公开(公告)号：CN102190486B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110059754.0

申请日：2011-03-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高野弘介 ,  福冈智久 ,  前田信 ,  松永裕太 ,  石津谷正英 ,  石山保 ,  山田高裕

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/48 ,  C04B35/49 ,  C04B35/622 ,  H01B3/12

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245

Abstract: 本发明的电介质瓷组成物，是含有钙钛矿型化合物(ABO3)，相对于100摩尔的化合物，用各氧化物换算，含有1.0～2.5摩尔的RA2O3(RA为Dy、Gd以及Td中选出的一种以上)、0.2～1.0摩尔的RB2O3(RB为Ho和/或Y)、0.1～1.0摩尔的RC2O3(RC为Yb和/或Lu)、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的Si化合物，RA2O3的含量(α)、RB2O3的含量(β)、RC2O3的含量(γ)满足关系式2.5≤α/β≤5.0、1.0≤β/γ≤10.0。这种电介质瓷组成物最好是使用于电介质层的厚度为5.0微米以下的电子零件。如果采用本发明，则能够提供即使是在电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及电子零件。

公开(公告)号：CN101549997A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910134079.6

申请日：2009-03-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高野弘介 ,  宫内真理 ,  森崎信人 ,  关秀明 ,  前田信 ,  山田高裕

IPC: C04B35/468 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/4682 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/785 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明涉及电介质陶瓷组合物，该电介质陶瓷组合物具有：含有钛酸钡的主成分、含有MgO的第1副成分、含有SiO2系烧结助剂的第2副成分、含有V2O5、Nb2O5和WO3中的至少一种的第3副成分、含有RA的氧化物(其中RA为选自Tb、Gd和Dy中的至少一种)的第4A副成分、含有RB的氧化物(其中RB为选自Ho、Y和Yb中的至少一种)的第4B副成分、以及含有MnO或Cr2O3的第5副成分。

公开(公告)号：CN102190486A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110059754.0

申请日：2011-03-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高野弘介 ,  福冈智久 ,  前田信 ,  松永裕太 ,  石津谷正英 ,  石山保 ,  山田高裕

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/48 ,  C04B35/49 ,  C04B35/622 ,  H01B3/12

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245

Abstract: 本发明的电介质瓷组成物，是含有钙钛矿型化合物(ABO3)，相对于100摩尔的化合物，用各氧化物换算，含有1.0～2.5摩尔的RA2O3(RA为Dy、Gd以及Td中选出的一种以上)、0.2～1.0摩尔的RB2O3(RB为Ho和/或Y)、0.1～1.0摩尔的RC2O3(RC为Yb和/或Lu)、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的Si化合物，RA2O3的含量(α)、RB2O3的含量(β)、RC2O3的含量(γ)满足关系式2.5≤α/β≤5.0、1.0≤β/γ≤10.0。这种电介质瓷组成物最好是使用于电介质层的厚度为5.0微米以下的电子零件。如果采用本发明，则能够提供即使是在电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及电子零件。