公开(公告)号：CN101388388A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810215389.6

申请日：2008-09-11

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 及川慎

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/40 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。为实现高耐压及大电流容量，一般需要确保增加晶体管单元数量，增大衬底尺寸。至少难以在维持现有特性的状态下实现半导体装置的小型化。本发明的半导体装置通过将具有两个安装区域的矩形头部对折而将两个半导体芯片与相对的安装区域固定，由此，在封装的安装面积维持以往的一个半导体芯片的面积的同时，可实现半导体芯片的积层结构，得到与两个半导体芯片相应的特性。因此，与半导体芯片是一个的情况相比，通过增加晶体管数量，能降低接通电阻，实现低电压驱动。另外，能够谋求增大电流。与将两个半导体芯片并排安装在头部上的情况相比，能够实现封装外形的安装面积的小型化。

公开(公告)号：CN101378247A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810146739.8

申请日：2008-08-27

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 盐田智基

IPC: H03F1/00 ,  H03F3/45

Abstract: 本发明提供一种低导体放大器，其利用小型电容器来得到较大的时间常数。在运算放大器(10)中，正输入端被输入输入信号，负输入端被反馈输出信号。设置由根据运算放大器(10)的输出来进行驱动的晶体管(Tr1)以及(Tr2)形成的差动放大器，利用该差动放大器的输出来对电容器(C)进行充放电。然后，对上述差动放大器的电流源进行脉冲驱动。

公开(公告)号：CN101373979A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810147215.0

申请日：2008-08-21

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 小林启二 ,  佐佐木文博

IPC: H04B1/06 ,  H03J1/00

CPC classification number: H04B1/1646 ,  H01L2924/0002 ,  H03J1/0008 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供无线电调谐器用的半导体装置及其制造方法。节省无线电调谐器系统用IC的调整作业的劳力。将内置有保持动作参数的寄存器(54)的无线电调谐器部(30)与内置有存储被预置在寄存器(54)中的数据的非易失性存储器(62)的电子调谐控制部(32)构成为一个调谐器系统IC(20)。通过该结构可在调谐器系统IC(20)的制造阶段对非易失性存储器(62)写入与相同封装内的无线电调谐器部(30)对应的数据。通过在调谐器系统IC(20)的封装后的成品检查中同时进行该非易失性存储器(62)的调整作业，可使该作业省工。在该检查中通常使用高速的半导体测试器，能够高速进行非易失性存储器(62)的调整作业。

公开(公告)号：CN101364026A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200810128883.9

申请日：2008-06-24

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 平山秀树

IPC: G03B5/00 ,  G02B27/64

CPC classification number: H04N5/23248

Abstract: 本发明提供一种防振控制电路，其根据摄像装置所具备的振动检测元件输出的信号，对使摄像装置所具备的光学部件移动的光学部件驱动元件进行控制，该防振控制电路包括：高通滤波器，其除去振动检测元件输出的信号的低频成分；移动量计算电路，其根据高通滤波器输出的信号，计算摄像装置的移动量；和伺服电路，其根据移动量计算电路的输出信号，生成补偿光学部件的位置的补偿信号并向光学部件驱动元件输出，移动量计算电路构成为包括数字滤波电路和寄存器，数字滤波器根据存储在寄存器内的滤波器系数进行滤波处理。因此，可以提供一种不使用CPU即可计算摄像装置的移动量，在降低耗电的同时获得抑制了手抖动的影像的高画面质量的视频信号的防振控制电路。

公开(公告)号：CN101360186A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810135102.9

申请日：2008-07-30

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 别府刚美 ,  韩峰

IPC: H04N5/202

Abstract: 本发明提供一种能够确保图像信号的振幅、并且能够提高中间亮度的伽马校正电路。根据输入图像信号Vin，生成与Vin成比例的基本成分信号和以比Vin大的增益发生变化的增强成分信号。差动放大电路(4)生成与Vin和基准电压Vp之差相应的电流Idf作为增强成分信号。当与Idf相应的电阻Rr的端子电压Ven超过Vh时限幅电路(6)进行动作，抑制Idf的增加，使Ven的变化平缓。加法电路(8)将基本成分信号和Ven相加并合成，生成输出图像信号Vout。由此，能够确保对于最大输入电平的Vout的振幅，并能够在Vin的中间电平的范围增加Vout。

