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公开(公告)号：CN113403597A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110667577.8
申请日：2021-06-16
申请人： 西安交通大学 , 西安交通大学苏州研究院
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/06 , C23C14/58 , H01L23/538 , H01L21/768
摘要： 本发明提供一种Zr‑B‑O‑N薄膜、Cu互连体及其制备方法，以ZrB2复合靶为靶材，在N2和Ar混合气氛下进行反应磁控溅射，在基底上沉积得到Zr‑B‑O‑N薄膜在所述的Zr‑B‑O‑N薄膜上沉积Cu层得到Cu互连结构。本发明得到的Zr‑B‑O‑N薄膜为非晶结构，具有扩散阻挡性能，能解决Cu互连结构中Cu扩散的问题。
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公开(公告)号：CN111876732B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202010555201.3
申请日：2020-06-17
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种硼氮化钼/硫化钼纳米复合涂层及其制备方法，采用反应磁控溅射技术阴极溅射金属Mo和B4C、MoS2复合靶，并与真空室中Ar和N2混合气体中的N2气反应，在基底表面获得了Mo‑B‑S‑C‑N五元硬质涂层，即硼氮化钼/硫化钼纳米复合涂层，通过调节复合靶中B4C及MoS2的面积，使该涂层中B和S的含量容易控制。涂层中B、C、S、Mo、N元素的原子百分比为0.5～12％、2～14％、0.5～10％、55～40％、42～24％。该方法工艺简单，易于实施。本发明克服了现有硬质镀层摩擦学性能的不足，兼备硬度高、耐磨和室温到高温低摩擦系数的特点，在高速或干切削工具上具有良好的应用前景和推广价值。
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公开(公告)号：CN113174575B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110352595.7
申请日：2021-03-31
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/18 , H01L23/367 , H01L23/373
摘要： 本发明公开了一种AlN陶瓷基板金属化、热沉一体化制备方法，该制备方法采用物理气相沉积技术在AlN陶瓷基板上依次形成Ti金属化层、Ti‑Cu梯度过渡层和Cu热沉层，在沉积过程中，AlN和Ti层间形成过渡层Al3Ti+TiN；具体包括步骤：对AlN陶瓷基板进行表面抛光处理；将抛光处理后的AlN陶瓷基底进行浸泡，清洗，之后烘干；在清洗后的AlN陶瓷基板表面利用磁控溅射沉积方法依次镀覆Ti金属化层、Ti‑Cu梯度过渡层和Cu热沉层，在沉积过程中，AlN和Ti层间自行成过渡层Al3Ti+TiN，最终形成金属化、热沉一体的AlN陶瓷基板。本发明利用高真空磁控溅射技术在AlN陶瓷基底上沉积金属化、热沉一体化的镀层，整体封装强度大幅度提高，缩短了封装工艺流程，减少了封装消耗，显著降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN114975992A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210607770.7
申请日：2022-05-31
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01M4/58 , H01M10/054
摘要： 本发明属于钠离子电池正极材料技术领域，且公开了一种过渡金属离子掺杂磷酸钒钠正极材料的制备方法，所述材料采用溶胶凝胶‑高温烧结法通过以下步骤制备而成：S1.称取适量的钒源化合物、钠源化合物、磷源化合物和过渡金属离子源化合物，以及一定量的还原剂。本发明通过溶胶凝胶‑高温烧结法在磷酸钒钠电极材料中掺杂过渡金属离子，如铁离子、钴离子和铬离子等，解决了钠离子电池磷酸钒钠正极材料的电导率低，倍率性能差的问题，提高了材料在充放电过程中的循环稳定性，改善材料的容量衰减问题，同时，生产方法简单、掺杂量易于控制，易于量化生产和推广应用。
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公开(公告)号：CN112159956B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202010899071.5
申请日：2020-08-31
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明提供一种以Cu箔为基片的岛状Al薄膜及其制备方法和应用，以Cu箔基片为基体，Al靶为靶材，在Cu箔基片上磁控溅射一层Al薄膜，磁控溅射时间为10s‑5min。本发明解决了充放电过程中Al负极体积膨胀收缩严重，达不到Li离子电池材料的负极使用要求，导致的Al金属粉化、性能失效的问题。
