借助HIPIMS的具有减少的生长缺陷的TiCN

    公开(公告)号:CN109154061A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201780029615.9

    申请日:2017-04-21

    摘要: 本发明涉及一种用于借助HiPIMS在待涂覆基材的表面施加具有至少一个TiCN层的涂层的方法,其中,为了沉积所述至少一个TiCN层而采用至少一个含钛靶作为用于产生该TiCN层的钛源,该含钛靶在反应气氛中借助HiPIMS方法在涂覆室内被溅射,其中,该反应气氛包含至少一种稀有气体且最好是氩气和至少作为反应气体的氮气,其中,为了在沉积所述至少一个TiCN层时减少生长缺陷,该反应气氛作为第二反应气体附加包含含碳气体优选是CH4,该含碳气体被用作用于产生该TiCN层的碳源,其中,在沉积该TiCN层期间将双极偏电压加到待涂覆基材上,或者作为用于产生TiCN层的碳源而采用至少一个石墨靶,该石墨靶在该涂覆室内利用只具有氮气作为反应气体的反应气氛并借助HiPIMS方法被溅射,其中,该钛靶最好借助第一功率供应装置或第一功率供应单元以脉冲功率运行,该石墨靶借助第二功率供应装置或第二功率供应单元以脉冲功率运行。

    借助HIPIMS的具有减少的生长缺陷的TiCN

    公开(公告)号:CN109154061B

    公开(公告)日:2021-07-13

    申请号:CN201780029615.9

    申请日:2017-04-21

    摘要: 本发明涉及一种用于借助HiPIMS在待涂覆基材的表面施加具有至少一个TiCN层的涂层的方法,其中,为了沉积所述至少一个TiCN层而采用至少一个含钛靶作为用于产生该TiCN层的钛源,该含钛靶在反应气氛中借助HiPIMS方法在涂覆室内被溅射,其中,该反应气氛包含至少一种稀有气体且最好是氩气和至少作为反应气体的氮气,其中,为了在沉积所述至少一个TiCN层时减少生长缺陷,该反应气氛作为第二反应气体附加包含含碳气体优选是CH4,该含碳气体被用作用于产生该TiCN层的碳源,其中,在沉积该TiCN层期间将双极偏电压加到待涂覆基材上,或者作为用于产生TiCN层的碳源而采用至少一个石墨靶,该石墨靶在该涂覆室内利用只具有氮气作为反应气体的反应气氛并借助HiPIMS方法被溅射,其中,该钛靶最好借助第一功率供应装置或第一功率供应单元以脉冲功率运行,该石墨靶借助第二功率供应装置或第二功率供应单元以脉冲功率运行。