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公开(公告)号：CN102951901A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110271171.4
申请日：2011-09-05
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/465 , C04B35/47 , C04B35/48 , C04B35/49 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 本发明的电介质瓷组成物，是含有钙钛矿型化合物(ABO3)，相对于100摩尔的化合物，用各氧化物换算，含有0.6～2.5摩尔的RA2O3(RA为Dy、Gd以及Td中选出的一种以上)、0.2～1.0摩尔的RB2O3(RB为Ho和/或Y)、0.1～1.0摩尔的RC2O3(RC为Yb和/或Lu)、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的Si化合物，RA2O3的含量(α)、RB2O3的含量(β)、RC2O3的含量(γ)满足关系式1.2≤α/β≤5.0、0.5≤β/γ≤10.0。这种电介质瓷组成物最好是使用于电介质层的厚度为5.0微米以下的电子零件。如果采用本发明，则能够提供即使是在电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及电子零件。
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公开(公告)号：CN101265087B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200810082345.0
申请日：2008-02-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01L41/187 , H01B3/12
Abstract: 电介质陶瓷组合物，它是含有：含BaTiO3的主成分；含BaZrO3的第1副成分；含Mg氧化物的第2副成分；含稀土类元素氧化物的第3副成分；含选自Mn、Cr、Co和Fe中一种以上元素的氧化物的第4副成分；和含选自Si、Al、Ge、B和Li中一种以上元素的氧化物的第5副成分的电介质陶瓷组合物，其中：在构成电介质陶瓷组合物的电介质粒子之中至少有一部分电介质粒子具有由中心层和存在于其周围的扩散层构成的表面扩散结构。设在电介质粒子界面附近R浓度为CR，设扩散层中R浓度的最大值为CRmax时，CRmax/CR＞1。另外，设在电介质粒子界面附近的Mg浓度为CM，设扩散层中Mg浓度的最大值为CMmax时，CMmax/CM＞1。
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公开(公告)号：CN102190486A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110059754.0
申请日：2011-03-04
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/465 , C04B35/48 , C04B35/49 , C04B35/622 , H01B3/12
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , H01G4/1227 , H01G4/1245
Abstract: 本发明的电介质瓷组成物，是含有钙钛矿型化合物(ABO3)，相对于100摩尔的化合物，用各氧化物换算，含有1.0～2.5摩尔的RA2O3(RA为Dy、Gd以及Td中选出的一种以上)、0.2～1.0摩尔的RB2O3(RB为Ho和/或Y)、0.1～1.0摩尔的RC2O3(RC为Yb和/或Lu)、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的Si化合物，RA2O3的含量(α)、RB2O3的含量(β)、RC2O3的含量(γ)满足关系式2.5≤α/β≤5.0、1.0≤β/γ≤10.0。这种电介质瓷组成物最好是使用于电介质层的厚度为5.0微米以下的电子零件。如果采用本发明，则能够提供即使是在电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及电子零件。
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公开(公告)号：CN110092661B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201910073473.7
申请日：2019-01-25
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有优异的可靠性的电介质陶瓷组合物及适用了该电介质陶瓷组合物的电子部件。一种电介质陶瓷组合物，在A表示A位点的元素、B表示B位点的元素、O表示氧元素的情况下，以通式ABO3表示的钙钛矿型化合物为主成分，A包含Ba，B包含Ti及Zr，由X射线衍射法求出的烧结体晶格体积为以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110092661A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910073473.7
申请日：2019-01-25
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有优异的可靠性的电介质陶瓷组合物及适用了该电介质陶瓷组合物的电子部件。一种电介质陶瓷组合物，在A表示A位点的元素、B表示B位点的元素、O表示氧元素的情况下，以通式ABO3表示的钙钛矿型化合物为主成分，A包含Ba，B包含Ti及Zr，由X射线衍射法求出的烧结体晶格体积为 以上。
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公开(公告)号：CN102951901B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201110271171.4
申请日：2011-09-05
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/465 , C04B35/47 , C04B35/48 , C04B35/49 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 本发明的电介质瓷组成物，是含有钙钛矿型化合物(ABO3)，相对于100摩尔的化合物，用各氧化物换算，含有0.6～2.5摩尔的RA2O3(RA为Dy、Gd以及Td中选出的一种以上)、0.2～1.0摩尔的RB2O3(RB为Ho和/或Y)、0.1～1.0摩尔的RC2O3(RC为Yb和/或Lu)、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的Si化合物，RA2O3的含量(α)、RB2O3的含量(β)、RC2O3的含量(γ)满足关系式1.2≤α/β≤5.0、0.5≤β/γ≤10.0。这种电介质瓷组成物最好是使用于电介质层的厚度为5.0微米以下的电子零件。如果采用本发明，则能够提供即使是在电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及电子零件。
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公开(公告)号：CN101265087A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810082345.0
申请日：2008-02-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01L41/187 , H01B3/12
Abstract: 电介质陶瓷组合物，它是含有：含BaTiO3的主成分；含BaZrO3的第1副成分；含Mg氧化物的第2副成分；含稀土类元素氧化物的第3副成分；含选自Mn、Cr、Co和Fe中一种以上元素的氧化物的第4副成分；和含选自Si、Al、Ge、B和Li中一种以上元素的氧化物的第5副成分的电介质陶瓷组合物，其中：在构成电介质陶瓷组合物的电介质粒子之中至少有一部分电介质粒子具有由中心层和存在于其周围的扩散层构成的表面扩散结构。设在电介质粒子界面附近R浓度为CR，设扩散层中R浓度的最大值为CRmax时，CRmax/CR＞1。另外，设在电介质粒子界面附近的Mg浓度为CM，设扩散层中Mg浓度的最大值为CMmax时，CMmax/CM＞1。
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公开(公告)号：CN1578601A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410055709.8
申请日：2004-07-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L24/82 , H01L21/568 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2224/04105 , H01L2224/05026 , H01L2224/05573 , H01L2224/1134 , H01L2224/13099 , H01L2224/16237 , H01L2224/82039 , H01L2224/82138 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H05K1/185 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 提供一种内置半导体IC模块，使用电极节距非常窄的半导体IC来构成内置半导体IC模块。该内置半导体IC模块包括：树脂层(140、150)；贯通树脂层(140、150)设置的柱电极(120)；以及为埋入在树脂层(140)和树脂层(150)之间而被固定的、通过研磨而薄膜化的半导体IC(130)。在本发明中，由于在将设置于半导体IC(130)中的柱状凸起(132)相对于柱电极(120)进行定位，所以柱状凸起(132)的平面位置实质上被固定，因此，可使用100μm以下、特别是60μm左右的电极节距非常窄的半导体IC。
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公开(公告)号：CN110092656B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201910072676.4
申请日：2019-01-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/47 , C04B35/465 , H01G4/12 , H01G4/30 , C04B35/49
Abstract: 本发明提供一种具有优异的可靠性的电介质陶瓷组合物及适用了该电介质陶瓷组合物的电子部件。一种电介质陶瓷组合物，其在A表示A位点的元素、B表示B位点的元素、O表示氧元素的情况下，以通式ABO3表示的钙钛矿型化合物为主成分，A包含Ba，A进一步包含选自Ca及Sr中的至少1种，B包含Ti，由X射线衍射法求得的烧结体晶格体积为以下。
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