晶片电子器件的清洗干燥方法及装置

    公开(公告)号:CN1486796A

    公开(公告)日:2004-04-07

    申请号:CN03153863.0

    申请日:2003-08-25

    Abstract: 本发明能够起到无需溶剂置换而改善操作环境、缩短前置时间、更为省力、进而减少干燥之后的晶片电子器件的污染物(污垢)的效果。其具备:将晶片电子器件容纳到开孔容器中进行超声波清洗的超声波清洗部,在超声波清洗结束之后、对容纳在开孔容器中的晶片电子器件利用空气吸引进行脱水除滴和热风干燥的脱水干燥部,以及通过送风对经过该脱水除滴和热风干燥之后的晶片电子器件进行干燥冷却的干燥冷却部。在前述超声波清洗部中,控制清洗水的电导率以使其不超过一定值、例如不超过2μS/cm。

    晶片电子器件的清洗干燥方法及装置

    公开(公告)号:CN1240491C

    公开(公告)日:2006-02-08

    申请号:CN03153863.0

    申请日:2003-08-25

    Abstract: 本发明能够起到无需溶剂置换而改善操作环境、缩短前置时间、更为省力、进而减少干燥之后的晶片电子器件的污染物(污垢)的效果。其具备:将晶片电子器件容纳到开孔容器中进行超声波清洗的超声波清洗部,在超声波清洗结束之后、对容纳在开孔容器中的晶片电子器件利用空气吸引进行脱水除滴和热风干燥的脱水干燥部,以及通过送风对经过该脱水除滴和热风干燥之后的晶片电子器件进行干燥冷却的干燥冷却部。在前述超声波清洗部中,控制清洗水的电导率以使其不超过一定值、例如不超过2μS/cm。

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