公开(公告)号：CN107240542A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201710193556.0

申请日：2017-03-28

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 沈彭 ,  塔马拉卡·潘达姆所朴恩 ,  安东尼·纽伦 ,  丹·玛罗尔

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32651 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32504 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L41/332 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32155

摘要： 本发明涉及具有射频供电的法拉第屏蔽件的包括线圈的衬底处理系统。衬底处理系统包括处理室，该处理室包括电介质窗和布置在其中以支撑衬底的衬底支撑件。线圈被布置在处理室的外部与电介质窗相邻。法拉第屏蔽件布置在线圈和电介质窗之间。RF发生器被配置为向线圈提供RF功率。法拉第屏蔽件通过杂散电容耦合和/或直接耦合到线圈。电容器连接到线圈和法拉第屏蔽件中的一个，以调节沿着线圈的电压驻波的位置。

公开(公告)号：CN103924206A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410187146.1

申请日：2010-12-08

申请人： 佳能安内华股份有限公司

发明人： 山口述夫 ,  真下公子 ,  长泽慎也

IPC分类号： C23C14/35

CPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32504 ,  H01J37/3411 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3447

摘要： 本发明公开了一种溅射设备，包括处理腔室、基板保持器、靶保持器、闸板、驱动装置、闸板容纳单元以及将气体引入处理腔室中的气体引入管；气体引入管布置成使得气体引入闸板容纳单元且从气体引入管引入闸板容纳单元的气体通过闸板容纳单元的开口部分引入至处理腔室。闸板能够运动成采取屏蔽状态和后退状态中的一个，在该屏蔽状态中，闸板屏蔽在基板保持器和靶保持器之间的间隙，在该后退状态中，闸板从在基板保持器和靶保持器之间的间隙后退。闸板容纳单元有开口部分，闸板将通过开口部分伸出至处理腔室并从处理腔室后退，且构造成容纳处于后退状态的闸板。它防止沉积薄膜粘附在排气腔室上，且抑制颗粒的产生。

公开(公告)号：CN103632916A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310380150.5

申请日：2013-08-27

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 陶玄浩 ,  洪俊杰 ,  保罗·赖卡特

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01J37/32477 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32504 ,  H01J37/32559 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H01J2237/022

摘要： 本发明涉及调整等离子体处理系统的方位非均匀性的对称返回衬垫，公开了用于调整等离子体处理室中的方位非均匀性的方法和装置。装置包括具有等离子体处理室和室衬的等离子体处理系统。调整方位非均匀性包括提供成组的导电带以将室衬连接至接地环，其中该成组的导电带中的导电带数量大于8。替代地或另外地，镜像切口针对室衬中的配对的现有切口或端口而提供。替代地或另外地，室衬具有针对配对结构而提供的虚设结构，该配对结构阻碍室中的气流和RF返回电流中的至少一者。

公开(公告)号：CN102138198B

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN200980133993.7

申请日：2009-08-24

申请人： 应用材料公司

发明人： 约瑟夫·F·萨默斯 ,  基斯·A·米勒

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01J37/32495 ,  C23C14/35 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4407 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32504 ,  H01J37/3408

摘要： 本文提供了一种用于制程腔室中的制程套组屏蔽件以及该制程套组屏蔽件的使用方法。在一些实施例中，制程套组屏蔽件可包含具有壁的主体，该壁包含第一层以及与该第一层结合的第二层，其中，第一层包含第一材料，该第一材料能抵抗用来移除在制程过程中沉积在第一层上的材料的化学清洁剂，并且其中，第二层包含第二材料，第二材料与第一材料不相同并且具有与该第一材料基本相似的热膨胀系数。在一些实施例中，制程套组屏蔽件可以被设置在具有处理容积和非处理容积的制程腔室中。该制程套组屏蔽件可以被设置在处理容积和非处理容积之间。

公开(公告)号：CN101293771A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200710122759.7

申请日：2007-07-04

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 珍妮弗·Y·孙 ,  仁观·段 ,  杰·袁 ,  立·徐 ,  肯尼思·S·柯林斯

IPC分类号： C04B35/50

CPC分类号： C04B35/505 ,  B32B18/00 ,  C04B35/486 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/668 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9669 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32504 ,  Y10T428/31678

摘要： 本发明提供了一种对于半导体处理中使用的含卤素等离子体耐腐蚀的陶瓷制品。该陶瓷制品包括典型地包括两相到三相的多相陶瓷。在第一实施方式中，该陶瓷由以下成分形成，即：摩尔浓度变化范围从约50％摩尔比到约75％摩尔比的氧化钇；摩尔浓度变化范围从约10％摩尔比到约30％摩尔比的氧化锆；以及选自包括氧化铝、氧化铪、氧化钪、氧化铷、氧化铌、氧化钐、氧化镱、氧化铒、氧化铈及其组合的至少一个其他成分，所述至少一种其他成分浓度变化范围从约10％摩尔比到约30％摩尔比。在第二实施方式中，陶瓷制品包括由摩尔浓度变化范围从90％摩尔比到约70％摩尔比的氧化钇，以及摩尔浓度变化范围从约10％摩尔比到约30％摩尔比的氧化锆形成的陶瓷，其中所述陶瓷的平均颗粒尺寸变化范围从约2μm到约8μm。在第三实施方式中，该陶瓷制品包括由摩尔浓度变化范围从96％摩尔比到约94％摩尔比的氧化锆，以及摩尔浓度变化范围从约4％摩尔比到约6％摩尔比的氧化锆形成的陶瓷。

公开(公告)号：CN207587699U

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201721058541.5

申请日：2017-08-23

申请人： 应用材料公司

发明人： 王建齐 ,  尤吉塔·巴瑞克 ,  朱丽亚·巴文 ,  凯文·A·派克

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01J37/32504 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01J37/3178 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32495 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069

摘要： 本公开内容的实现方式提供用于处理腔室中的腔室部件。腔室部件包括：主体，所述主体在等离子体处理腔室中使用；氧化物阻挡层，所述氧化物阻挡层形成在主体的暴露表面的至少一部分上，氧化物阻挡层具有2gm/cm3或大于2gm/cm3的密度；以及氟氧化铝层，所述氟氧化铝层形成在氧化物阻挡层上，氟氧化铝层具有2nm或大于2nm的厚度。