公开(公告)号：CN106328502A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201510355810.3

申请日：2015-06-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张波 ,  孟骁然 ,  俞文杰 ,  狄增峰 ,  张苗

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  C30B29/10

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/3245

Abstract: 本发明提供一种SiGeSn材料及其制备方法，制备方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底包含SiGe层；向所述SiGe层内注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体；将注入后的所述衬底进行退火处理。本发明的SiGeSn材料及其制备方法相较于现有技术具有成本低廉、工艺简单、质量更好、更利于大规模生产的优点。

公开(公告)号：CN105977145A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610457787.3

申请日：2016-06-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  贾鹏飞 ,  薛忠营 ,  郑晓虎 ,  王刚 ,  孙银波 ,  狄增峰 ,  王曦

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/266 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245

Abstract: 本发明提供一种应变量子点的制备方法及应变量子点。所述制备方法包括以下步骤：在标的材料上形成光刻胶，在所述光刻胶上形成多个注入窗口，进行H+离子或He离子注入，去除所述光刻胶，进行退火处理，使所述标的材料中的H+离子或He离子聚集成H2或He产生气泡凸起，从而得到标的材料的应变量子点。本发明的方法新颖，制备过程简单，可操作性强，应变量可观、可调；制备过程可控性强，注入窗口的大小、形状、间距，H+离子或He离子注入的能量、剂量，退火温度、时间等工艺参数均可调；且方法可用范围广，晶体材料均可使用该方法制备应变量子点。

公开(公告)号：CN103985788B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410217764.6

申请日：2014-05-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  母志强 ,  郭庆磊 ,  叶林 ,  陈达 ,  张苗 ,  王曦

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/108 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种张应变锗光电探测器及其制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一衬底并在其上依次形成牺牲层及锗层；S2：在所述锗层上形成一金属层，所述金属层对所述锗层提供应力；S3：将所述金属层图形化，形成一对金属主基座及一对金属次基座；S4：将所述锗层图形化以在所述金属主基座及金属次基座下分别形成锗主基座及锗次基座，并在每一对锗次基座之间形成至少一条锗桥线；S5：腐蚀掉所述锗桥线下方及所述锗次基座下方的牺牲层，以使所述锗桥线及所述锗次基座悬空，该悬空的锗次基座在所述金属层的应力作用下卷曲使所述锗桥线拉伸，得到张应变锗MSM光电探测器。本发明可提高MSM光电探测器的光电探测性能。

公开(公告)号：CN103632930B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201210310702.0

申请日：2012-08-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  陈达 ,  薛忠营 ,  卞剑涛 ,  母志强 ,  狄增峰

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供一种利用超薄层吸附制备绝缘体上超薄改性材料的方法，该方法首先在第一衬底上依次外延生长第一单晶薄膜、第一缓冲层、第二单晶薄膜、第二缓冲层以及顶层薄膜，再通过两次离子注入以及键合工艺，最终得到绝缘体上超薄改性材料。所制备的超薄改性材料的厚度范围为5~50 nm。本发明通过在不同层的两次离子注入将材料改性和剥离两个过程分开进行，且剥离发生在超薄层，裂纹较小，剥离过程中对顶层薄膜的质量影响较小，可以制备出高质量的绝缘体上超薄改性材料。

公开(公告)号：CN103137539B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201110383801.7

申请日：2011-11-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张波 ,  俞文杰 ,  赵清太 ,  狄增峰 ,  张苗 ,  王曦

IPC: H01L21/762 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法，通过Co与Si衬底两次反应生成CoSi2，并通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之间插入一层金属硅化物CoSi2，以代替常规SOI双极晶体管中的集电区重掺杂埋层，从而达到减小顶层硅厚度、简化工艺等目的。本发明的工艺简单，适用于大规模的工业生产。

公开(公告)号：CN103021818B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201210593568.X

申请日：2012-12-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  郭庆磊 ,  张苗 ,  魏星 ,  薛忠营 ,  母志强 ,  戴佳赟

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种微结构保角性转移方法，至少包括以下步骤：提供一自下而上依次为底层硅、埋氧层及顶层X纳米薄膜的XOI衬底，在所述顶层X纳米薄膜上涂覆哑铃状的光刻胶作为掩膜，进行刻蚀得到哑铃状的微结构；然后利用氢氟酸溶液或者BOE溶液将所述埋氧层进行腐蚀，直至所述微结构中间图形微米带部分完全悬空，且所述两端区域以下仍有部分未被完全腐蚀掉的埋氧层，形成固定结，最后提供一基板与所述微结构相接触，并迅速提起基板以将所述微结构转移到所述基板上。本发明的微结构保角性转移方法利用简易的端点固定图形化设计，对微结构纳米薄膜进行固定，实现完全保角性转移，大大的降低了保角性转移工艺的复杂度，降低了工艺成本。

