公开(公告)号：CN104944941B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201510131705.1

申请日：2015-03-24

申请人： TDK株式会社

发明人： 森崎信人 ,  吉田武尊 ,  福冈智久 ,  松永裕太 ,  小松和博

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/465 ,  C04B35/47 ,  C04B35/48 ,  C04B35/49 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC分类号： C04B35/4682 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/85 ,  H01G4/1227

摘要： 本发明提供一种电介质陶瓷组合物，其特征在于，是具备具有由通式ABO3(A是选自Ba、Ca和Sr当中的至少一种，B是选自Ti和Zr当中的至少一种)表示的钙钛矿型结晶结构的主成分、以及至少含有稀土化合物的添加物的电介质陶瓷组合物，至少具备具有核壳结构的电介质颗粒和偏析颗粒，在所述偏析颗粒中所述稀土化合物的浓度为所述具有核壳结构的电介质颗粒的壳部的所述稀土化合物平均浓度的2倍以上，所述偏析颗粒所占的面积为0.1～1.1％，在令所述偏析颗粒的最大粒径为rbmax、所述偏析颗粒的最小粒径为rbmin、具有所述核壳结构的电介质颗粒的平均粒径为ra的情况下，rbmax/ra≤2.00和rbmin/ra≥0.25，不存在实质上含有Mg的所述偏析颗粒。

公开(公告)号：CN102190486B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110059754.0

申请日：2011-03-04

申请人： TDK株式会社

发明人： 高野弘介 ,  福冈智久 ,  前田信 ,  松永裕太 ,  石津谷正英 ,  石山保 ,  山田高裕

IPC分类号： C04B35/465 ,  C04B35/48 ,  C04B35/49 ,  C04B35/622 ,  H01B3/12

CPC分类号： C04B35/4682 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245

摘要： 本发明的电介质瓷组成物，是含有钙钛矿型化合物(ABO3)，相对于100摩尔的化合物，用各氧化物换算，含有1.0～2.5摩尔的RA2O3(RA为Dy、Gd以及Td中选出的一种以上)、0.2～1.0摩尔的RB2O3(RB为Ho和/或Y)、0.1～1.0摩尔的RC2O3(RC为Yb和/或Lu)、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的Si化合物，RA2O3的含量(α)、RB2O3的含量(β)、RC2O3的含量(γ)满足关系式2.5≤α/β≤5.0、1.0≤β/γ≤10.0。这种电介质瓷组成物最好是使用于电介质层的厚度为5.0微米以下的电子零件。如果采用本发明，则能够提供即使是在电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及电子零件。

公开(公告)号：CN104003711B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201410064852.7

申请日：2014-02-25

申请人： TDK株式会社

发明人： 森崎信人 ,  佐佐木孝 ,  福冈智久 ,  松永裕太 ,  小松和博

IPC分类号： C04B35/465 ,  C04B35/48

CPC分类号： C04B35/4682 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/30 ,  Y10T428/2982

摘要： 本发明提供一种即便在提高施加于电介质层上的电场强度，并且增加层叠陶瓷电容器的层叠数目的情况下也能显示良好的特性的电介质陶瓷组合物和电子部件。该电介质陶瓷组合物，含有钙钛矿型化合物（ABO3），相对于100mol化合物含有以下物质：以换算成各氧化物时含有Ra2O3（Ra为选自Dy、Gd和Tb中的至少1种以上）0.6～1.4mol；Rb2O3（Rb为Ho和/或Y）0.2～0.7mol；Rc2O3（Rc为选自Yb和/或Lu中的至少1种）0.2～0.7mol；换算成Mg时为0.6～1.6mol以下的Mg的氧化物；以及换算成Si时为0.6～1.2mol（不包括1.2）的Si的化合物。

公开(公告)号：CN102951901B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201110271171.4

申请日：2011-09-05

申请人： TDK株式会社

发明人： 福冈智久 ,  高野弘介 ,  前田信 ,  松永裕太

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/465 ,  C04B35/47 ,  C04B35/48 ,  C04B35/49 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

摘要： 本发明的电介质瓷组成物，是含有钙钛矿型化合物(ABO3)，相对于100摩尔的化合物，用各氧化物换算，含有0.6～2.5摩尔的RA2O3(RA为Dy、Gd以及Td中选出的一种以上)、0.2～1.0摩尔的RB2O3(RB为Ho和/或Y)、0.1～1.0摩尔的RC2O3(RC为Yb和/或Lu)、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的Si化合物，RA2O3的含量(α)、RB2O3的含量(β)、RC2O3的含量(γ)满足关系式1.2≤α/β≤5.0、0.5≤β/γ≤10.0。这种电介质瓷组成物最好是使用于电介质层的厚度为5.0微米以下的电子零件。如果采用本发明，则能够提供即使是在电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及电子零件。

