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公开(公告)号：CN107644665B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201710583029.0
申请日：2017-07-17
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G11C15/04
Abstract: 本发明提供了一种可以降低功耗的半导体器件。该半导体器件包括：多个子块，每一个都包括存储单元阵列；以及多个子搜索单元，与对应的子块相对应。在存储在存储单元阵列的每一行中的数据中，每个子块根据搜索指示搜索与输入搜索数据匹配的数据，并针对每一行输出表示命中或未命中的搜索结果。每个子搜索单元都包括标记数据生成部和搜索部，标记数据生成部基于存储在对应存储单元阵列中的数据生成用于预搜索的标记数据以与输入搜索数据的一部分进行比较，搜索部将输入搜索数据的一部分与由标记数据生成部生成的标记数据进行比较，并且基于比较结果向对应的子块输出搜索指示。
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公开(公告)号：CN107402892B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201710343722.0
申请日：2017-05-16
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G06F12/14
Abstract: 在现有技术的半导体器件中存以下问题：不能针对在主算术单元中执行的程序使用的子算术单元对共享存储器的访问执行存储器保护。根据一个实施例，半导体器件包括：子算术单元，被配置为执行主算术单元执行的程序的一部分的处理，以及由主算术单元和子算术单元共享的共享存储器，其中所述子算术单元包括：存储器保护单元，被配置为基于从所述主算术单元提供的访问允许范围地址值来允许或禁止对所述共享存储器的访问，对所述共享存储器的访问是由子算术单元执行的处理产生的访问。
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公开(公告)号：CN108807208B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201810383978.9
申请日：2013-03-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L23/488 , H01L23/522 , H01L27/06
Abstract: 公开了一种半导体装置。在半导体基板(SB)上隔着第1绝缘膜地形成线圈(CL1)，以覆盖第1绝缘膜以及线圈(CL1)的方式形成第2绝缘膜，在第2绝缘膜上形成有焊盘(PD1)。在第2绝缘膜上形成有具有使焊盘(PD1的一部分露出的开口部(OP1)的层叠膜(LF)，在所述层叠绝缘膜上形成有线圈(CL2)。线圈(CL2)配置在线圈(CL1)的上方，线圈(CL2)与线圈(CL1)进行磁耦合。层叠膜(LF)由氧化硅膜(LF1)、其上的氮化硅膜(LF2)、以及其上的树脂膜(LF3)构成。
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公开(公告)号：CN109698120B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201811145953.1
申请日：2018-09-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 山本芳树
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H10B43/30 , H10B41/30 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法。提高半导体器件的可靠性。第一绝缘膜和保护膜被形成在半导体衬底上。第一区域的所述第一绝缘膜和所述保护膜选择性地被移除，并且绝缘膜被形成在暴露的半导体衬底上。在第二区域、第三区域和第四区域中的所述第一绝缘膜覆盖有所述保护膜的状态下，所述半导体衬底在包含氮的气氛中被热处理，从而将氮引入到在所述第一区域中的所述半导体衬底与所述第二绝缘膜之间的所述界面。换句话说，氮引入点被形成在所述半导体衬底与所述第二绝缘膜之间的所述界面上。在该配置中，所述保护膜用作防氮化膜。
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公开(公告)号：CN109150032B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201810674976.5
申请日：2018-06-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H02P6/24
Abstract: 电机驱动装置和电机系统。当制动电流流动时，PWM调制电路控制三相低侧晶体管(u、v和w)全部成为导通状态，在制动电流在一个相位中流动的时段中控制这一个相位的用于感测的晶体管(u、v和w)成为导通状态，并且在两个相位的时段中控制三个相位的用于感测的晶体管(u、v和w)成为断开状态。当制动电流流动时，三相感测相位控制电路在制动电流在吸收方向上的时段中控制用于感测的晶体管(u、v和w)成为导通状态，并且在制动电流在相反方向上的时段中控制用于感测的晶体管(u、v和w)成为断开状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108696201B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201810164308.8
申请日：2018-02-28
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 马达驱动装置、方法和程序。实现了初始位置确定处理和旋转驱动处理这二者。马达包括具有有多个磁极的永磁体的转子以及具有有多个相位的线圈的定子。电压信号产生部分产生与流过定子的具有相位的每个线圈的电流相对应的电压信号。滤波器部分包括第一滤波器和第二滤波器。电压信号通过滤波器部分输入到比较器。控制部分进行控制，使得当执行转子的初始位置确定处理时选择滤波器常数较大的第一滤波器，并且当执行旋转驱动处理时选择滤波器常数较小的第二滤波器。
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公开(公告)号：CN108123718B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201711128513.0
申请日：2017-11-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H04N25/772 , H03M1/46
Abstract: 本申请涉及固态成像器件。提供了能够提高A/D转换器的速度的固态成像器件。固态成像器件包括对模拟像素信号执行A/D转换的逐次逼近A/D转换器。该转换器包括D/A转换器、比较器和逐次逼近寄存器。D/A转换器将数字参考信号转换为模拟参考信号。逐次逼近寄存器基于比较器的比较结果操作，以使模拟参考信号近似于模拟像素信号的方式生成数字参考信号。D/A转换器包括分离电容器、第一电容器、第二电容器、开关阵列、第三电容器和多路复用器。
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公开(公告)号：CN108122585B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201711229048.X
申请日：2017-11-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 冈山昌太
IPC: G11C16/14
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其解决在将电压设定表存储于非易失性存储器的存储器区域的情况下该区域会增大的课题。半导体器件具备存储器装置、和控制所述存储器装置的控制装置。所述存储器装置由非易失性存储器元件构成，具备存储改写所需的设定信息的存储器、具有第一寄存器及改写结束标志的第一控制电路、和生成改写电压的电源电路。所述控制装置具备具有改写开始标志的第二控制电路、基于所述改写开始标志及所述改写结束标志来测量改写电压施加时间的计数器、基于所述改写电压施加时间来存储下一改写电压的第二寄存器。所述控制装置在接收到改写所述存储器的指令的情况下，读出所述存储器内的改写所需的设定信息，对所述第一寄存器进行回写。
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公开(公告)号：CN107481747B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201710379264.6
申请日：2017-05-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及多端口存储器、存储宏和半导体器件。一种多端口存储器包括地址控制电路、存储阵列、数据输入‑输出电路和控制电路，并且通过两个端口输入第一和第二地址信号以及时钟信号。地址控制电路包括第一和第二锁存电路、选择电路、解码电路和字线驱动电路。通过一个端口输入的第一地址信号被输入至第一锁存电路，并且通过另一端口输入的第二地址信号被输入至选择电路。选择电路选择第一和第二地址信号中的一个，第二锁存电路锁存所选地址信号并将所选地址信号输出至解码电路。字线驱动电路基于来自解码电路的输出信号驱动字线。
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公开(公告)号：CN107123652B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201710040163.6
申请日：2017-01-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 三原竜善
IPC: H10B43/30 , H10B43/35 , H01L29/792
Abstract: 本发明涉及半导体装置以及用于制造半导体装置的方法。半导体装置包括包含主表面的半导体衬底、形成在主表面上方的元件分离膜以及从元件分离膜突出并且在平面视图中的第一方向上延伸的鳍。半导体装置进一步包括控制栅极电极和存储器栅极电极，其中控制栅极电极通过栅极绝缘膜沿着鳍的表面在与第一方向垂直的第二方向上延伸，并且与元件分离膜的第一主表面重叠，存储器栅极电极通过绝缘膜沿着鳍的表面在第二方向上延伸并且与元件分离膜的第二主表面重叠，其中相对于主表面，第二主表面低于第一主表面。
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