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公开(公告)号：CN116360020A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310277936.8
申请日：2023-03-21
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有红外高吸收的超薄吸收体及其制备方法，包括自下而上金属衬底层、超材料介质层以及复合金属层；所述金属衬底层为红外高反射金属，厚度大于100nm；所述超材料介质层为半导体内嵌垂直金属纳米线阵列，厚度为40‑300nm；所述复合金属层为铋基复合金属，厚度为10‑80nm。制备方法简单高效，且得到的超薄吸收体具有红外高吸收特性。
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公开(公告)号：CN113045214A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110281101.0
申请日：2021-03-16
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C03C17/245
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷孔洞阵列结构减反膜，包括衬底和减反膜；所述衬底为透明衬底，自衬底向外单向或双向形成一层或多层减反膜；所述减反膜结构为陶瓷孔洞阵列结构；所述的陶瓷孔洞阵列结构的厚度为50‑300nm，其包括陶瓷母相和直立于陶瓷母相上的空气孔洞阵列层；所述的空气孔洞阵列层的孔洞直径不小于2nm，孔洞的平均间距为1.5‑30nm。本发明公开的减反膜在宽谱、大角度的光照射下，具有高透过率和低雾度。本发明还公开了陶瓷孔洞阵列结构减反膜的制备方法，其制备方法简单、高效。
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公开(公告)号：CN109581564B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201811353049.X
申请日：2018-11-14
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有结构色彩的多层金属陶瓷薄膜，自衬底向外依次包括金属层、电介质层和金属纳米线阵列‑陶瓷复合层；所述金属纳米线阵列‑陶瓷复合层中，金属纳米线直立分布于陶瓷相中，金属纳米线的直径不小于2nm，高度与所述金属纳米线阵列‑陶瓷复合层的厚度相同，金属纳米线之间的间距1.5‑20nm。该多层金属陶瓷薄膜在可见光波段范围内的吸收特性易于调控，所获得的颜色色域范围大、亮度和饱和度较好。还公开了一种具有结构色彩的多层金属陶瓷薄膜的制备方法，该制备方法简单，成本低，适合大面积制备。
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公开(公告)号：CN109581564A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811353049.X
申请日：2018-11-14
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有结构色彩的多层金属陶瓷薄膜，自衬底向外依次包括金属层、电介质层和金属纳米线阵列-陶瓷复合层；所述金属纳米线阵列-陶瓷复合层中，金属纳米线直立分布于陶瓷相中，金属纳米线的直径不小于2nm，高度与所述金属纳米线阵列-陶瓷复合层的厚度相同，金属纳米线之间的间距1.5-20nm。该多层金属陶瓷薄膜在可见光波段范围内的吸收特性易于调控，所获得的颜色色域范围大、亮度和饱和度较好。还公开了一种具有结构色彩的多层金属陶瓷薄膜的制备方法，该制备方法简单，成本低，适合大面积制备。
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公开(公告)号：CN106167892A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610671229.7
申请日：2016-08-15
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/06 , C23C14/081 , C23C14/10 , C23C14/185
Abstract: 本发明公开了一种双金属/陶瓷复合薄膜，由双金属粒子和陶瓷相组成，双金属粒子嵌入到陶瓷相中，形成双金属/陶瓷复合层；所述的双金属粒子为WAl或WTi，其中，基体元素为W，掺杂元素为Al或Ti；所述的陶瓷相为氧化铝或二氧化硅；本发明还公开了该双金属合金陶瓷薄膜的制备方法，通过多靶磁控共溅射的技术来实施，其制备工艺简单，所获得的双金属陶瓷薄膜在紫外、可见光和近红外区域具有强的太阳光谱吸收特性，并具备优异的热稳定性，适用于温度高于550℃下金属纳米粒子的光吸收应用领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117802465A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311834560.2
