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公开(公告)号：CN106655910B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201610968392.X
申请日：2016-10-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 提供了电机驱动设备和电机系统。优化电机的驱动电流的相位。相位算术单元PHCAL基于规定的算术表达式来计算驱动电压相位θdrv，以使在基准电压相位θbemf和基准电流相位θi之间的相位差收敛为零。相位校正单元PHCP通过将校正值加到相位θdrv来确定校正后的相位θdrvR，并且通过反馈控制来更新校正值的幅值，以便于将在被输入的基准电压θbemf和基准电流相位θi之间的相位差收敛到规定值。PWM控制器基于所校正的相位θdrvR来使与基准电压相位θbemf同步的激励控制计时位移，并且生成用于将驱动电压控制为正弦波形的PWM信号。
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公开(公告)号：CN105897075B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201511004478.2
申请日：2015-12-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H02P6/10
Abstract: 本发明涉及一种电机驱动方法、电机驱动装置以及硬盘装置。本发明用于减小电机的噪声和振动。第一占空校正电路生成第一校正后占空指示值，其以与占空指示值的增量相同的增量变化，并且在其中作为常数的偏移值被反映。第二占空校正电路生成第二校正后占空指示值，其以与占空指示值的增量不同的增量变化。选择器根据占空指示值和占空参考值之间的大小关系，输出第一校正后占空指示值和第二校正后占空指示值中的任一个作为校正后占空指示值。
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公开(公告)号：CN106655910A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610968392.X
申请日：2016-10-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H02P6/182 , G11B19/20 , G11B19/2054 , G11B19/2072 , H02P21/22 , H02P27/08 , H02P6/08 , H02P6/10
Abstract: 提供了电机驱动设备和电机系统。优化电机的驱动电流的相位。相位算术单元PHCAL基于规定的算术表达式来计算驱动电压相位θdrv，以使在基准电压相位θbemf和基准电流相位θi之间的相位差收敛为零。相位校正单元PHCP通过将校正值加到相位θdrv来确定校正后的相位θdrvR，并且通过反馈控制来更新校正值的幅值，以便于将在被输入的基准电压θbemf和基准电流相位θi之间的相位差收敛到规定值。PWM控制器基于所校正的相位θdrvR来使与基准电压相位θbemf同步的激励控制计时位移，并且生成用于将驱动电压控制为正弦波形的PWM信号。
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公开(公告)号：CN104916296A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510111910.1
申请日：2015-03-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G11B19/20
CPC classification number: G11B5/54 , G11B5/5534 , G11B5/5573 , G11B21/12 , H02P6/17 , H02P6/182 , H02P25/034
Abstract: 本发明涉及半导体集成电路及其操作方法。本发明实现了在不采用外部CPU进行数字校正的情况下检测电动机速度的校准操作。当零电流流过电动机时并且当臂固定时，校准操作计算与反EMF检测器电路的反EMF检测信号对应的比较基准值。因此，响应于流过电动机的非零电流，将反EMF检测器电路的反EMF检测信号设置为第一值和第二值，并且半导体集成电路从第一值和第二值计算比较基准值。通过由调节单元调节反EMF检测器电路的内部放大器的增益，减小作为反EMF检测器电路的反EMF检测信号的比较输入值和比较基准值之差。
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公开(公告)号：CN113346803A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110198179.6
申请日：2021-02-22
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H02P6/182
Abstract: 本公开涉及一种半导体装置以及使用半导体装置的电极驱动系统。一种栅极驱动半导体装置包括：被供应PWM控制信号的外部端子；输出驱动信号以驱动三相BLDC电机的外部端子；被供应反电动势电压的外部端子，反电动势电压通过驱动三相BLDC电机而生成；零交叉确定单元，基于PWM控制信号和反电动势电压来生成中断信号，中断信号指示反电动势电压与三相BLDC电机的中点电势相交的定时；以及输出中断信号的外部端子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110033794B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201910223030.1
