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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108538736A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810171606.X
申请日：2018-03-01
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/603 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件的制造方法，该半导体封装件是具有基板、形成于基板上的导电部和形成于导电部的微凸起的半导体芯片层叠多片而得到的半导体封装件，其中，该制造方法具备：平滑面形成工序，在微凸起上形成平滑面；叠层工序，通过在一个半导体芯片的微凸起上重叠另一个半导体芯片的微凸起，从而将半导体芯片层叠三片以上；接合工序，通过将微凸起加热使其熔融，经由该微凸起将半导体芯片彼此接合，在叠层工序中，在一个半导体芯片和另一个半导体芯片中的、至少一个微凸起上形成平滑面，一个微凸起在平滑面上与另一个微凸起接触。
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公开(公告)号：CN108538726B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201810172586.8
申请日：2018-03-01
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种半导体芯片的制造方法，该半导体芯片具有基板、形成于基板上的导电部、形成于导电部的微凸起，其中，该制造方法具备在微凸起上形成平滑面的平滑面形成工序，平滑面形成工序具备对配置有半导体芯片的空间在惰性气氛内使还原性气体流入，并以微凸起的融点以上的温度进行加热的加热工序，在加热工序中，在微凸起上载置压力赋予部件，压力赋予部件的主面中与微凸起相接的主面为平面。
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公开(公告)号：CN108538824B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201810171607.4
申请日：2018-03-01
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种半导体芯片的制造方法，将具有基板、形成于基板上的导电部和形成于导电部的微凸起的半导体芯片层叠多片而得到半导体芯片。其中，具备在惰性气氛内使还原性气体流入配置有半导体芯片的空间内，并以微凸起的熔点以上的温度进行加热的加热工序，在加热工序中，在微凸起上载置有压力赋予部件。
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公开(公告)号：CN108538824A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810171607.4
申请日：2018-03-01
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种半导体芯片的制造方法，将具有基板、形成于基板上的导电部和形成于导电部的微凸起的半导体芯片层叠多片而得到半导体芯片。其中，具备在惰性气氛内使还原性气体流入配置有半导体芯片的空间内，并以微凸起的熔点以上的温度进行加热的加热工序，在加热工序中，在微凸起上载置有压力赋予部件。
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公开(公告)号：CN108538726A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810172586.8
申请日：2018-03-01
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种半导体芯片的制造方法，该半导体芯片具有基板、形成于基板上的导电部、形成于导电部的微凸起，其中，该制造方法具备在微凸起上形成平滑面的平滑面形成工序，平滑面形成工序具备对配置有半导体芯片的空间在惰性气氛内使还原性气体流入，并以微凸起的融点以上的温度进行加热的加热工序，在加热工序中，在微凸起上载置压力赋予部件，压力赋予部件的主面中与微凸起相接的主面为平面。
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