公开(公告)号：CN101293771A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200710122759.7

申请日：2007-07-04

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 珍妮弗·Y·孙 ,  仁观·段 ,  杰·袁 ,  立·徐 ,  肯尼思·S·柯林斯

IPC分类号： C04B35/50

CPC分类号： C04B35/505 ,  B32B18/00 ,  C04B35/486 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/668 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9669 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32504 ,  Y10T428/31678

摘要： 本发明提供了一种对于半导体处理中使用的含卤素等离子体耐腐蚀的陶瓷制品。该陶瓷制品包括典型地包括两相到三相的多相陶瓷。在第一实施方式中，该陶瓷由以下成分形成，即：摩尔浓度变化范围从约50％摩尔比到约75％摩尔比的氧化钇；摩尔浓度变化范围从约10％摩尔比到约30％摩尔比的氧化锆；以及选自包括氧化铝、氧化铪、氧化钪、氧化铷、氧化铌、氧化钐、氧化镱、氧化铒、氧化铈及其组合的至少一个其他成分，所述至少一种其他成分浓度变化范围从约10％摩尔比到约30％摩尔比。在第二实施方式中，陶瓷制品包括由摩尔浓度变化范围从90％摩尔比到约70％摩尔比的氧化钇，以及摩尔浓度变化范围从约10％摩尔比到约30％摩尔比的氧化锆形成的陶瓷，其中所述陶瓷的平均颗粒尺寸变化范围从约2μm到约8μm。在第三实施方式中，该陶瓷制品包括由摩尔浓度变化范围从96％摩尔比到约94％摩尔比的氧化锆，以及摩尔浓度变化范围从约4％摩尔比到约6％摩尔比的氧化锆形成的陶瓷。

公开(公告)号：CN101276733B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200810082780.3

申请日：2008-03-19

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 埃尔米拉·赖亚博瓦 ,  杰·袁 ,  珍妮弗·孙

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： C30B25/00 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32642

摘要： 本发明在此提供一种制造等离子体反应器部件的方法，该部件由硅制成。该方法包括生长硅样品，机械加工该硅样品以形成部件，和通过顺序地暴露该部件于一种或多种气体而退火该部件。在硅生长和后机械加工退火期间设计工艺条件以提供尤其适合用于腐蚀环境的硅部件。

公开(公告)号：CN101357846A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200710161551.6

申请日：2007-09-29

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 珍妮弗·Y·孙 ,  肯尼思·S·柯林斯 ,  任关·段 ,  森·撒奇 ,  托马斯·格雷夫斯 ,  晓明·何 ,  杰·袁

IPC分类号： C04B35/50 ,  C04B35/48

CPC分类号： C04B35/505 ,  C04B35/486 ,  C04B35/495 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  Y10T428/31

摘要： 本发明公开了在采用腐蚀/侵蚀性等离子体的半导体处理条件下抵抗腐蚀/侵蚀的特种陶瓷材料。腐蚀性等离子体可为含卤等离子体。对该特种陶瓷材料已经改性以提供抑制等离子体电弧放电可能的可控电阻率。

公开(公告)号：CN101276733A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810082780.3

申请日：2008-03-19

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 埃尔米拉·赖亚博瓦 ,  杰·袁 ,  珍妮弗·孙

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： C30B25/00 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32642

摘要： 本发明在此提供一种制造等离子体反应器部件的方法，该部件由硅制成。该方法包括生长硅样品，机械加工该硅样品以形成部件，和通过顺序地暴露该部件于一种或多种气体而退火该部件。在硅生长和后机械加工退火期间设计工艺条件以提供尤其适合用于腐蚀环境的硅部件。

公开(公告)号：CN101172859A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710143237.5

申请日：2007-08-07

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 埃尔米拉·赖亚博瓦 ,  理查德·莱温顿 ,  马德哈唯·R·钱德拉养德 ,  阿米泰布·萨布哈维尔 ,  达里恩·比文斯 ,  珍妮弗·孙 ,  杰·袁

IPC分类号： C04B35/50 ,  H05H1/00 ,  H01J37/32

CPC分类号： C04B35/505 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/81

摘要： 在此提供一种制造氧化钇部件的方法。在一个实施方式中，该方法包括烧结氧化钇样本，机械加工所烧结的样本以形成部件，以及通过以预定的加热速度加热部件而退火部件，在恒定退火温度下机械加工部件，以及以预定的冷却速度冷却部件。