公开(公告)号：CN108123718B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201711128513.0

申请日：2017-11-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 松本修 ,  森下玄

IPC: H04N25/772 ,  H03M1/46

Abstract: 本申请涉及固态成像器件。提供了能够提高A/D转换器的速度的固态成像器件。固态成像器件包括对模拟像素信号执行A/D转换的逐次逼近A/D转换器。该转换器包括D/A转换器、比较器和逐次逼近寄存器。D/A转换器将数字参考信号转换为模拟参考信号。逐次逼近寄存器基于比较器的比较结果操作，以使模拟参考信号近似于模拟像素信号的方式生成数字参考信号。D/A转换器包括分离电容器、第一电容器、第二电容器、开关阵列、第三电容器和多路复用器。

公开(公告)号：CN108123718A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711128513.0

申请日：2017-11-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 松本修 ,  森下玄

IPC: H03M1/46 ,  H04N5/3745

CPC classification number: H04N5/378 ,  H03M1/123 ,  H03M1/46 ,  H03M1/466 ,  H03M1/682 ,  H03M1/765 ,  H04N5/37455 ,  H03M1/462

Abstract: 本申请涉及固态成像器件。提供了能够提高A/D转换器的速度的固态成像器件。固态成像器件包括对模拟像素信号执行A/D转换的逐次逼近A/D转换器。该转换器包括D/A转换器、比较器和逐次逼近寄存器。D/A转换器将数字参考信号转换为模拟参考信号。逐次逼近寄存器基于比较器的比较结果操作，以使模拟参考信号近似于模拟像素信号的方式生成数字参考信号。D/A转换器包括分离电容器、第一电容器、第二电容器、开关阵列、第三电容器和多路复用器。

公开(公告)号：CN105915808A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610096555.X

申请日：2016-02-22

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 松本修 ,  森下玄

IPC: H04N5/235 ,  H04N5/351 ,  H04N5/374

CPC classification number: H04N5/378 ,  H04N5/3658 ,  H04N5/235 ,  H04N5/351 ,  H04N5/374

Abstract: 本发明涉及固态摄像装置。在CMOS图像传感器中，多个偏置电路分散地布置在与像素阵列的各列对应的列电路的布置区域中。各偏置电路基于输入的参考电流产生偏置电压并且将产生的偏置电压供应到布置在附近的对应的列电路10。由此，减少因列电路的接地线的IR压降造成的被摄图像的亮度不均匀。