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公开(公告)号：CN107731647A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710680712.6
申请日：2017-08-10
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32146 , H01G5/16 , H01G5/38 , H01J37/321 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01J2237/334 , H03H7/38 , H03H7/40 , H01J37/32431 , H01J37/3266 , H01J37/32917 , H01J37/3464
摘要： 本发明涉及用于蚀刻和沉积间迭代过渡的RF功率比切换的系统和方法。提供了一种系统，其包括：第一线性马达、第一分离器支撑组件和控制器。所述第一线性马达包括基于提供给所述第一线性马达的电流而被线性驱动的轴。所述第一分离器支撑组件被配置为连接到所述第一线性马达的所述轴和匹配网络的第一电容器的杆。所述第一线性马达被配置为致动所述杆以相对于所述第一电容器的第二电极移动所述第一电容器的第一电极，从而改变所述第一电容器的电容。所述控制器连接到所述第一线性马达，并且被配置为通过调节提供给所述第一线性马达的所述电流来调节提供给等离子体处理室的第一射频反应器线圈的功率。
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公开(公告)号：CN109087790A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810599990.3
申请日：2018-06-12
申请人： 朗姆研究公司
CPC分类号： H01J37/32183 , H01F27/24 , H01F27/2852 , H01F27/292 , H01F27/346 , H01F27/40 , H01F41/06 , H03H3/00 , H03H7/38 , H01F27/28 , H01F27/08 , H01F41/00
摘要： 本发明涉及铰接式直接安装电感器及相关系统和方法。形成线圈部。第一铰接部从线圈部延伸。第一安装结构从第一铰接部延伸。第一安装结构包括第一安装区域，第一安装区域被构造成安装为与第一电气组件的端子接触。第一铰接部和第一安装结构被构造成，将第一安装区域定位在从线圈部发出的强电磁场之外的位置处。第二铰接部从线圈部延伸。第二安装结构从第二铰接部延伸。第二安装结构包括第二安装区域，第二安装区域被构造成安装为与第二电气组件的端子接触。第二铰接部和第二安装结构被构造成，将第二安装区域定位在从线圈部发出的强电磁场之外的位置处。
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公开(公告)号：CN117219417A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311086002.2
申请日：2018-06-12
申请人： 朗姆研究公司
摘要： 本发明涉及铰接式直接安装电感器及相关系统和方法。形成线圈部。第一铰接部从线圈部延伸。第一安装结构从第一铰接部延伸。第一安装结构包括第一安装区域，第一安装区域被构造成安装为与第一电气组件的端子接触。第一铰接部和第一安装结构被构造成，将第一安装区域定位在从线圈部发出的强电磁场之外的位置处。第二铰接部从线圈部延伸。第二安装结构从第二铰接部延伸。第二安装结构包括第二安装区域，第二安装区域被构造成安装为与第二电气组件的端子接触。第二铰接部和第二安装结构被构造成，将第二安装区域定位在从线圈部发出的强电磁场之外的位置处。
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公开(公告)号：CN109087790B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201810599990.3
申请日：2018-06-12
申请人： 朗姆研究公司
摘要： 本发明涉及铰接式直接安装电感器及相关系统和方法。形成线圈部。第一铰接部从线圈部延伸。第一安装结构从第一铰接部延伸。第一安装结构包括第一安装区域，第一安装区域被构造成安装为与第一电气组件的端子接触。第一铰接部和第一安装结构被构造成，将第一安装区域定位在从线圈部发出的强电磁场之外的位置处。第二铰接部从线圈部延伸。第二安装结构从第二铰接部延伸。第二安装结构包括第二安装区域，第二安装区域被构造成安装为与第二电气组件的端子接触。第二铰接部和第二安装结构被构造成，将第二安装区域定位在从线圈部发出的强电磁场之外的位置处。
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公开(公告)号：CN107240542A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710193556.0
申请日：2017-03-28
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 沈彭 , 塔马拉卡·潘达姆所朴恩 , 安东尼·纽伦 , 丹·玛罗尔
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32651 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01J37/32477 , H01J37/32504 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L41/332 , H01J37/32431 , H01J37/32091 , H01J37/32155
摘要： 本发明涉及具有射频供电的法拉第屏蔽件的包括线圈的衬底处理系统。衬底处理系统包括处理室，该处理室包括电介质窗和布置在其中以支撑衬底的衬底支撑件。线圈被布置在处理室的外部与电介质窗相邻。法拉第屏蔽件布置在线圈和电介质窗之间。RF发生器被配置为向线圈提供RF功率。法拉第屏蔽件通过杂散电容耦合和/或直接耦合到线圈。电容器连接到线圈和法拉第屏蔽件中的一个，以调节沿着线圈的电压驻波的位置。
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