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公开(公告)号：CN102005297A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010269342.5
申请日：2010-08-31
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/2325 , B23K1/0016 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供不降低可靠性并能够用无铅焊料直接覆盖基底电极层的陶瓷电子部件以及陶瓷电子部件的制造方法。端子电极(3)具备由烧结而形成的Cu的基底电极层(21)、由Sn-Ag-Cu-Ni-Ge的五元系无铅焊料而形成的焊料层(22)、在基底电极层(21)与焊料层(22)之间通过Ni扩散而形成的扩散层(23)。这样，因为将Ni的扩散层(23)形成于基底电极层(21)与焊料层(22)之间，所以起到作为屏障层的作用的该扩散层(23)能够抑制基底电极层(21)的Cu的焊料侵蚀。另外，Ni的扩散层(23)能够抑制脆的Sn-Cu金属互化物生长。因此，抑制了基底电极层(21)与焊料层(22)之间的接合强度的降低。
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公开(公告)号：CN1767719B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200510103151.0
申请日：2005-09-16
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 多层基板及其制造方法。本发明提供了一种设计自由度高、适合高密度安装的高性能的多层基板及其制造方法。本发明的多层基板包括层叠的多个绝缘层和在各绝缘层之间形成的配线图形，上述配线图形包括具有预定厚度的第1配线图形(40)和厚度大于上述第1配线图形的第2配线图形(41)，它们共存于同一层内。通过消去法，对厚度一定的导电层(32)进行构图而形成第1配线图形(40)。在形成通孔的同一工序中，通过开孔加工，形成图形形成用槽，然后用导电性材料同时填充通孔和图形形成用槽的内部，由此形成第2配线图形(41)。第1配线图形可优选用作为图形的宽度和厚度偏差小、要求相对于绝缘层的图形厚度精度的高频电路用LC图形和要求阻抗匹配的通常的配线图形。第2配线图形可优选用作为扼流圈用L图形。
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公开(公告)号：CN101783243A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN201010003898.X
申请日：2010-01-15
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/30 , H01G4/232 , H01G4/2325
Abstract: 本发明提供一种陶瓷电子部件(100)，其具备埋设有内部电极的芯片素体(1)、覆盖露出内部电极的芯片素体(1)的端面(11)和垂直于端面(11)的侧面(13、15)的一部分并与内部电极相电连接的端子电极(3)；端子电极(3)从芯片素体(1)侧开始具有第1电极层和玻璃成分的含量比第1电极层少的第2电极层；第2电极层以覆盖侧面(13、15)上的第1电极层的一部分的方式进行设置。
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公开(公告)号：CN1578601A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410055709.8
申请日：2004-07-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L24/82 , H01L21/568 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2224/04105 , H01L2224/05026 , H01L2224/05573 , H01L2224/1134 , H01L2224/13099 , H01L2224/16237 , H01L2224/82039 , H01L2224/82138 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H05K1/185 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 提供一种内置半导体IC模块，使用电极节距非常窄的半导体IC来构成内置半导体IC模块。该内置半导体IC模块包括：树脂层(140、150)；贯通树脂层(140、150)设置的柱电极(120)；以及为埋入在树脂层(140)和树脂层(150)之间而被固定的、通过研磨而薄膜化的半导体IC(130)。在本发明中，由于在将设置于半导体IC(130)中的柱状凸起(132)相对于柱电极(120)进行定位，所以柱状凸起(132)的平面位置实质上被固定，因此，可使用100μm以下、特别是60μm左右的电极节距非常窄的半导体IC。
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公开(公告)号：CN1228068A
公开(公告)日：1999-09-08
申请号：CN98800759.2
申请日：1998-06-01
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C03C10/0054 , C03C14/004 , C03C14/006 , C03C2214/16 , C03C2214/20
Abstract: 本发明提供了由5%～40%重量的硅酸锌弥散于作为基质的35%～75%重量的硼硅酸盐玻璃中而组成的一种非磁性陶瓷，该硼硅酸盐玻璃中SiO2和B2O3含量为：SiO2＝70～90%重量；B2O3＝10～30%重量。利用该非磁性陶瓷可制得多层陶瓷电感。当该陶瓷用作含有电感部分的多层陶瓷部件时，它有低介电常数和良好的高频带特性，能够低温烧成从而使得能使用银电极，能防止烧成后晶片变形和出现裂纹，并且能提供高机械强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108231398B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201711352340.0
申请日：2017-12-15
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 平面线圈的制造方法包括：在基材上形成基底导体层(L1)的工序(S2)，该基底导体层(L1)具有：具有一端及另一端的线圈配线部，将外部电源和线圈配线部的第一连接位置连接的供电配线部(11d)，以及使比第一连接位置更靠另一端侧的线圈配线部的第二连接位置和比第二连接位置更靠一端侧的线圈配线部的第三连接位置短路的连接配线部(11e)；在基底导体层(L1)上通过电解电镀形成配线导体层(L2)的工序(S3)；以及除去供电配线部(11d)及连接配线部(11e)的工序(S4)。
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公开(公告)号：CN108538824A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810171607.4
申请日：2018-03-01
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种半导体芯片的制造方法，将具有基板、形成于基板上的导电部和形成于导电部的微凸起的半导体芯片层叠多片而得到半导体芯片。其中，具备在惰性气氛内使还原性气体流入配置有半导体芯片的空间内，并以微凸起的熔点以上的温度进行加热的加热工序，在加热工序中，在微凸起上载置有压力赋予部件。
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公开(公告)号：CN108538726A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810172586.8
申请日：2018-03-01
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种半导体芯片的制造方法，该半导体芯片具有基板、形成于基板上的导电部、形成于导电部的微凸起，其中，该制造方法具备在微凸起上形成平滑面的平滑面形成工序，平滑面形成工序具备对配置有半导体芯片的空间在惰性气氛内使还原性气体流入，并以微凸起的融点以上的温度进行加热的加热工序，在加热工序中，在微凸起上载置压力赋予部件，压力赋予部件的主面中与微凸起相接的主面为平面。
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公开(公告)号：CN108235570A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711352356.1
申请日：2017-12-15
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 用于平面线圈的制造的配线部件(5B)具备：基材(10)、和形成于基材(10)上的平面线圈图案(11)。平面线圈图案(11)包含：具有一端(11a1)及另一端(11a2)的线圈配线部(11a)，将外部电源和线圈配线部(11a)的第一连接位置(P1)连接的供电配线部(11d)，将与第一连接位置(P1)相比更靠另一端(11a2)侧的线圈配线部(11a)的第二连接位置(P2)和与第二连接位置(P2)相比更靠一端(11a1)侧的线圈配线部(11a)的第三连接位置(P3)进行短路的连接配线部(11e)。平面线圈图案(11)的剖面结构具有形成于基材(10)上的基底树脂层(L0)和形成于基底树脂层(L0)上的导体层(LL)。
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公开(公告)号：CN105989863A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610153971.9
申请日：2016-03-17
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/84
CPC classification number: G11B5/4833 , G11B5/4826 , G11B5/84 , G11B5/8412 , G11B5/85 , G11B5/851 , G11B5/858
Abstract: 本发明提供臂及悬架的接合强度优异的磁头装置。磁头装置具备臂、与臂的前端部重叠的悬架、位于悬架的前端部的滑块、以及位于臂的前端部和悬架之间且将臂和悬架接合的接合部，接合部含有Sn。
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