公开(公告)号：CN104143588B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201410351677.X

申请日：2014-07-23

Applicant: 浙江大学

Inventor： 余学功 ,  杨黎飞 ,  杨德仁

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池用N型硅片的表面钝化方法，包括以下步骤：首先对N型硅片表面进行亲水处理，再通过旋涂或层层自组装的方法在亲水处理后的N型硅片表面制备厚度可控的超薄氧化石墨烯薄膜，最后经热处理得到钝化后的硅片。本发明还公开了制备得到的钝化后的硅片在太阳能电池，尤其是在硅-石墨烯原型电池中的应用。本发明提供了一种太阳能电池用N型硅片的表面钝化方法，通过溶液法在硅片表面形成氧化石墨烯超薄(

公开(公告)号：CN104143588A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201410351677.X

申请日：2014-07-23

Applicant: 浙江大学

Inventor： 余学功 ,  杨黎飞 ,  杨德仁

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1868 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池用N型硅片的表面钝化方法，包括以下步骤：首先对N型硅片表面进行亲水处理，再通过旋涂或层层自组装的方法在亲水处理后的N型硅片表面制备厚度可控的超薄氧化石墨烯薄膜，最后经热处理得到钝化后的硅片。本发明还公开了制备得到的钝化后的硅片在太阳能电池，尤其是在硅-石墨烯原型电池中的应用。本发明提供了一种太阳能电池用N型硅片的表面钝化方法，通过溶液法在硅片表面形成氧化石墨烯超薄(＜3nm)钝化薄膜，该薄膜可以较好地钝化硅的表面，并且允许载流子自由遂穿，将其应用在硅-石墨烯原型电池上，可以明显提高电池的转换效率。

公开(公告)号：CN104143385B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201410351786.1

申请日：2014-07-23

Applicant: 浙江大学

Inventor： 杨德仁 ,  杨黎飞 ,  赵妍 ,  吕卿民 ,  吴晓蕾 ,  余学功

IPC: H01B1/22 ,  H01B13/00 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明公开了一种用于硅太阳电池栅极的铜导电浆料，包括作为导电主体的镍包裹铜纳米颗粒和有机溶剂，所述导电主体的质量分数为70～90％；所述的镍包裹铜纳米颗粒中镍和铜的质量比为0.05～0.3:1。本发明提供了一种用于硅太阳电池栅极的铜导电浆料，以镍包裹铜核壳结构纳米颗粒作为导电铜浆料的导电主体，所述的铜导电浆料在具备优良导电性的同时防止铜的氧化和扩散。所述铜导电浆料中还加入了铜锡低熔点导电合金，可以大幅降低铜浆料的烧结温度，从本质上抑制铜扩散进入硅电池对电池效率引起的不利影响，并且低温烧结也可使生产电池能耗降低。本发明还公开了所述的硅太阳电池栅极的铜导电浆料的制备方法。

公开(公告)号：CN104143385A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201410351786.1

申请日：2014-07-23

Applicant: 浙江大学

Inventor： 杨德仁 ,  杨黎飞 ,  赵妍 ,  吕卿民 ,  吴晓蕾 ,  余学功

IPC: H01B1/22 ,  H01B13/00 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明公开了一种用于硅太阳电池栅极的铜导电浆料，包括作为导电主体的镍包裹铜纳米颗粒和有机溶剂，所述导电主体的质量分数为70～90％；所述的镍包裹铜纳米颗粒中镍和铜的质量比为0.05～0.3:1。本发明提供了一种用于硅太阳电池栅极的铜导电浆料，以镍包裹铜核壳结构纳米颗粒作为导电铜浆料的导电主体，所述的铜导电浆料在具备优良导电性的同时防止铜的氧化和扩散。所述铜导电浆料中还加入了铜锡低熔点导电合金，可以大幅降低铜浆料的烧结温度，从本质上抑制铜扩散进入硅电池对电池效率引起的不利影响，并且低温烧结也可使生产电池能耗降低。本发明还公开了所述的硅太阳电池栅极的铜导电浆料的制备方法。