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公开(公告)号：CN112359318A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011120841.8
申请日：2020-10-19
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种含1T相的MoS2薄膜及其制备工艺。该制备工艺利用酒精清洗基体表面并用吹风机吹干，放入磁控溅射腔体中采用MoS2靶和金属靶共溅射在基底上沉积金属掺杂的MoS2层，通过工艺控制可以实现对MoS2相变进行调控获得含1T相的MoS2薄膜。利用该制备工艺制备的薄膜具有优异的导电性、催化活性、电荷存储容量，可用于电化学能量转换与存储、电池电极材料、超级电容器、气体传感器等领域，市场前景广泛，并且制备过程简单易操作，沉积速率快。
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公开(公告)号：CN112159956A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202010899071.5
申请日：2020-08-31
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明提供一种以Cu箔为基片的岛状Al薄膜及其制备方法和应用，以Cu箔基片为基体，Al靶为靶材，在Cu箔基片上磁控溅射一层Al薄膜，磁控溅射时间为10s‑5min。本发明解决了充放电过程中Al负极体积膨胀收缩严重，达不到Li离子电池材料的负极使用要求，导致的Al金属粉化、性能失效的问题。
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公开(公告)号：CN111969212A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010847080.X
申请日：2020-08-21
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01M4/66 , H01M4/04 , H01M4/1391 , H01M10/052 , H01M10/058 , H01M10/42 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种锂电池铜集流体金属诱导层及其制备方法，包括以下步骤，步骤一，原料选取；步骤二：集流体改性；步骤三，全电池正极制备；步骤四，全电池电解质溶液制备；步骤五，全电池组装；该锂电池铜集流体金属诱导层及其制备方法采用连续镀技术在铜集流体上沉积一层诱导的金属诱导层，诱导层对锂层具有低的过电位，集流体在现有集流体的表面镀有一层诱导金属镀层，能够与锂形成合金，诱导层对锂层具有低的过电位，诱导锂均匀沉积，使锂枝晶的生长得到有效抑制，诱导锂均匀沉积，使锂枝晶的生长得到有效抑制，在集流体表面构建了不同的形貌，使锂枝晶的生长得到有效抑制，提高电池的循环稳定性和使用寿命。
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公开(公告)号：CN111900398A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010671088.5
申请日：2020-07-13
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种镁掺杂五氧化二钒纳米带正极材料及其制备方法和水系锌离子电池，该正极材料在合成过程中采用一步水热法，步骤如下：将Mg(CH3COO)2·4H2O晶体与V2O5分散在1mol L-1的CH3COOH溶液中，搅拌均匀；将搅拌好的液体200℃保温，待冷却至室温后洗涤干燥；将干燥后的固体与导电剂和粘结剂混合成正极浆料，涂覆成极片并干燥，最后高纯锌箔、2mol L-1的Zn(TFS)2或ZnSO4水系电解液以及玻璃微纤维隔膜或者化学分析滤纸组装成水系锌离子电池。本发明提供的方法原料成本低，制备工艺简单而且产品电化学性能优异，比容量很高。
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公开(公告)号：CN110438457B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910797399.3
申请日：2019-08-27
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种改性金刚石颗粒、改性方法、作为增强相的应用及得到的金属基复合材料，属于复合材料领域。本发明的金刚石颗粒的改性方法，采用真空滚动镀膜设备，在滚筒内对颗粒进行搅拌，增加了金刚石颗粒镀膜的均匀性；采用多弧离子镀工艺，从靶材表面直接产生等离子体，附着于基体的粒子能量高，镀膜的致密度高，金属更易与金刚石形成碳化物，从而由机械结合变为冶金结合，能够大大降低界面热阻；并采用磁控溅射方法镀膜，改善了多弧离子镀层的表面，使表面更平整，增加金刚石颗粒的流动性，提高热压成型能力，减少气孔的形成；另一方面阻挡多弧离子镀层金属向基体金属中扩散，以防降低基体的热导性能。发明的改性金刚石颗粒，镀层紧致不易脱落。
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