公开(公告)号：CN101577079A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200910139189.1

申请日：2009-05-11

申请人： NEC液晶技术株式会社

发明人： 高取宪一

IPC分类号： G09G3/00 ,  G01R31/305

CPC分类号： G09G3/006

摘要： 提供一种显示装置的检查方法和检查装置、显示装置用基板和显示装置，上述显示装置的检查方法和检查装置能够高效且高精度地检查具有非矩形显示区域的显示装置。用具有非矩形显示区域的显示装置的设计信息，指定检查区域及分析区域。并且用设计信息求出寄生电容等，对检查数据或进行优劣判断的阈值进行加权运算而进行检查。

公开(公告)号：CN101116002A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200680004084.X

申请日：2006-01-24

申请人： 法商柏奈德公司

发明人： 克里斯多弗·沃彻 ,  皮耶尔·班奈奇

IPC分类号： G01R31/308 ,  G01R31/305

CPC分类号： G01R31/305 ,  G01R31/307 ,  G01R31/308 ,  G01R31/311

摘要： 本发明涉及一种为以测试或测量电气元件(2－1)之方法，其包含如下步骤：将第一粒子束(4－1)施加于电气元件之第一位置(3－1)，以自该第一位置处释放电子；将第二粒子束(4－2)施加于电气元件之第二位置(3－2)，而相关于施加该第一粒子束(4－1)具有非零之时间位移(Δt)，以自该第二位置处释放电子；收集在该第一及该第二粒子束之效应下所释放出的电子；以及测量至少对应于该第二粒子束之效应下而释放的所收集电子之电荷数量；以及按定量方式或定性方式自此引发出该电气元件之电气特性。

公开(公告)号：CN1849497A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200480025993.2

申请日：2004-07-12

申请人： 应用材料以色列公司

发明人： Z·罗森伯格 ,  O·梅纳德瓦 ,  A·丹

IPC分类号： G01B15/04 ,  H01J37/28 ,  G01R31/305

CPC分类号： H01J37/1478 ,  G01B15/04 ,  G01N23/2251 ,  G01R31/307 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/24578 ,  H01J2237/2487 ,  H01J2237/2611 ,  H01J2237/2814 ,  H01J2237/2816 ,  H01J2237/2817

摘要： 本发明涉及一种系统和方法，其用于测定具有次微米横断面的被测元件的横断面特征，该横断面是由位于第一断面(first traverse section)及第二断面(first traverse section)之间的中间面(intermediate section)所定义。该方法的第一步骤是以第一倾斜状态扫描一参考结构元件的第一部分及被测元件的至少第一断面，用以决定该参考结构元件与该第一断面之间的第一关系。第二步骤是以第二倾斜状态扫描参考结构元件的第二部分，及扫描被测元件的至少第二断面，用以决定该参考结构元件与该第二断面之间的第二关系。第三步骤为根据该第一及第二关系决定该被测元件的横断面特征。

公开(公告)号：CN1628381A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN03803198.1

申请日：2003-01-27

申请人： 应用材料以色列有限公司 ,  应用材料有限公司

发明人： 班祖恩·森德尔 ,  奥菲尔·卓尔 ,  盖伊·艾坦

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01J37/28 ,  G01B15/04 ,  G01R31/305 ,  G01R31/265 ,  G01N23/22

CPC分类号： H01J37/28 ,  G01N23/22 ,  H01J2237/2817

摘要： 一种用于扫描图形的设备和方法。本方法包括：(i)引导该带电粒子束，使之沿第一扫描路径与图形相互作用，和(ii)引导该带电粒子束，使之沿第二扫描路径与图形相互作用。图形作为与带电粒子束相互作用的结果，改变它的一种特性。第一与第二扫描路径之间的距离，可以大于带电电子束的直径。第一与第二扫描路径中的每一路径，可以包括许多相继的抽样，且第一与第二扫描路径之间的距离，可以大于相邻抽样之间的距离。扫描路径的位置，可以在测量中改变，并特别是在各测量期间之间改变。带电粒子束可以有椭圆形横截面。

公开(公告)号：CN112534358B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201980052227.1

申请日：2019-06-28

申请人： 柏林工业大学

发明人： 托尔加·瓦格纳 ,  米夏埃尔·莱曼 ,  托雷·尼尔曼

IPC分类号： G03H5/00 ,  G03H1/22 ,  G01R31/305 ,  H01J37/26

摘要： 本发明涉及一种用于检测测量值(M)的方法。根据本发明设置的是，将具有或不具有叠加的直流分量(Uoffset)的、具有预给定的激励频率(f)的正弦的激励信号(Ue)馈送给元器件(100、C)的输入端，执行至少一个电子全息术测量步骤，在其中，将电子束(Se)对准元器件(100、C)，该电子束穿过和/或经过元器件(100、C)，并且随后与参考电子束(Sr)叠加，并且测量在预给定的测量窗(F)期间通过两个电子束(Se、Sr)的干涉产生的电子全息图影(EHG)并且由此获知相位图像(PB)，并且根据相位图像(PB)形成测量值(M)，其中，电子全息术测量步骤的测量窗(F)的时间长度(Tf)小于正弦的激励信号(Ue)的周期持续时间(T)的一半。