申请日：2023-12-28
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开一种低色散波段的硅基材料薄膜的折射率大幅调控方法，包括步骤：步骤1，对衬底进行超声清洗活化；步骤2，选取硅靶及金属靶作为共溅射靶材对衬底共溅射，得到高折射率的硅基材料薄膜；步骤3，将所述高折射率硅基薄膜置于金属刻蚀液中刻蚀，制备低折射率的硅基材料薄膜，通过步骤2和步骤3，实现硅基材料薄膜的折射率在1.8～8之间任意调控。本发明通过将硅作为基质，通过金属靶材共溅射引入金属，刻蚀液刻蚀引入空气孔隙，有效地提高或降低了硅基材料的等效折射率，可调控范围大幅度增大，且调控精准率高。且基于其宽谱低色散，低吸收的特性，进一步扩大了红外透明材料的折射率调控范围。
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公开(公告)号：CN113045214B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202110281101.0
申请日：2021-03-16
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C03C17/245
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷孔洞阵列结构减反膜，包括衬底和减反膜；所述衬底为透明衬底，自衬底向外单向或双向形成一层或多层减反膜；所述减反膜结构为陶瓷孔洞阵列结构；所述的陶瓷孔洞阵列结构的厚度为50‑300nm，其包括陶瓷母相和直立于陶瓷母相上的空气孔洞阵列层；所述的空气孔洞阵列层的孔洞直径不小于2nm，孔洞的平均间距为1.5‑30nm。本发明公开的减反膜在宽谱、大角度的光照射下，具有高透过率和低雾度。本发明还公开了陶瓷孔洞阵列结构减反膜的制备方法，其制备方法简单、高效。
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公开(公告)号：CN115021067A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210409983.9
申请日：2022-04-19
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于金属纳米线阵列表面等离激元激光发射器，包括金属纳米线阵列‑增益介质复合层；所述金属纳米线阵列‑增益介质复合层中，金属纳米线阵列垂直分布在增益介质复合层中，金属纳米线的直径不小于2nm，高度与所述金属纳米线阵列‑增益介质复合层的厚度相同，相邻金属纳米线的间距为1～15nm，金属纳米线占所述金属纳米线阵列‑增益介质复合层的体积百分数为20％～60％。该公开了一种激光发射器的制备方法，该制备方法操作简单，便于实际制备和应用，制备得到的激光发射器的激发功率密度阈值只有20W/cm2。
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公开(公告)号：CN113249700A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110591053.5
申请日：2021-05-28
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开一种具有红外高折射率低色散的超材料，包括金属纳米线阵列和介质层，金属纳米线阵列垂直嵌入到介质层；金属纳米线阵列由多个金属纳米线组成，金属纳米线直径不小于2nm，长度与介质层厚度相同，金属纳米线之间的间距为1‑6nm；金属纳米线在所述超材料的体积百分数为5％‑50％；介质层为半导体或陶瓷介质。该超材料具有较高的折射率和较低色散，本发明还公开了一种具有红外高折射率低色散的超材料的制备方法，包括：预处理衬底；选取金属，陶瓷或半导体分别作为共溅射靶材，进行多靶磁控共溅射，同时施加等离子体轰击辅助，制得金属纳米线阵列‑陶瓷或半导体复合层超材料。该制备方法操作简单、高效。
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公开(公告)号：CN109972090B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201910269793.X
申请日：2019-04-04
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种完美吸收体涂层，自衬底向外依次包括金属反射层、电介质层、金属纳米线阵列‑陶瓷复合层、金属纳米颗粒‑陶瓷复合层以及电介质减反射层；所述金属纳米线阵列‑陶瓷复合层中，金属纳米线阵列垂直分布在陶瓷相中，金属纳米线的直径不小于3.5nm，高度与所述金属纳米线阵列‑陶瓷复合层的厚度相同，相邻金属纳米线的间距为1～15nm，金属纳米线占所述金属纳米线阵列‑陶瓷复合层的体积百分数为20％～60％；所述金属纳米颗粒‑陶瓷复合层中，金属纳米颗粒弥散均匀分布于陶瓷相中，金属纳米颗粒的直径4～15nm，占所述金属纳米颗粒‑陶瓷复合层的体积百分数为5％～45％。还公开了一种完美吸收体涂层的制备方法。
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