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发明公开
CN103632916A 调整等离子体处理系统的方位非均匀性的对称返回衬垫 有权

  • 专利标题： 调整等离子体处理系统的方位非均匀性的对称返回衬垫
  • 专利标题（英）： Symmetric return liner for modulating azimuthal non-uniformity in a plasma processing system
  • 申请号： CN201310380150.5
    申请日： 2013-08-27
  • 公开(公告)号： CN103632916A
    公开(公告)日： 2014-03-12
  • 发明人: 陶玄浩 , 洪俊杰 , 保罗·赖卡特
  • 申请人： 朗姆研究公司
  • 申请人地址： 美国加利福尼亚州
  • 专利权人： 朗姆研究公司
  • 当前专利权人： 朗姆研究公司
  • 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
  • 代理机构： 上海胜康律师事务所
  • 代理商 李献忠
  • 优先权： 61/693,423 2012.08.27 US; 13/689,668 2012.11.29 US
  • 主分类号： H01J37/32
  • IPC分类号： H01J37/32 ;  H01L21/67
调整等离子体处理系统的方位非均匀性的对称返回衬垫
摘要：
本发明涉及调整等离子体处理系统的方位非均匀性的对称返回衬垫，公开了用于调整等离子体处理室中的方位非均匀性的方法和装置。装置包括具有等离子体处理室和室衬的等离子体处理系统。调整方位非均匀性包括提供成组的导电带以将室衬连接至接地环，其中该成组的导电带中的导电带数量大于8。替代地或另外地，镜像切口针对室衬中的配对的现有切口或端口而提供。替代地或另外地，室衬具有针对配对结构而提供的虚设结构，该配对结构阻碍室中的气流和RF返回电流中的至少一者。
摘要（英）：

Methods and apparatus for modulating azimuthal non-uniformity in a plasma processing chamber are disclosed. Apparatus includes a plasma processing system having a plasma processing chamber and a chamber liner. Modulating the azimuthal non-uniformity includes providing a set of conduction straps to connect the chamber liner to a ground ring whereby the number of conduction straps in the set of conduction straps is greater than 8. Alternatively or additionally, a mirror cut-out is provided for a counterpart existing cut-out or port in the chamber liner. Alternatively or additionally, a dummy structure is provided with the chamber liner for a counterpart structure that impedes at least one of a gas flow and RF return current in the chamber.

公开/授权文献
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