公开(公告)号：CN104003711A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410064852.7

申请日：2014-02-25

申请人： TDK株式会社

发明人： 森崎信人 ,  佐佐木孝 ,  福冈智久 ,  松永裕太 ,  小松和博

IPC分类号： C04B35/465 ,  C04B35/48

CPC分类号： C04B35/4682 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/30 ,  Y10T428/2982

摘要： 本发明提供一种即便在提高施加于电介质层上的电场强度，并且增加层叠陶瓷电容器的层叠数目的情况下也能显示良好的特性的电介质陶瓷组合物和电子部件。该电介质陶瓷组合物，含有钙钛矿型化合物（ABO3），相对于100mol化合物含有以下物质：以换算成各氧化物时含有Ra2O3（Ra为选自Dy、Gd和Tb中的至少1种以上）0.6～1.4mol；Rb2O3（Rb为Ho和/或Y）0.2～0.7mol；Rc2O3（Rc为选自Yb和/或Lu中的至少1种）0.2～0.7mol；换算成Mg时为0.6～1.6mol以下的Mg的氧化物；以及换算成Si时为0.6～1.2mol（不包括1.2）的Si的化合物。

公开(公告)号：CN102951901A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201110271171.4

申请日：2011-09-05

申请人： TDK株式会社

发明人： 福冈智久 ,  高野弘介 ,  前田信 ,  松永裕太

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/465 ,  C04B35/47 ,  C04B35/48 ,  C04B35/49 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

摘要： 本发明的电介质瓷组成物，是含有钙钛矿型化合物(ABO3)，相对于100摩尔的化合物，用各氧化物换算，含有0.6～2.5摩尔的RA2O3(RA为Dy、Gd以及Td中选出的一种以上)、0.2～1.0摩尔的RB2O3(RB为Ho和/或Y)、0.1～1.0摩尔的RC2O3(RC为Yb和/或Lu)、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的Si化合物，RA2O3的含量(α)、RB2O3的含量(β)、RC2O3的含量(γ)满足关系式1.2≤α/β≤5.0、0.5≤β/γ≤10.0。这种电介质瓷组成物最好是使用于电介质层的厚度为5.0微米以下的电子零件。如果采用本发明，则能够提供即使是在电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及电子零件。

公开(公告)号：CN104944941A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510131705.1

申请日：2015-03-24

申请人： TDK株式会社

发明人： 森崎信人 ,  吉田武尊 ,  福冈智久 ,  松永裕太 ,  小松和博

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/465 ,  C04B35/47 ,  C04B35/48 ,  C04B35/49 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC分类号： C04B35/4682 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/85 ,  H01G4/1227

摘要： 本发明提供一种电介质陶瓷组合物，其特征在于，是具备具有由通式ABO3(A是选自Ba、Ca和Sr当中的至少一种，B是选自Ti和Zr当中的至少一种)表示的钙钛矿型结晶结构的主成分、以及至少含有稀土化合物的添加物的电介质陶瓷组合物，至少具备具有核壳结构的电介质颗粒和偏析颗粒，在所述偏析颗粒中所述稀土化合物的浓度为所述具有核壳结构的电介质颗粒的壳部的所述稀土化合物平均浓度的2倍以上，所述偏析颗粒所占的面积为0.1～1.1％，在令所述偏析颗粒的最大粒径为rbmax、所述偏析颗粒的最小粒径为rbmin、具有所述核壳结构的电介质颗粒的平均粒径为ra的情况下，rbmax/ra≤2.00和rbmin/ra≥0.25，不存在实质上含有Mg的所述偏析颗粒。

公开(公告)号：CN102190486A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110059754.0

申请日：2011-03-04

申请人： TDK株式会社

发明人： 高野弘介 ,  福冈智久 ,  前田信 ,  松永裕太 ,  石津谷正英 ,  石山保 ,  山田高裕

IPC分类号： C04B35/465 ,  C04B35/48 ,  C04B35/49 ,  C04B35/622 ,  H01B3/12

CPC分类号： C04B35/4682 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245

摘要： 本发明的电介质瓷组成物，是含有钙钛矿型化合物(ABO3)，相对于100摩尔的化合物，用各氧化物换算，含有1.0～2.5摩尔的RA2O3(RA为Dy、Gd以及Td中选出的一种以上)、0.2～1.0摩尔的RB2O3(RB为Ho和/或Y)、0.1～1.0摩尔的RC2O3(RC为Yb和/或Lu)、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的Si化合物，RA2O3的含量(α)、RB2O3的含量(β)、RC2O3的含量(γ)满足关系式2.5≤α/β≤5.0、1.0≤β/γ≤10.0。这种电介质瓷组成物最好是使用于电介质层的厚度为5.0微米以下的电子零件。如果采用本发明，则能够提供即使是在电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及电子零件。