公开(公告)号：CN115775686A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202210936939.3

申请日：2022-08-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井口俊宏 ,  永岛义崇 ,  奥井保弘 ,  石津谷正英 ,  日高优贵

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G13/00

Abstract: 本发明的层叠电子部件具备：多个电介质层、和与多个电介质层交替地层叠的多个电极层。多个电介质层的任意的多个部位的电介质层的厚度的分布的偏度为0.2以上。

公开(公告)号：CN102190486A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110059754.0

申请日：2011-03-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高野弘介 ,  福冈智久 ,  前田信 ,  松永裕太 ,  石津谷正英 ,  石山保 ,  山田高裕

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/48 ,  C04B35/49 ,  C04B35/622 ,  H01B3/12

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245

Abstract: 本发明的电介质瓷组成物，是含有钙钛矿型化合物(ABO3)，相对于100摩尔的化合物，用各氧化物换算，含有1.0～2.5摩尔的RA2O3(RA为Dy、Gd以及Td中选出的一种以上)、0.2～1.0摩尔的RB2O3(RB为Ho和/或Y)、0.1～1.0摩尔的RC2O3(RC为Yb和/或Lu)、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的Si化合物，RA2O3的含量(α)、RB2O3的含量(β)、RC2O3的含量(γ)满足关系式2.5≤α/β≤5.0、1.0≤β/γ≤10.0。这种电介质瓷组成物最好是使用于电介质层的厚度为5.0微米以下的电子零件。如果采用本发明，则能够提供即使是在电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及电子零件。

公开(公告)号：CN115249585B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202210408753.0

申请日：2022-04-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 石津谷正英

IPC: H01G4/224 ,  H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供能够容易制造、而且可靠性优异的电子零件。电子零件具有沿着周向具有多个侧面(5a～5d)的元件主体(4)。元件主体(4)具有沿着周向连续地覆盖多个侧面(5a～5d)的绝缘层(16a～16d)，绝缘层(16a～16d)的熔点低于元件主体(4)的电介质层(10、11)的熔点。绝缘层的主成分为玻璃。

公开(公告)号：CN114551101A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111319204.8

申请日：2021-11-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井口俊宏 ,  石津谷正英 ,  芝原豪

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/232 ,  H01G4/005 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供一种即使薄层化，可靠性也不会恶化，并且抑制裂纹的产生的层叠电子部件。该层叠电子部件具备将电介质层和内部电极层交替层叠的元件主体，其中，内部电极层的厚度偏差比电介质层的厚度偏差大。

公开(公告)号：CN102190486B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110059754.0

申请日：2011-03-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高野弘介 ,  福冈智久 ,  前田信 ,  松永裕太 ,  石津谷正英 ,  石山保 ,  山田高裕

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/48 ,  C04B35/49 ,  C04B35/622 ,  H01B3/12

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245

Abstract: 本发明的电介质瓷组成物，是含有钙钛矿型化合物(ABO3)，相对于100摩尔的化合物，用各氧化物换算，含有1.0～2.5摩尔的RA2O3(RA为Dy、Gd以及Td中选出的一种以上)、0.2～1.0摩尔的RB2O3(RB为Ho和/或Y)、0.1～1.0摩尔的RC2O3(RC为Yb和/或Lu)、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的Si化合物，RA2O3的含量(α)、RB2O3的含量(β)、RC2O3的含量(γ)满足关系式2.5≤α/β≤5.0、1.0≤β/γ≤10.0。这种电介质瓷组成物最好是使用于电介质层的厚度为5.0微米以下的电子零件。如果采用本发明，则能够提供即使是在电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及电子零件。

公开(公告)号：CN115249586B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202210408375.6

申请日：2022-04-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 石津谷正英

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供能够容易制造，而且可靠性优异的电子零件。电子零件具有沿着周向具有多个侧面(5a～5d)的元件主体(4)。元件主体(4)具有沿着周向连续地覆盖多个侧面(5a～5d)的绝缘层(16a～16d)，绝缘层(16a～16d)的特性(孔隙率、电介质颗粒形等)沿着周向实际上相同。

公开(公告)号：CN115249586A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202210408375.6

申请日：2022-04-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 石津谷正英

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供能够容易制造，而且可靠性优异的电子零件。电子零件具有沿着周向具有多个侧面(5a～5d)的元件主体(4)。元件主体(4)具有沿着周向连续地覆盖多个侧面(5a～5d)的绝缘层(16a～16d)，绝缘层(16a～16d)的特性(孔隙率、电介质颗粒形等)沿着周向实际上相同。

公开(公告)号：CN114551101B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202111319204.8

申请日：2021-11-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井口俊宏 ,  石津谷正英 ,  芝原豪

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/232 ,  H01G4/005 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供一种即使薄层化，可靠性也不会恶化，并且抑制裂纹的产生的层叠电子部件。该层叠电子部件具备将电介质层和内部电极层交替层叠的元件主体，其中，内部电极层的厚度偏差比电介质层的厚度偏差大。

公开(公告)号：CN115249585A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202210408753.0

申请日：2022-04-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 石津谷正英

IPC: H01G4/224 ,  H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供能够容易制造、而且可靠性优异的电子零件。电子零件具有沿着周向具有多个侧面(5a～5d)的元件主体(4)。元件主体(4)具有沿着周向连续地覆盖多个侧面(5a～5d)的绝缘层(16a～16d)，绝缘层(16a～16d)的熔点低于元件主体(4)的电介质层(10、11)的熔点。绝缘层的主成分为玻璃。