公开(公告)号：CN112534358A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201980052227.1

申请日：2019-06-28

申请人： 柏林工业大学

发明人： 托尔加·瓦格纳 ,  米夏埃尔·莱曼 ,  托雷·尼尔曼

IPC分类号： G03H5/00 ,  G03H1/22 ,  G01R31/305 ,  H01J37/26

摘要： 本发明涉及一种用于检测测量值(M)的方法。根据本发明设置的是，将具有或不具有叠加的直流分量(Uoffset)的、具有预给定的激励频率(f)的正弦的激励信号(Ue)馈送给元器件(100、C)的输入端，执行至少一个电子全息术测量步骤，在其中，将电子束(Se)对准元器件(100、C)，该电子束穿过和/或经过元器件(100、C)，并且随后与参考电子束(Sr)叠加，并且测量在预给定的测量窗(F)期间通过两个电子束(Se、Sr)的干涉产生的电子全息图影(EHG)并且由此获知相位图像(PB)，并且根据相位图像(PB)形成测量值(M)，其中，电子全息术测量步骤的测量窗(F)的时间长度(Tf)小于正弦的激励信号(Ue)的周期持续时间(T)的一半。

公开(公告)号：CN103649764B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201280035123.8

申请日：2012-07-10

申请人： 奥宝科技股份有限公司 ,  烽腾科技有限公司

发明人： A·凯帝谢微奇 ,  O·卡达 ,  A·格雷勒 ,  R·骆文格 ,  A·葛罗斯 ,  D·托特

IPC分类号： G01R31/305

CPC分类号： G01R1/072 ,  G01R31/305 ,  H01J33/00 ,  H01J2237/164

摘要： 本发明提供一种非机械性接触信号测量装置，其包括：位于待测结构上的第一导体以及接触所述第一导体的气体。至少一电子束被引导至所述气体中，以在所述至少一电子束穿过所述气体之处在所述气体中形成等离子体。第二导体电性接触所述等离子体。当所述等离子体被引导于所述第一导体上时，信号源经由所述第一导体、所述等离子体及所述第二导体耦接至电性测量设备。所述电性测量设备可响应于所述信号源。

公开(公告)号：CN106443420A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610783052.X

申请日：2016-08-30

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 彭宇 ,  马宁 ,  王少军 ,  刘大同 ,  厉明坤 ,  彭喜元

IPC分类号： G01R31/305 ,  G01R31/3181 ,  G01R31/319

摘要： 本发明涉及一种空间飞行器信息处理单元辐射退化测量装置及方法，为了解决现有技术的测试方法需要外接测量设备，不适合卫星上的实际使用情况的问题，本发明提出一种空间飞行器信息处理单元辐射退化测量装置，包括环振组、输出选择开关、计数器、定时器、测量控制模块以及输出总线接口，输出选择开关用于从所有环振单元中选择一个为计数器提供频率信号，频率信号用于反映FPGA器件的退化程度；定时器达到定时时长后，向计数器及测量控制模块发送停止信号；测量控制模块能够向计数器以及定时器发送启动信号；输出总线接口用于将测量控制模块中的频率信号读取至总线。本发明还包括一种空间飞行器信息处理单元辐射退化测量方法。本发明适用于空间飞行器。

公开(公告)号：CN102353890B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201110162098.7

申请日：2007-03-12

申请人： 应用材料公司

发明人： R·施米特 ,  T·施韦德斯

IPC分类号： G01R31/305

CPC分类号： G01R31/305 ,  G09G3/006 ,  G09G3/3648 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/2594

摘要： 本发明揭示一种用以减少或消除多个电子束之间串扰的方法与设备。多个电子束在大面积基板上产生多个相邻的测试区域，其中来自一测试区域的二次电子可以在一相邻的测试区域中被检测出。在一实施例中，主要束发射以及来自该主要束的二次电子的检测的定时被控制，以消除或减少来自另一主要束的二次电子的检测的可能性。

公开(公告)号：CN101201328A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200610147327.7

申请日：2006-12-15

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 张可钢 ,  龚新军

IPC分类号： G01N23/18 ,  G01R31/305

摘要： 本发明公开了一种硅片图形缺陷在线检测方法，可对硅片的每一片芯片上重复出现的缺陷进行检测，该方法采用以下步骤实现：采用电子束扫描的方法获取芯片上的当层图形；将所述当层图形与掩膜板或版图的图形进行对比。这种方法易于实施，而且优化了光刻工艺条件，根除了缺陷，提高了成品率。