公开(公告)号：CN118983509A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411071986.1

申请日：2024-08-06

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 宋忠孝 ,  王旭阳 ,  刘洋洋 ,  徐谢宇 ,  王永静 ,  陈亚奇

IPC: H01M10/0562 ,  H01M10/052 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种NASICON型固态电解质及其制备方法和应用，属于储能材料技术领域。一种NASICON型固态电解质包括NASICON型固态电解质基体材料和界面修饰层；界面修饰层是通过射频磁溅射法将氟化锂和亲锂金属沉积在NASICON型固态电解质基体材料的一侧或两侧表面形成的纳米层。本发明利用界面修饰层改善了固态电解质基体材料与锂负极之间界面接触性的同时，从根源上避免固态电解质与金属锂的副反应行为。

公开(公告)号：CN114525487A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202210180636.3

申请日：2022-02-26

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王永静 ,  封晨鑫 ,  宋忠孝 ,  张志家 ,  陈亚奇

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C22C30/00 ,  C22C38/30 ,  C22C38/38 ,  C22C38/52 ,  C22C38/58 ,  C23C14/04 ,  C23C14/20

Abstract: 本发明属于复合点阵材料设计制备技术领域，且公开了一种金属‑高熵合金多层膜中空微点阵材料制备方法，具体操作步骤如下：步骤1：在CAD软件建立微点阵材料模型，将CAD文件转成STL格式文件，并将其导入3D的打印设备，利用快速成型技术加工聚合物掩模。本发明所制备的结构可设计性强；得到金属/高熵合金多层膜中空微点阵材料的成本低廉，方法简便、易行，可通过控制溅射时间控制膜层厚度，可实现了管壁厚度在50nm～20μm之间的调控；本发明所制备的微点阵材料具有突出强度和韧性，缓解了传统材料强度和韧性突出的矛盾问题；本发明使用的磁控溅射技术，相对于其他沉积方法，材料选着范围广(金属、高熵合金)，膜层均匀性和结合性较好。

公开(公告)号：CN114574802A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210254139.3

申请日：2022-03-15

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 钱旦 ,  王轩 ,  朱晓东 ,  王永静 ,  王大伟 ,  陈亚奇 ,  李雁淮 ,  宋忠孝

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明属于新材料技术领域，且公开了一种新型碳化铬涂层，该所述碳化铬涂层中Cr元素的原子百分比为60～90％，C元素的原子百分比为40～10％，且碳化铬涂层厚度为0.2～30μm，表面显微硬度为6～24GPa。本发明采用碳化铬靶材与铬金属靶进行共溅射，通过分别调控两种靶的数量和溅射功率来调节涂层中元素比例，得到元素含量适当的Cr‑C二元硬质涂层，可制备铬/碳原子比为1.5：1到9：1之间的特定成分，涂层成分精准、组织致密；打底层到碳化铬为梯度结构，结合强度高；涂层中不含单质碳相，抗高温氧化性能好；涂层不含氢元素，可避免氢脆带来的不利影响；适用于钢、高温合金、钛合金和锆合金等有色金属以及氮化铝和氧化铝等陶瓷基材的防护，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN113862519A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111200191.2

申请日：2021-10-14

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王永静 ,  吴雨豪 ,  朱晓东 ,  陈亚奇

IPC: C22C19/03 ,  C23C14/20 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C21D1/26 ,  C22F1/02 ,  C22F1/10

Abstract: 本发明公开了一种形状记忆合金中空微点阵材料及其制备方法，配方包括：等原子比的NiTi合金，组分的重量百分比是：100％的NiTi合金；制备方法，包括步骤一，聚合物掩模加工；步骤二，NiTi合金膜层溅射成型；步骤三，中空微点阵材料获取；步骤四，具有记忆效应的NiTi合金中空微点阵材料获取；该发明所制备的中空微点阵材料的结构可设计性强；得到形状记忆合金膜中空微点阵材料的方法简便、易行，可通过控制溅射时间控制膜层厚度，可实现了管壁厚度在50nm～20μm之间的调控；本发明所制备的微点阵材料具有轻质、超弹性、突出的记忆效应、高阻尼、能量吸收和生物相容性；相对于其他沉积方法，通过磁控溅射技术的使用，材料选择广泛和膜层均匀性较好。

公开(公告)号：CN112359318A

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN202011120841.8

申请日：2020-10-19

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 宋忠孝 ,  陈亚奇 ,  杜运达 ,  高波 ,  杜晓晔 ,  李雁淮

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种含1T相的MoS2薄膜及其制备工艺。该制备工艺利用酒精清洗基体表面并用吹风机吹干，放入磁控溅射腔体中采用MoS2靶和金属靶共溅射在基底上沉积金属掺杂的MoS2层，通过工艺控制可以实现对MoS2相变进行调控获得含1T相的MoS2薄膜。利用该制备工艺制备的薄膜具有优异的导电性、催化活性、电荷存储容量，可用于电化学能量转换与存储、电池电极材料、超级电容器、气体传感器等领域，市场前景广泛，并且制备过程简单易操作，沉积速率快。