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公开(公告)号：CN104243866A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410255604.0
申请日：2014-06-10
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
CPC classification number: H03M1/468 , H03M1/38 , H03M1/46 , H03M1/804 , H04N5/374 , H04N5/37455 , H04N5/378
Abstract: 本发明提供了一种小尺寸廉价固态成像装置。包括在固态成像装置的逐次比较型A/D转换器中的D/A转换器包括多路复用器，当执行粗略A/D转换时，选择参考电压VR0至VR16的任一个并且设置其作为模拟参考信号，以及当执行精细A/D转换时，选择参考电源VR0至VR16的参考电压VR(n-1)至VR(n+2)；以及包括电容器阵列，当执行精细A/D转换时，基于参考电压VR(n-1)至VR(n+2)而生成模拟参考信号。因此能够不使用冗余电容器而减小参考电压的建立误差。
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公开(公告)号：CN117997342A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311358870.1
申请日：2023-10-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 提高了波形传感器中的采样频率。提供了一种电路，该电路包括第一电路、第二电路和控制器，第一电路和第二电路各自包括采样保持电路和模数转换器电路，采样保持电路被配置为保持特定定时的输入信号的电平，模数转换器电路被配置为将保持在采样保持电路中的输入信号的电平转换为数字数据并且输出数字数据，控制器被配置为使第一电路输出第一定时的输入信号的电平并且使第二电路输出第二定时的输入信号的电平。
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公开(公告)号：CN116073828A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211339125.8
申请日：2022-10-28
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03M1/10
Abstract: 本公开涉及半导体设备及其控制方法。一种半导体设备，包括：被设置有多个电流单元的数模转换器；以及电连接至数模转换器以测试数模转换器的测试电路。测试电路包括：电荷信息保持电路，通过多个电流单元中的至少一个或多个电流单元将根据第一电流的第一电荷与根据第二电流的第二电荷之间的差值保持为差分电荷信息；参考电压生成电路，生成作为比较对象的参考电压；以及比较电路，将根据差分电荷信息的确定电压与参考电压进行比较，以输出比较结果。
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公开(公告)号：CN115514904A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210704531.3
申请日：2022-06-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及固态图像感测设备。提供了一种能够在低照度下提高线性度的技术。一种固态图像感测设备包括：包括以矩阵形式布置的多个像素、和连接到多个像素并且接收从多个像素提供的像素信号的多个像素信号线的像素阵列；连接到多个像素信号线的列并行A/D转换电路；以及生成随时间推移线性变化的斜坡波状参考电压的参考电压生成电路。列并行A/D转换电路包括第一A/D转换器，该第一A/D转换器包括：连接到像素信号线的第一输入端子；接收参考电压的第二输入端子；以及连接到第一输入端子并且为第一输入端子生成偏移电压的偏移生成电路。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN104243866B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201410255604.0
申请日：2014-06-10
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
CPC classification number: H03M1/468 , H03M1/38 , H03M1/46 , H03M1/804 , H04N5/374 , H04N5/37455 , H04N5/378
Abstract: 本发明提供了一种小尺寸廉价固态成像装置。包括在固态成像装置的逐次比较型A/D转换器中的D/A转换器包括多路复用器，当执行粗略A/D转换时，选择参考电压VR0至VR16的任一个并且设置其作为模拟参考信号，以及当执行精细A/D转换时，选择参考电源VR0至VR16的参考电压VR(n‑1)至VR(n+2)；以及包括电容器阵列，当执行精细A/D转换时，基于参考电压VR(n‑1)至VR(n+2)而生成模拟参考信号。因此能够不使用冗余电容器而减小参考电压的建立误差。
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公开(公告)号：CN108123718A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711128513.0
申请日：2017-11-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03M1/46 , H04N5/3745
CPC classification number: H04N5/378 , H03M1/123 , H03M1/46 , H03M1/466 , H03M1/682 , H03M1/765 , H04N5/37455 , H03M1/462
Abstract: 本申请涉及固态成像器件。提供了能够提高A/D转换器的速度的固态成像器件。固态成像器件包括对模拟像素信号执行A/D转换的逐次逼近A/D转换器。该转换器包括D/A转换器、比较器和逐次逼近寄存器。D/A转换器将数字参考信号转换为模拟参考信号。逐次逼近寄存器基于比较器的比较结果操作，以使模拟参考信号近似于模拟像素信号的方式生成数字参考信号。D/A转换器包括分离电容器、第一电容器、第二电容器、开关阵列、第三电容器和多路复用器。
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公开(公告)号：CN105915808A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610096555.X
申请日：2016-02-22
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H04N5/378 , H04N5/3658 , H04N5/235 , H04N5/351 , H04N5/374
Abstract: 本发明涉及固态摄像装置。在CMOS图像传感器中，多个偏置电路分散地布置在与像素阵列的各列对应的列电路的布置区域中。各偏置电路基于输入的参考电流产生偏置电压并且将产生的偏置电压供应到布置在附近的对应的列电路10。由此，减少因列电路的接地线的IR压降造成的被摄图像的亮度不均匀。
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公开(公告)号：CN119906911A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411494842.7
申请日：2024-10-24
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 森下玄
IPC: H04N25/633 , H03M1/12 , H04N25/571 , H04N25/773 , H04N25/779
Abstract: 本公开涉及半导体设备、用于控制半导体设备的方法和控制程序。根据本公开的半导体设备包括：比较器电路；计数器电路；以及锁存电路，该锁存电路在比较器电路的输出信号改变的时刻存储计数器电路的计数值，计数器电路包括：多相信号发生器；以及多个触发器电路，该多个触发器电路包括第一级触发器和第二级触发器及后续触发器，第一级触发器接收末级中的触发器的输出信号的反相信号，并且第二级触发器及后续触发器中的每一者与多个时钟信号中的每一者同步地接收前级中的触发器的输出信号，并且多个触发器电路中的每一者的输出信号被输出作为计数值的计数信号。
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