公开(公告)号：CN103219275B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201210017889.5

申请日：2012-01-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  陈达 ,  薛忠营 ,  狄增峰 ,  王刚

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/36 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供一种具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法。根据本发明的方法，先在衬底的单晶表面进行离子注入后，再形成包含由Si1-xGex/Ge或Si/Si1-xGex形成的超晶格结构的多层材料层；随后，在已形成多层材料层的结构表面低温生长Si1-yGey和/或Si后，进行退火处理，以使表层的Si1-yGey层发生弛豫现象；最后再采用智能剥离技术将已发生弛豫现象的结构中的至少部分层转移到含氧衬底的含氧层表面，以形成SGOI或sSOI结构；由此可有效避免现有超厚缓冲层在材料和时间方面的浪费及现有先长后注对外延层的影响。

公开(公告)号：CN103165420B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201110418827.0

申请日：2011-12-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 薛忠营 ,  张苗 ,  狄增峰 ,  魏星 ,  陈达

IPC: H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种SiGe中嵌入超晶格制备应变Si的方法，该方法首先在Si衬底上外延一Ge组分为x的Si1-xGex层，并使所述Si1-xGex层弛豫以形成弛豫Si1-xGex层；其次在所述弛豫Si1-xGex层上外延包括Si层和Si1-yGey层的双层薄膜；而后多次重复外延所述双层薄膜，在所述弛豫Si1-xGex层上制备出超晶格；接着在所述超晶格上外延一Ge组分为z的Si1-zGez层并使所述Si1-zGez层弛豫以形成弛豫Si1-zGez层，由所述弛豫Si1-xGex层、超晶格和弛豫Si1-zGez层构成虚衬底；最后在所述弛豫Si1-zGez层上外延一Si层，以完成应变Si的制备。本发明通过降低制备应变Si所需的虚衬底厚度，大大节省了外延所需要的时间，不仅降低了外延所需要的成本，而且减少了由于长时间不间断进行外延而对外延设备造成的损伤。

公开(公告)号：CN101908472B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201010211441.8

申请日：2010-06-25

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  张正选 ,  邹世昌 ,  陈明 ,  毕大炜 ,  武爱民 ,  王湘 ,  张苗 ,  王曦 ,  林成鲁

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明提供了一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法，包括如下步骤：提供器件衬底和支撑衬底，所述器件衬底中具有腐蚀自停止层；选择在器件衬底和支撑衬底的一个或者两个的表面形成绝缘层；在绝缘层中注入纳米晶改性离子；通过绝缘层将器件衬底和支撑衬底键合在一起；实施键合后的退火加固；利用腐蚀自停止层将器件衬底减薄至目标厚度以在绝缘层表面形成器件层。本发明的优点在于，通过对工艺顺序的巧妙调整，在不影响其他工艺的前提下，将形成纳米晶所采用的离子注入的步骤调整在键合之前实施的，从而不会影响到器件层的晶格完整性，提高了所制备的SOI材料的晶体质量。

公开(公告)号：CN104752309A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201310732418.7

申请日：2013-12-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  陈达 ,  狄增峰 ,  薛忠营 ,  王刚 ,  母志强 ,  陆子同

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/76259

Abstract: 本发明提供一种剥离位置精确可控的绝缘体上材料的制备方法，包括以下步骤：S1：提供一Si衬底，在其表面外延生长一掺杂单晶层；所述掺杂单晶层厚度大于15nm；S2：在所述掺杂单晶层表面外延生长一单晶薄膜；S3：在所述单晶薄膜表面形成一SiO2层；S4：进行离子注入，使离子峰值分布在所述SiO2层以下预设范围内；S5：提供一表面具有绝缘层的基板与所述单晶薄膜表面的SiO2层键合形成键合片，并进行退火以使所述键合片在预设位置剥离，得到绝缘体上材料。本发明利用较厚掺杂单晶层对注入离子的吸附作用，并控制注入深度，使剥离界面为所述掺杂单晶层的上表面、下表面或其中离子分布峰值处，从而达到精确控制剥离位置的目的。