公开(公告)号：CN101355106A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810131682.4

申请日：2008-07-23

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 松宫芳明 ,  畑本光夫

IPC: H01L29/80 ,  H01L29/423 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/808 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1066

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置。J－FET中由于栅极－源极间电压和漏极－源极间电压的关系导致耗尽层宽度不同，所以条状的情况下，漏极区域－栅极区域间的距离设定为大于源极区域－栅极区域间的距离。但是，为了提高正向转移导纳(gm)而将栅极区域格子状配置时，它们成为相同距离，存在维持耐压时箱面积增大的问题。本发明使栅极区域为具有第一多边形和比该第一多边形小的第二多边形的网状图案，在其内侧配置源极区域和漏极区域。这样，与栅极区域配置为条状的结构相比较，可增加正向转移导纳(gm)。另外，与栅极区域配置为格子状的情况相比较，可维持规定的耐压并将输入容量(Ciss)增加而引起的正向转移特性(增幅特性)的恶化抑制到最小。

公开(公告)号：CN101340175A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810126850.0

申请日：2008-07-01

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 吉富哲也 ,  原岛崇

IPC: H02P29/00

CPC classification number: H02P7/2913 ,  Y10S388/934

Abstract: 一种风扇马达速度控制电路、风扇装置及电子机器，其目的在于使风扇马达的旋转速度相对于风扇马达的目标旋转速度呈单值且线性地变化，并且改善风扇及风扇马达的P－Q特性。本发明的风扇马达速度控制电路具备：驱动电路，驱动风扇马达而使其在与驱动信号相应的旋转速度旋转；比较电路，根据与风扇马达的目标旋转速度相应的基准信号及与风扇马达的旋转速度相应的速度信号，而输出使风扇马达的旋转速度与目标旋转速度成一致的比较信号；以及选择电路，将与基准信号及比较信号之中以较高的旋转速度驱动风扇马达的信号相应的驱动信号输出至驱动电路。

公开(公告)号：CN101339958A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810129578.1

申请日：2008-07-02

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 大竹诚治 ,  武田安弘 ,  牧贤一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：在栅电极和引出部之间，以与槽部的另一侧面邻接的方式形成，并且以比槽部的下端部更向下方延伸的方式形成的第二导电型的第一杂质区域，该栅电极在以一侧面与源极区域及基极区域邻接的方式形成的槽部内隔着绝缘膜形成；该引出部是在槽部和基极区域的下方存在的漏极区域的引出部。

公开(公告)号：CN101311743A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810092974.1

申请日：2008-04-18

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 斋藤博 ,  金田安弘

IPC: G01R33/04

CPC classification number: G01R33/04

Abstract: 本发明提供一种具有高精度和稳定性的磁传感器的信号检测电路。其中包括：差动放大器，其被施加磁传感器的检测线圈的输出电压；比较器，其输出在所述差动放大器的输出电压中产生邻接的两个尖峰状电压的期间内为一方的逻辑电平的数字信号；和计数电路，其在所述比较器输出所述一方的逻辑电平的数字信号的期间进行计数动作；所述计数电路具有：第1计数器，其对规定频率的第1时钟进行计数；第2计数器，其对相对于所述第1时钟而言频率相同但相位不同的第2时钟进行计数，位数与所述第1计数器的位数相同；和加法器，其对所述第1计数器以及所述第2计数器的各计数值进行加法运算。

公开(公告)号：CN101304029A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810127733.6

申请日：2008-02-05

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 相马充 ,  畑博嗣 ,  天辰芳正

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/76

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。在现有的半导体装置中，由于构成ISO的P型埋入层的横向扩散宽度扩展等，存在ISO的形成区域难以变窄这样的问题。在本发明的半导体装置中，在P型基板(6)上形成2层的EPI(7)、(8)。在基板(6)及EPI(7)、(8)中形成ISO(1)、(2)、(3)，划分为多个岛。ISO(1)连结L－ISO(9)、M－ISO(10)及U－ISO(11)而形成。在L－ISO(9)和U－ISO(11)之间配置M－ISO(10)，使L－ISO(9)的横向扩散宽度(W1)变窄。通过该结构，使ISO(1)的形成区域变窄。