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公开(公告)号：CN102213919A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201010144358.3
申请日：2010-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/16
Abstract: 本发明涉及一种悬架结构光刻胶的涂胶方法，具有能够在沟槽、孔洞、微柱等结构上形成悬架结构，并用于光刻掩膜的特性。其具体步骤为：首先将少量一定浓度的光刻胶滴于极性溶液表面，使之在气-液界面自组装形成一定厚度的光刻胶膜，再将该光刻胶膜转移至已刻蚀出图形的半导体材料上，使之跨过沟槽和孔洞等形成悬架的光刻胶结构，之后对该光刻胶膜进行前烘、曝光、显影及后烘等步骤形成光刻图形。该光刻胶膜可实现刻蚀掩膜、牺牲层材料、胶保护等功能，其工艺过程简单、用料节省、成本低廉。
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公开(公告)号：CN102128953A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010583972.X
申请日：2010-12-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125 , B81B3/00
Abstract: 本发明涉及一种对称倾斜折叠梁结构电容式微加速度传感器。所述的加速度传感器由一个对称的中心质量块、外部支撑框架、中心质量块与外部支撑框架相连接的八根对称倾斜折叠梁结构以及上、下盖板组成。对称的中心质量块由顶端质量块和底端质量块键合组成，每根倾斜折叠梁的内脚连接在中心质量块侧面的顶端或底端，外脚连接在外部支撑框架内侧面，整个结构上下对称。本加速度传感器的特点是弹性梁采用对称倾斜折叠梁结构，同时具有一定的对称性，有效的抑制了传感器的交叉轴灵敏度。微加速度传感器采用微电子机械系统技术制作，使器件能够形成更大尺寸的敏感质量块，使器件具有高的分辨率和灵敏度。
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公开(公告)号：CN101567394B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910052205.3
申请日：2009-05-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/808 , B81B7/02 , B81C1/00 , H01L21/337 , G01B7/02
Abstract: 本发明涉及一种垂直环绕删结型场效应晶体管、制作方法及应用。所述的场效应管包括源区、漏区、环绕栅、敏感栅、沟道以及源漏区压焊块或金属引线组成，其中源区和漏区通过沟道连接，敏感栅和环绕栅相连，环绕栅包围沟道的上、左、右三面，沟道是垂直的；沟道与环绕栅形成一个Pn结；源、漏区通过压焊块或金属引线与外电路实现电学连接。所述的场效应晶体管与敏感结构制作在SOI硅片的顶层硅上，采用微机械加工方法同时制成。通过电容耦合实现对敏感结构的位移检测。
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公开(公告)号：CN101917174A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010244689.4
申请日：2010-08-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及亚微米间隙微结构的制作方法及其制作的微机械谐振器，其特征在于亚微米间隙不是通过光刻定义，而是通过氧化多晶硅薄膜来制作，亚微米间隙的大小由多晶硅薄膜上的间隙和氧化工艺在多晶硅薄膜上生长的氧化硅厚度共同决定，并且直接利用氧化硅作为掩膜，通过刻蚀将亚微米间隙转移到器件结构层上。由于无需亚微米级光刻，工艺难度及工艺成本大大降低，利用氧化硅直接作为掩膜则保证了将亚微米间隙转移到器件结构层上时亚微米间隙具有良好的陡直度。微机械谐振器制作工艺步骤包括氮化硅沉积，多晶硅条形成，多晶硅条氧化，氮化硅刻蚀，引线孔形成，金属引线及焊盘形成，器件结构释放。由于在微机械谐振器的间隙是亚微米级，谐振器的性能得到改善。
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公开(公告)号：CN101795505A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010110083.1
申请日：2010-02-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种具有网孔结构加热膜的低功耗微型加热器及其制作方法，其特征在于所提供的微型加热器具有特殊形状的网孔按照一定的规则排布形成具有网孔结构的加热膜，加热膜通过支撑悬梁与衬底框架相连，加热电阻丝以折线形式排布在加热膜上并通过支撑悬梁与衬底框架上的引线用电极相连。这种结构不但可以有效减少加热器加热膜区的热量向支撑悬梁的传导，进一步降低器件功耗，而且可以拓展加热器的制作方法。本发明所涉及的加热器特别适合在气体检测领域应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1866007B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200610026523.9
