公开(公告)号：CN104781956A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201380054618.X

申请日：2013-08-21

申请人： 克雷多斯公司

发明人： T·纽庞德 ,  L·马修斯 ,  J·诺力士

IPC分类号： H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/587 ,  H01M4/60

CPC分类号： H01M4/366 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/0352 ,  H01M4/049 ,  H01M4/134 ,  H01M4/38 ,  H01M4/386 ,  H01M4/387 ,  H01M4/62 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0569 ,  H01M2004/027 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/54

摘要： 本发明揭示经官能化的IVA族粒子、制备该IVA族粒子的方法、及使用该IVA族粒子的方法。该IVA族粒子可经覆盖该粒子的至少一部分的至少一材料层钝化。该材料层可为一共价键结的非介电材料层。该IVA族粒子可用于各种技术，包括锂离子电池(lithium ion battery)及光伏打电池(photovoltaic cell)。

公开(公告)号：CN109728016A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811253732.6

申请日：2018-10-26

申请人： 佳能株式会社

发明人： 远藤信之

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L31/0264 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14698 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/036 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及光电转换器件、其制造方法和装置。一种光电转换器件包括：包含光电转换部分的半导体基板；布置于光电转换部分之上的氧化硅膜；和布置于光电转换部分与氧化硅膜之间的绝缘膜。构成光电转换部分的一部分的n型第一杂质区域和布置于绝缘膜与第一杂质区域之间的p型第二杂质区域被设置在半导体基板中。绝缘膜的第二杂质区域之上的部分和第二杂质区域包含硼。从半导体基板的表面到第二杂质区域中的硼浓度取最小值的第一位置的硼浓度的积分值大于从半导体基板的表面到氧化硅膜的上表面的硼浓度的积分值。

公开(公告)号：CN108039376A

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201711105350.4

申请日：2017-11-10

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 刘艳 ,  方慈浙 ,  韩根全 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/1876

摘要： 本发明公开了一种基于Black phosphorus材料的SPPs效应纳米谐振腔及其制作方法，解决长期存在于光学吸收与吸收层厚度之间的矛盾关系。包括反射层、空间损耗层、吸收层和纳米多孔层。反射层采用金属Al材料；空间损耗层采用Al2O3材料；吸收层采用二维材料黑磷；纳米多孔层采用金属Ag材料；纳米多孔层、吸收层、空间损耗层、反射层依次由上而下竖直分布。本发明通过黑磷材料的应用，增强了光学吸收，同时纳米多孔层的引入，在Ag/Black phosphorus界面处形成明显的SPPs效应，进一步提高吸收增益，拓展了吸收光谱，提升了光伏器件的整体性能，进而推动超薄能量捕获和转换应用的发展。

公开(公告)号：CN106952975A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710137076.2

申请日：2017-03-09

申请人： 内蒙古大学

发明人： 常虹 ,  刘芳 ,  高玉 ,  董晓玲 ,  刘奕帆

IPC分类号： H01L31/0264 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种无机钙钛矿吸光材料(La1‑a‑b‑c‑dYaDybBicErd)M0.5Mn0.5O3及其制备方法。步骤为：(1)制备前驱体溶液(2)制备溶胶凝胶(3)将溶胶凝胶涂布在底电极上；放入90～110℃的烘箱中干燥；保持600～1000℃进行热处理；(4)在沉积的溶胶凝胶的上表面，制备掺铟的氧化锌电极。本发明利用溶胶凝胶方法制成(La1‑a‑b‑c‑dYaDybBicErd)M0.5Mn0.5O3，在掺杂Nb的SrTiO3衬底上，制备一种带隙宽度在1.3～2.2eV可调节的高度稳定的不含铅的钙钛矿太阳能吸光材料层。短路电流在5～7.55mA/cm2，开路电压在0.24～0.55V。这种材料具有制备工艺简单，化学稳定性好，不含环境污染元素，带隙宽度在较大范围可调的特点，功率转换效率可以达到接近8％，对其它光伏吸收层材料起到有效的补充和调整的作用。

公开(公告)号：CN106876489A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710074139.4

申请日：2017-02-10

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 贾仁需 ,  刘银涛 ,  汪钰成 ,  庞体强 ,  张玉明

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的P型双向HHET器件及其制备方法。该方法包括：在选取的衬底材料表面制作FTO导电玻璃；在所述FTO导电玻璃表面制作第一光吸收层；在所述第一光吸收层表面制作第一空穴传输层；在所述第一空穴传输层表面制作源漏电极；在整个衬底表面制作第二空穴传输层；在所述第二空穴传输层表面制备第二光吸收层；在所述第二光吸收层表面制作栅电极，最终形成所述双向HHET器件。本发明通过采用对称的光吸收层，能吸收更多的光产生光生载流子，并采用在透明的蓝宝石生长透明的导电玻璃作为底部栅电极，能实现上下光照都能照射到光吸收层，且采用由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的空穴，提高迁移率高，增强传输特性和增加光电转换效率。

