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公开(公告)号：CN107740058A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201710954205.7
申请日：2017-10-13
申请人： 西安交通大学
CPC分类号： C23C14/352 , C23C14/0635 , C23C14/0641 , C23C14/081 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/185 , C23C14/205
摘要： 本发明公开了一种具有垂直阵列结构的金属/非金属复合薄膜的制备方法，该方法是通过射频磁控溅射共沉积技术制备金属/非金属复合结构薄膜，通过严格控制工艺过程中的非金属靶/金属靶功率比条件来实现对金属阵列尺寸、体积比的大范围调控；本工艺过程环境友好，简单易行，不需要借助模板，对基底无特殊要求，室温下即可得到的不同形态、尺寸和结晶态的金属/非金属垂直阵列结构，在光学器件、催化、精密电阻薄膜、存储、显示器件等领域都具有良好的应用潜力和前景，为垂直阵列结构的复合薄膜的工业化应用提供了新的技术思路。
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公开(公告)号：CN107430872A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680019575.5
申请日：2016-06-02
申请人： 富士电机株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC分类号： G11B5/8404 , C23C14/022 , C23C14/024 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/185 , C23C14/35 , G11B5/73 , G11B5/7379 , G11B5/851
摘要： 本发明的目的是提供一种具有含有(Mg1－xTix)O的种子层和含有L10型有序合金的磁记录层的层叠结构、且具有提高了的特性的磁记录介质。本发明的磁记录介质的制造方法包含(1)准备基板的工序；(2)在基板上形成含有(Mg1－xTix)O的种子层的工序；(3)在含有稀有气体的气氛中将种子层等离子蚀刻的工序；(4)在实施了工序(3)的种子层上形成含有有序合金的磁记录层的工序。
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公开(公告)号：CN107385400A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201610328791.X
申请日：2016-05-17
申请人： 蓝思科技股份有限公司
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/10 , C23C14/54 , C23C14/548
摘要： 一种介于蓝宝石基板与光学薄膜间的缓冲膜层及其制备方法，缓冲膜层(1)厚度方向的两侧分别接合有蓝宝石基板(2)与光学薄膜(3)，所述缓冲膜层成分包括混合掺杂在一起的成分A与成分B，其中成分A为Al2O3，成分B与光学薄膜中所包含的低折射率材料层成分相同；缓冲膜层中成分A的分子数量占比沿蓝宝石基板到光学薄膜的方向逐渐减小；缓冲膜层中从蓝宝石基板到光学薄膜的方向，成分B的分子数量占比逐渐增大。本发明的缓冲膜能增强光学薄膜与蓝宝石基板之间的粘附力，且不影响光学薄膜的光学特性；本发明制备工艺在制备过程中只需要控制成分A与成分B的开启与结束时间，容易控制，且基本不需要增加设备，节约生产成本。
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公开(公告)号：CN105378138B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201480039448.2
申请日：2014-07-09
申请人： 欧瑞康表面处理解决方案股份公司普费菲孔
发明人： 约格·哈克曼 , 西格弗里德·克拉斯尼策尔
CPC分类号： H01J37/3429 , C23C14/0036 , C23C14/081 , C23C14/3407 , C23C14/3485 , C23C14/35 , H01J37/3417 , H01J37/3423 , H01J37/3467 , H01J2237/3321 , H01J2237/3322
摘要： 本发明涉及靶，其靶表面如此构造，通过采用所述靶用于在涂覆室内的电绝缘层反应溅射沉积，避免该靶表面对也位于涂覆室内的阳极的火花放电的生成。
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公开(公告)号：CN107326326A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710490722.3
申请日：2017-06-15
申请人： 郑州科技学院
CPC分类号： C23C14/086 , C23C14/081
摘要： 本发明公开了一种利用脉冲激光沉积法制备电学器件用Al掺杂的氧化锌薄膜的制备方法，该方法所用的设备包括石英管、电炉、真空泵、激光脉冲发生器、第一反射镜、第二反射镜以及透镜。激光脉冲发生器发射的激光脉冲束，依次通过第一反射镜、第二反射镜以及透镜，轰击靶材，通过转动透镜，可以控制激光脉冲束的焦点，分别轰击ZnO靶材和Al2O3靶材，并且借助于铝离子在高温下的扩散作用，得到铝掺杂的氧化锌薄膜。由于铝离子的扩散形成的浓度梯度，增加了AZO薄膜的电学性能，其最小导电率约为9×10-4Ω·cm。并且，本发明可以通过改变激光脉冲束对不同靶材轰击的时间，得到成分和结构不同的AZO薄膜，满足不同电学领域的使用要求。
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公开(公告)号：CN106961829A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201680002391.8