申请日：2006-05-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于检测由特异性分子结合产生表面应力的集成压阻二氧化硅悬臂梁超微量检测传感器、制作方法及应用，其特征在于采用SOI硅片的氧化埋层作为悬臂梁的主体，在上面构建薄层单晶硅压阻敏感器，压阻上面氧化形成薄二氧化硅。在悬臂梁表面淀积薄的贵金属层，其上自组装生长选择特异性识别的单分子敏感膜。在敏感膜分子与检测分子特异性结合时产生表面应力，引起悬臂梁弯曲，进而产生弯曲应力，该应力由位于悬臂梁上表面附近的压阻检测，并通过集成的电桥以电压信号输出。本发明是采用单硅片体微工艺实现单晶硅压阻结构，本发明的特点是器件灵敏度高、分辨率高，结构简单、制作简便。
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公开(公告)号：CN100573071C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200710173683.0
申请日：2007-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提出了一种MOS电容衬底的压阻结构及检测方法，以实现对纳米厚度梁的弯曲的压阻检测。本发明是在半导体纳米厚度梁上制作MOS电容结构。检测时在MOS电容上施加电压使MOS电容下纳米梁中形成强反型层与空间电荷区。不导电的空间电荷区使其下方的衬底电阻相对于梁中性面不对称，可以作为力敏电阻用于纳米梁的弯曲的测量。由于形成强反型层后，空间电荷区达到最大深度，MOS电容衬底力敏电阻的阻值不随栅极电压变化而变化，避免了现有的MOS沟道压阻结构中因负反馈引起的灵敏度下降，并且抗干扰能力强。提供的MOS电容衬底压阻结构也避免了纳米梁上制作力敏电阻所必需解决的重掺杂浅结制作难题。
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公开(公告)号：CN100562725C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN03151461.8
申请日：2003-09-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微机械热电堆红外探测器及其制造方法。其特征在于封闭膜结构是在硅基体上由各向异性腐蚀剂腐蚀后，留下侧壁为(111)慢腐蚀面的腔体，在腔的顶部留下一层复合介质膜，在该膜上有热堆的热结区，位于红外吸收区附近，冷结区在硅基体上；悬梁支撑膜腔基本结构与此相同，仅悬梁一端固支，与硅基体相连；另外一端仅有两点与基体相连。制造工艺关键是通过采用键合技术与与硅腐蚀减薄技术相结合制作Si/SiO2/Si3N4/Si结构，形成膜/腔结构。本发明摒弃了以往正反两面对准光刻技术，简化了工艺而且使制造出器件间距可适当减少，提高器件占空比和成品率。
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公开(公告)号：CN100562484C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200710041875.6
申请日：2007-06-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种以硅各向异性腐蚀为关键技术制造的悬臂梁结构和制作方法，属于微电子机械系统领域。其特征在于，悬臂梁的断面为五边形，悬臂梁上表面为单晶硅(100)晶面，悬臂梁下表面由两个(111)晶面组成。悬臂梁结构是由各向异性腐蚀出来的，由(111)面作为腐蚀终止面，自动终止硅悬臂梁的腐蚀，悬臂梁结构可精确控制，使得悬臂梁的制造成品率大大提高。本发明可应用于多种MEMS器件的结构中，如电容式加速度传感器、电阻式加速度传感器、微机械陀螺、谐振器等，可以大大提高器件制作工艺的控制水平，提高器件制作的成品率。
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公开(公告)号：CN101476941A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810202157.7
申请日：2008-11-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种集成微机械热电堆红外探测系统及制作方法，所述的系统包括热电堆探测器和信号处理电路两大部分。其中信号处理电路包括前置放大器，带通滤波器，主放大器和振荡器四部分。特征在于实现了热电堆探测器和信号处理电路的单片集成设计和制作。使用标准的CMOS工艺同时制作热电堆探测器和信号处理电路，实现了MEMS传感器和CMOS电路的兼容。系统中的热电堆探测器结构，包括(硅)基体，框架，热电偶，支撑臂，红外吸收层，腐蚀开口等六部分；中间悬浮的红外吸收层可以带有不同形状的腐蚀开口，干法刻蚀工作气体通过腐蚀开口进入衬底腐蚀硅释放结构。系统中的信号处理电路结构使用了斩波技术削弱低频噪声对信号的影响。
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