申请日：2015-03-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G11B5/55 , H02P6/182 , H02P6/17 , H02P25/034
Abstract: 本发明涉及半导体集成电路及其操作方法。本发明实现了在不采用外部CPU进行数字校正的情况下检测电动机速度的校准操作。当零电流流过电动机时并且当臂固定时，校准操作计算与反EMF检测器电路的反EMF检测信号对应的比较基准值。因此，响应于流过电动机的非零电流，将反EMF检测器电路的反EMF检测信号设置为第一值和第二值，并且半导体集成电路从第一值和第二值计算比较基准值。通过由调节单元调节反EMF检测器电路的内部放大器的增益，减小作为反EMF检测器电路的反EMF检测信号的比较输入值和比较基准值之差。
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公开(公告)号：CN104916296B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201510111910.1
申请日：2015-03-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G11B19/20
Abstract: 本发明涉及半导体集成电路及其操作方法。本发明实现了在不采用外部CPU进行数字校正的情况下检测电动机速度的校准操作。当零电流流过电动机时并且当臂固定时，校准操作计算与反EMF检测器电路的反EMF检测信号对应的比较基准值。因此，响应于流过电动机的非零电流，将反EMF检测器电路的反EMF检测信号设置为第一值和第二值，并且半导体集成电路从第一值和第二值计算比较基准值。通过由调节单元调节反EMF检测器电路的内部放大器的增益，减小作为反EMF检测器电路的反EMF检测信号的比较输入值和比较基准值之差。
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公开(公告)号：CN109150032A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810674976.5
申请日：2018-06-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H02P6/24
CPC classification number: H02P3/12 , G11B5/54 , G11B15/46 , G11B19/2009 , G11B19/28 , H02P3/22 , H02P6/24 , H02P7/025 , H02P7/29 , H02P7/293 , H02P29/68 , H02P2205/01
Abstract: 电机驱动装置和电机系统。当制动电流流动时，PWM调制电路控制三相低侧晶体管(u、v和w)全部成为导通状态，在制动电流在一个相位中流动的时段中控制这一个相位的用于感测的晶体管(u、v和w)成为导通状态，并且在两个相位的时段中控制三个相位的用于感测的晶体管(u、v和w)成为断开状态。当制动电流流动时，三相感测相位控制电路在制动电流在吸收方向上的时段中控制用于感测的晶体管(u、v和w)成为导通状态，并且在制动电流在相反方向上的时段中控制用于感测的晶体管(u、v和w)成为断开状态。
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公开(公告)号：CN116488515A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310055552.1
申请日：2023-01-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体设备、电机驱动系统及其控制方法。该半导体设备包括：电流检测电路，被配置为通过驱动电路的驱动来检测流过三相电机的电流；以及控制器，其被配置为基于检测到的电流来控制驱动电路。控制器被配置为在三相电机静止时控制通电模式，以使得检波电流从驱动电路顺序地流向三相电机的每个相位，从而从由电流检测电路检测到的所述检波电流中获得第一相间电流差、第二相间电流差和第三相间电流差，其中的每个是在彼此相反的方向上流动的检波电流之间的差异，基于第一、第二和第三相间电流差之间的幅值关系来确定通电模式。
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公开(公告)号：CN109150032B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201810674976.5
申请日：2018-06-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H02P6/24
Abstract: 电机驱动装置和电机系统。当制动电流流动时，PWM调制电路控制三相低侧晶体管(u、v和w)全部成为导通状态，在制动电流在一个相位中流动的时段中控制这一个相位的用于感测的晶体管(u、v和w)成为导通状态，并且在两个相位的时段中控制三个相位的用于感测的晶体管(u、v和w)成为断开状态。当制动电流流动时，三相感测相位控制电路在制动电流在吸收方向上的时段中控制用于感测的晶体管(u、v和w)成为导通状态，并且在制动电流在相反方向上的时段中控制用于感测的晶体管(u、v和w)成为断开状态。
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