- 专利标题: 降低暴露于含卤素等离子体表面的腐蚀速率的装置和方法
- 专利标题(英): Apparatus and method which reduce the erosion rate of surfaces exposed to halogen-containing plasmas
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申请号: CN200710122759.7申请日: 2007-07-04
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公开(公告)号: CN101293771A公开(公告)日: 2008-10-29
- 发明人: 珍妮弗·Y·孙 , 仁观·段 , 杰·袁 , 立·徐 , 肯尼思·S·柯林斯
- 申请人: 应用材料股份有限公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 应用材料股份有限公司
- 当前专利权人: 应用材料公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理商 徐金国; 梁挥
- 优先权: 11/796,210 2007.04.27 US; 11/796,211 2007.04.27 US
- 主分类号: C04B35/50
- IPC分类号: C04B35/50
摘要:
本发明提供了一种对于半导体处理中使用的含卤素等离子体耐腐蚀的陶瓷制品。该陶瓷制品包括典型地包括两相到三相的多相陶瓷。在第一实施方式中,该陶瓷由以下成分形成,即:摩尔浓度变化范围从约50%摩尔比到约75%摩尔比的氧化钇;摩尔浓度变化范围从约10%摩尔比到约30%摩尔比的氧化锆;以及选自包括氧化铝、氧化铪、氧化钪、氧化铷、氧化铌、氧化钐、氧化镱、氧化铒、氧化铈及其组合的至少一个其他成分,所述至少一种其他成分浓度变化范围从约10%摩尔比到约30%摩尔比。在第二实施方式中,陶瓷制品包括由摩尔浓度变化范围从90%摩尔比到约70%摩尔比的氧化钇,以及摩尔浓度变化范围从约10%摩尔比到约30%摩尔比的氧化锆形成的陶瓷,其中所述陶瓷的平均颗粒尺寸变化范围从约2μm到约8μm。在第三实施方式中,该陶瓷制品包括由摩尔浓度变化范围从96%摩尔比到约94%摩尔比的氧化锆,以及摩尔浓度变化范围从约4%摩尔比到约6%摩尔比的氧化锆形成的陶瓷。
公开/授权文献
- CN101293771B 降低暴露于含卤素等离子体表面的腐蚀速率的装置和方法 公开/授权日:2013-06-26