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公开(公告)号：CN1866007B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200610026523.9
申请日：2006-05-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于检测由特异性分子结合产生表面应力的集成压阻二氧化硅悬臂梁超微量检测传感器、制作方法及应用，其特征在于采用SOI硅片的氧化埋层作为悬臂梁的主体，在上面构建薄层单晶硅压阻敏感器，压阻上面氧化形成薄二氧化硅。在悬臂梁表面淀积薄的贵金属层，其上自组装生长选择特异性识别的单分子敏感膜。在敏感膜分子与检测分子特异性结合时产生表面应力，引起悬臂梁弯曲，进而产生弯曲应力，该应力由位于悬臂梁上表面附近的压阻检测，并通过集成的电桥以电压信号输出。本发明是采用单硅片体微工艺实现单晶硅压阻结构，本发明的特点是器件灵敏度高、分辨率高，结构简单、制作简便。
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公开(公告)号：CN1866007A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610026523.9
申请日：2006-05-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于检测由特异性分子结合产生表面应力的集成压阻二氧化硅悬臂梁超微量检测传感器、制作方法及应用，其特征在于采用SOI硅片的氧化埋层作为悬臂梁的主体，在上面构建薄层单晶硅压阻敏感器，压阻上面氧化形成薄二氧化硅。在悬臂梁表面淀积薄的贵金属层，其上自组装生长选择特异性识别的单分子敏感膜。在敏感膜分子与检测分子特异性结合时产生表面应力，引起悬臂梁弯曲，进而产生弯曲应力，该应力由位于悬臂梁上表面附近的压阻检测，并通过集成的电桥以电压信号输出。本发明是采用单硅片体微工艺实现单晶硅压阻结构，本发明的特点是器件灵敏度高、分辨率高，结构简单、制作简便。
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