申请日：2016-09-23
申请人： 株式会社藤仓
发明人： 栗原骏
CPC分类号： H01B12/06 , C01G3/006 , C01P2006/40 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/082 , C23C14/18 , C23C14/221 , C23C14/46 , C25D3/38 , C25D7/0607 , H01F6/06 , H01L39/143 , H01L39/2461 , H01L39/12
摘要： 本发明的氧化物超导电线材具备层叠体和金属层，所述层叠体具备：基材；中间层，其层叠于上述基材的主面上并由具有取向性的1层以上的层构成，并且具有沿上述基材的长度方向延伸的一个以上的第1非取向区域；以及，氧化物超导电层，其层叠于上述中间层上并且通过上述中间层进行结晶取向控制，并且具有位于上述中间层的上述第1非取向区域上的第2非取向区域，所述金属层至少覆盖上述层叠体的上述氧化物超导电层的表面和侧面。
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公开(公告)号：CN106958005A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201710211077.7
申请日：2017-03-31
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
CPC分类号： F24S70/225 , Y02E10/40 , C23C14/14 , C23C14/0688 , C23C14/081 , C23C14/10 , C23C14/3464 , F24S70/20 , F24S70/25
摘要： 本发明公开一种耐高温金属陶瓷太阳光谱选择性吸收涂层，自基底向外依次包括合金红外反射层、金属陶瓷吸收层和陶瓷减反层；合金红外反射层由WAl或WTi合金薄膜组成；金属陶瓷吸收层由双层复合的WAl/Al2O3或WTi/Al2O3金属陶瓷薄膜组成，自合金红外反射层向外依次为高金属体积分数金属陶瓷薄膜和低金属体积分数金属陶瓷薄膜；陶瓷减反层由Al2O3陶瓷薄膜或Al2O3叠加SiO2双陶瓷薄膜组成。本发明还公开了本发明涂层的制备方法。本发明的涂层发射率低(～10％@500℃)、吸收率高(>92％)、热稳定性好，当长时间处于600℃的高温条件下时其光学性能基本保持不变，且制备工艺简单，可重复性好。
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公开(公告)号：CN106939404A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201710102323.5
申请日：2017-02-24
申请人： 华南理工大学
CPC分类号： C23C14/083 , C23C14/0036 , C23C14/081
摘要： 本发明属于金属涂层技术领域，公开了一种纳米α‑氧化铝/氧化铬复合涂层及其制备方法。所述制备方法为：用AlCr合金作沉积靶材和工件基体分别安装在高功率脉冲磁控溅射的靶工位和沉积室样品台，排除真空室残存的水蒸汽后抽至本底真空，加热工件基体至所需温度，然后注入Ar+O2混合气体进行预氧化处理；调整Ar+O2混合气中的O2分压至6％～15％范围，并调整工件基体温度至480～700℃范围，启动高功率脉冲磁控溅射镀膜系统，开始反应沉积得到所述纳米α‑氧化铝/氧化铬复合涂层。本发明所得涂层为纳米晶结构涂层，韧性好，与基体结合牢固，涂层具有稳定的α相结构。
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公开(公告)号：CN106893976A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710036803.6
申请日：2017-01-18
申请人： 东莞市佳乾新材料科技有限公司
发明人： 王海燕
CPC分类号： C23C14/081 , C23C14/3414 , C23C14/35
摘要： 本发明公开了一种以高纯致密氧化镁为靶材制备MgO薄膜的方法，包括以下步骤：(1)将氧化镁粉末研磨后，过筛，将过筛后的粉末进行冷等静压(CIP)成型，制得压坯，将压坯在520℃首先进行预烧结，之后抽真空升温进行烧结，烧结完成后，制得高纯致密氧化镁材料；(2)以上一步骤制得的高纯致密氧化镁材料为靶材，在直流磁控溅射装置的反应室中进行MgO薄膜的生长，反应完成取出MgO薄膜。本发明所述的方法使用高纯致密氧化镁为靶材，制备的MgO薄膜具有良好的电学、光学性能，厚度分布均匀，质量高无缺陷。
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公开(公告)号：CN106795625A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201680002499.7
申请日：2016-03-15
申请人： 株式会社爱发科
CPC分类号： H01J37/32697 , C23C14/081 , C23C14/345 , C23C14/35 , C23C14/50 , C23C14/52 , C23C14/542 , H01J37/32715 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01J37/347 , H01J37/3476
摘要： 本发明提供一种可尽量抑制处理基板上的反溅射量并高效成膜的高频溅射装置。在真空中向靶(21)施加高频电力并对处理基板(W)的一面(Wa)进行成膜处理的本发明的高频溅射装置(SM)，其具有在处理基板的一面开放且电绝缘的状态下保持处理基板的台架(4)。台架具有位于该处理基板的保持面的凹部(42)，在以处理基板保持为处理基板的外周边部与台架的保持面(41)抵接时处理基板的另一面和凹部的轮廓所限定的空间(43)内，设置可在接近处理基板的方向或远离处理基板的方向上自由移动的与地线连接的可移动体(44)。
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