公开(公告)号：CN101357846A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200710161551.6

申请日：2007-09-29

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 珍妮弗·Y·孙 ,  肯尼思·S·柯林斯 ,  任关·段 ,  森·撒奇 ,  托马斯·格雷夫斯 ,  晓明·何 ,  杰·袁

IPC分类号： C04B35/50 ,  C04B35/48

CPC分类号： C04B35/505 ,  C04B35/486 ,  C04B35/495 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  Y10T428/31

摘要： 本发明公开了在采用腐蚀/侵蚀性等离子体的半导体处理条件下抵抗腐蚀/侵蚀的特种陶瓷材料。腐蚀性等离子体可为含卤等离子体。对该特种陶瓷材料已经改性以提供抑制等离子体电弧放电可能的可控电阻率。