公开(公告)号：CN106711254A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201611216995.0

申请日：2016-12-26

申请人： 电子科技大学

发明人： 金立川 ,  方觉 ,  张怀武 ,  肖勇 ,  洪彩云 ,  唐晓莉 ,  钟智勇

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/035227 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

摘要： 一种直径可调铋纳米线阵列的制备方法，属于材料技术领域。所述直径可调的铋纳米线阵列，自下而上依次为半导体基片、铋纳米线阵列、锡纳米液滴，所述锡纳米液滴位于铋纳米线顶端；所述铋纳米线阵列的直径通过锡纳米液滴的大小进行调节，长度通过生长时间调节。本发明方法可实现在半导体衬底上制备大面积的直径在20～300nm范围可调的铋纳米线阵列，且得到的铋纳米线阵列在250～800nm光波长范围的吸收率大于80％，在高效光电转换器件和光电探测器领域具有重要的应用价值；并且本发明提供的直径可调铋纳米线阵列的制备方法简单易行，能够与半导体工艺兼容。

公开(公告)号：CN106611800A

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201510674880.5

申请日：2015-10-19

申请人： 陈柏颕

发明人： 陈柏颕 ,  陈俋瑾 ,  陈俋锡

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0264 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1884

摘要： 本发明公开一种太阳能薄膜结构及制造该太阳能薄膜结构的方法与装置，该太阳能薄膜结构利用涂布方式生产，包括一导电底层、一第一半导体层、一第二半导体层及一导电顶层。该导电底层由一第一导电材料所组成。该第一半导体层设置于该导电底层上方，并包括第一透光导电胶、一呈粉末状态的第一本质材料，及一呈粉末状态的第一杂质材料。该第二半导体层设置于该第一半导体层上方，并包括一第二透光导电胶、一呈粉末状态的第二本质材料，及一呈粉末状态的第二杂质材料。该导电顶层设置于该第二半导体层上方，并由一第二导电材料所组成，该导电顶层具透光特性。本发明可提升单位面积下接收该日光的表面积，有效的提升太阳能发电效率。

公开(公告)号：CN106549068A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610833719.2

申请日：2016-09-20

申请人： 河南师范大学

发明人： 徐芳 ,  陈会敏 ,  梅晶晶 ,  蒋凯 ,  武大鹏 ,  高志永

IPC分类号： H01L31/0264 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L31/0264 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/0324

摘要： 本发明公开了一种Ag@Ag2S/TiO2纳米棒阵列的合成方法，具体步骤为：（1）在FTO导电玻璃上制备TiO2纳米棒阵列，（2）将TiO2纳米棒阵列浸入AgNO3的前驱物溶液并用紫外光照射制备Ag修饰的TiO2纳米棒阵列；（3）将Ag修饰的TiO2纳米棒阵列浸入溶有Na2S和S 的多硫溶液中，反应制得Ag@Ag2S/TiO2纳米棒阵列。本发明利用Ag和Ag2S的协同作用可以提高材料对可见光的吸收，提高了光生电荷的传输、分离效率，得到具有较高光解水效率的光阳极材料，而且该合成方法工艺简单，简化了电极的实施工艺，有利于大规模生产。

公开(公告)号：CN103460354B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280016419.5

申请日：2012-03-19

申请人： 太阳能公司

发明人： 林承笵 ,  迈克尔·莫尔斯 ,  金泰锡 ,  迈克尔·J·卡德兹诺维克

IPC分类号： H01L21/331

CPC分类号： H01L31/0264 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/18 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种制造太阳能电池的方法。所述方法包括如下步骤：在硅基底(100)上形成牺牲层(112)、在牺牲基底的顶上形成掺杂硅层在硅膜(130)上形成多个叉指触点(144、146)、使多个叉指触点(144、146)中的每一个与金属触点(150)接触，以及去除牺牲层(112)。(120)、在掺杂硅层(120)的顶上形成硅膜(130)、

公开(公告)号：CN105514210A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201610021366.6

申请日：2016-01-14

申请人： 中国石油大学(华东)

发明人： 凌翠翠 ,  韩治德 ,  韩雪 ,  郭天超

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0264 ,  B82Y30/00

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/109 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/1876

摘要： 本发明具体提供了一种纳米二氧化钛纳米棒阵列和n型硅基底形成的n-n同型异质结材料的高性能紫外光探测器。首先利用溅射方法在n型硅基底上生长二氧化钛纳米点薄膜；然后通过水热法方法诱导种子层生成二氧化钛纳米棒阵列；最后通过磁控溅射法制备透光金属层电极薄膜。本发明利用二氧化钛纳米棒阵列/硅异质结的放大效应制备的二氧化钛纳米棒阵列/硅异质结紫外光探测器具有工艺简单，成本低廉，无需加热器，能在室温下工作，且具有耗能低，灵敏度高，响应、恢复时间短的特点，对紫外光具有良好的检测性能，具有重要的应用前景。