来调控。本发明能够实现金纳米颗粒单层膜的高效制备。并且，本发明金纳米颗粒薄膜的面积主要受水槽大小限制，原则上可以根据需求获得相应面积的金颗粒薄膜。
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公开(公告)号：CN117364223A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311190985.4
申请日：2023-09-15
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种抑制位错运动增殖的铸造单晶硅锭制备方法，包括：(1)在坩埚的底部紧密铺设由直拉单晶硅锭切割出来的单晶籽晶，形成单晶籽晶层；(2)将报废硅片铺设到所述单晶籽晶层的上方作为硅片缓冲层；(3)设定掺杂剂的掺杂浓度，并将掺杂剂和多晶硅原料装载至缓冲层上方；(4)加热使多晶硅原料完全熔化、单晶籽晶层部分熔化，并通过制造垂直温度梯度和控制晶体凝固速率，实现组分过冷现象的发生，诱导微米级孪晶的生成；最终硅液自底部向上逐渐凝固得到铸造单晶硅锭。利用本发明，可以在制备铸造单晶硅锭过程中诱导具有生长取向的、电学复合活性较弱的微孪晶生成，从而有效抑制位错的运动增殖，提高晶体质量和良率。
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公开(公告)号：CN115714146A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211236162.6
申请日：2022-10-10
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0288 , H01L31/102 , H01L31/18 , C23C14/16 , C23C14/26 , C23C14/35 , C23C14/58
Abstract: 本发明公开了一种锌超掺杂硅的制备方法，包括清洗硅衬底，采用真空热蒸发或真空磁控溅射方法在清洗后的硅衬底表面蒸镀或溅射锌薄膜；采用飞秒激光对锌薄膜表面进行扫描式辐射得到锌超掺杂。该制备方法简单、高效，本发明还提供了利用该方法制备的锌超掺杂硅材料，该锌超掺杂硅材料具有较高的锌掺杂浓度和较好的光吸收率，本发明还提供了将该锌超掺杂硅材料在制备光伏型红外探测器上的应用，制备得到的红外探测器具有较好的光响应性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114899324A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210351399.2
申请日：2022-04-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种高品质高稳定性钙钛矿层及太阳电池的制备方法，通过调节钙钛矿前驱体溶液的配方种类、比例及添加剂的种类、比例，然后通过真空旋涂、旋涂或刮涂的方法制备无甲胺纯甲脒钙钛矿活性层，解决了由于甲胺的存在，使得钙钛矿在光照或高温的条件下，不稳定而易形成缺陷从而使钙钛矿效率和稳定性大幅损失的问题，从而大幅度提高了钙钛矿太阳电池的效率和稳定性。本发明提供的一种无甲胺掺杂或辅助结晶的纯甲脒钙钛矿太阳电池的制备方法，所涉及的器件结构从下至上分别为透明导电玻璃、电子传输层、钙钛矿活性层、空穴传输层和金属电极层，利用本发明，极大地促进了钙钛矿太阳电池的稳定性，为其进一步商业化迈出重要一步。
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公开(公告)号：CN112071985B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202010772076.1
申请日：2020-08-04
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种通过界面工程提高钙钛矿太阳能电池全光谱光稳定性的方法，所涉及的器件结构从下至上分别为透明导电玻璃、电子传输层、界面层、钙钛矿活性层、空穴传输层和金属电极层，通过在电子传输层和钙钛矿活性层之间引入界面层，界面层由富勒烯或富勒烯衍生物与邻菲罗啉衍生物混合组成，邻菲罗啉衍生物与富勒烯或富勒烯衍生物的质量比为1:5～15。界面层阻止电子传输层在光照下催化分解钙钛矿活性层的同时，增强了界面层本身的稳定性，从而大幅度提高了钙钛矿太阳能电池的全光谱光稳定性，并且由于其钝化钙钛矿表面缺陷的作用，电池的能量转换效率也得以提升，迟滞现象得以减缓。本发明方法极大地促进了钙钛矿太阳能电池迈向商业化。
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公开(公告)号：CN113745409A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110870607.5
申请日：2021-07-30
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种高品质高稳定性钙钛矿活性层的制备方法，通过将钙钛矿单晶进行二次重溶，然后通过真空旋涂，反溶剂旋涂或刮涂的方法制备钙钛矿活性层，解决了由于传统多晶钙钛矿膜组分偏差及残余应力存在，使得钙钛矿带隙略宽且键能变弱的问题，从而大幅度提高了钙钛矿太阳电池的性能和稳定性，同时，该方法制备的钙钛矿太阳电池在相同组分下的电流显著突破。本发明还提供了一种带隙可调的基于单晶重溶钙钛矿活性层的太阳电池制备方法，所涉及的器件结构从下至上分别为透明导电玻璃、电子传输层、钙钛矿活性层、空穴传输层和金属电极层，利用本发明，极大地促进了钙钛矿太阳电池的效率及稳定性，为其商业化迈出重要一步。
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公开(公告)号：CN112071985A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010772076.1
申请日：2020-08-04
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种通过界面工程提高钙钛矿太阳能电池全光谱光稳定性的方法，所涉及的器件结构从下至上分别为透明导电玻璃、电子传输层、界面层、钙钛矿活性层、空穴传输层和金属电极层，通过在电子传输层和钙钛矿活性层之间引入界面层，界面层由富勒烯或富勒烯衍生物与邻菲罗啉衍生物混合组成，邻菲罗啉衍生物与富勒烯或富勒烯衍生物的质量比为1:5～15。界面层阻止电子传输层在光照下催化分解钙钛矿活性层的同时，增强了界面层本身的稳定性，从而大幅度提高了钙钛矿太阳能电池的全光谱光稳定性，并且由于其钝化钙钛矿表面缺陷的作用，电池的能量转换效率也得以提升，迟滞现象得以减缓。本发明方法极大地促进了钙钛矿太阳能电池迈向商业化。
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公开(公告)号：CN109085486A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810857477.X
申请日：2018-07-31
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种半导体-绝缘体界面态密度和俘获截面的测试方法，包括以下步骤：(1)在半导体薄片表面生长绝缘体薄膜，接着在绝缘体薄膜表面生长金属薄膜，进而制得金属-绝缘体-半导体结构的MIS器件；(2)对上述MIS器件在不同测试温度T下进行电容瞬态测试，获得电容在载流子发射过程中的变化，经过转化变为电荷Nit的瞬态电容；(3)对上述电荷Nit关于时间t求导，求得在不同测试温度下电荷的发射速率ep；(4)在不同的电荷密度下，作ln(ep/T2)关于1/T的函数，由斜率和截距分别求得界面态密度和俘获截面随能级的分布。利用本发明，可以获取俘获截面与界面态密度随能级位置的分布，应用广泛。
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