公开(公告)号：CN101620990A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200910023359.X

申请日：2009-07-17

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 贾仁需 ,  张玉明 ,  张义门 ,  郭辉 ,  王悦湖

IPC: H01L21/02 ,  C23C14/48 ,  C23C14/06 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40 ,  C23C28/04

Abstract: 本发明公开了一种减少4H-SiC中本征深能级缺陷的方法，可用于4H-SiC材料质量的改进和器件的应用。其具体过程是：(1)对4H-SiC衬底进行预处理，并在该4H-SiC衬底正面生长N - 外延层；(2)在N - 型外延层上淀积一层SiO 2 ，作为碳离子注入的阻挡层；(3)在阻挡层表面上依次进行3次不同能量和剂量的碳离子注入；(4)对三次碳离子注入后的4H-SiC样片进行RCA清洗和烘干，并在氢气和硅烷的高温环境中退火，对注入的碳离子进行激活，完成对4H-SiC材料本征深能级缺陷的处理。实测表明，本发明能有效减少4H-SiC样片中的深能级缺陷，可用于4H-SiC材料质量的改进和器件性能的提升。

公开(公告)号：CN109326682B

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201810906340.9

申请日：2018-08-10

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王悦湖 ,  张菊 ,  王雨田 ,  张玉明 ,  宋庆文 ,  汤晓燕 ,  张艺蒙

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/11

Abstract: 本发明涉及一种基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管及其制备方法，所述方法包括：在SiC衬底的上表面连续生长同质外延层、InP层以及金刚石层；在所述金刚石层的上表面生长第一金属材料，形成光吸收层；在所述SiC衬底的下表面生长第二金属材料，形成底电极；在所述光吸收层的上表面生长第三金属材料，形成顶电极，从而制备出所述基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管。本发明基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管及其制备方法将金刚石材料应用于光吸收层，该材料在日盲区的光透率极高，有利于提高光吸收层的光吸收能力，能够大幅提高光电探测二极管的器件性能。

公开(公告)号：CN104241348B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201410428862.4

申请日：2014-08-28

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 宋庆文 ,  周婷 ,  王悦湖 ,  汤晓燕 ,  张艺蒙 ,  张玉明

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明实施例提供了一种低导通电阻的SiC IGBT及其制备方法，涉及高压功率半导体器件技术领域，可以提高漂移区电导，可以降低器件的导通压降和导通电阻，从而减小正向导通功耗。所述碳化硅绝缘栅双极型晶体管包括：P+衬底(1)，N+缓冲层(2)，N‑漂移区(3)，N+空穴阻挡层(4)，N+空穴阻挡层(5)，P阱区(6)，P+欧姆接触区(7)，N+源区(8)，SiO2栅氧化层(9)，栅极(10)，发射极(11)，集电极(12)，P阱区(6)与N‑漂移区(3)之间设置有横向N+空穴阻挡层(4)和纵向N+空穴阻挡层(5)，P阱区(6)和N+空穴阻挡层(4)和(5)均为恒定掺杂。

公开(公告)号：CN103928524B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201410166459.9

申请日：2014-04-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 宋庆文 ,  蒋明伟 ,  汤晓燕 ,  张艺蒙 ,  贾仁需 ,  王悦湖 ,  张玉明

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种带有N型漂移层台面的碳化硅UMOSFET器件及制作方法，该碳化硅UMOSFET器件包括栅极、多晶硅、槽栅介质、源极、源区接触、p‑外延层、N‑漂移层台面、N‑漂移层、N+衬底和漏极，其中，所述N‑漂移层台面设置在所述槽栅介质SiO2和N‑漂移层之间，所述N‑漂移层台面两侧为P‑外延层；所述N‑漂移层台面宽度小于多晶硅的宽度；N‑漂移层台面与所述N‑漂移层的掺杂浓度相同，为氮离子掺杂浓度为1×1015cm‑3～6×1015cm‑3的N型碳化硅外延层。本发明碳化硅PN结界面可以代替SiO2和碳化硅界面承受更高的耐压，这样增加了器件的可靠性。

公开(公告)号：CN104264219A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201410350129.5

申请日：2014-07-22

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王悦湖 ,  胡继超 ,  宋庆文 ,  张艺蒙 ,  张玉明

IPC: C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种基区缓变掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；(2)向反应室通入H2直至反应室气压到达100mbar，保持反应室气压恒定，再将H2流量逐渐增至60L/min，继续向反应室通气；(3)打开高频线圈感应加热器RF，逐渐增大该加热器的功率，当反应室温度升高逐渐至1400℃进行原位刻蚀；(4)当反应室温度到达到1580℃-1600℃时，保持温度和压强恒定，向反应室通入C3H8和SiH4，生长缓冲层。缓冲层生长结束后，设置N2流量，生长低掺杂的集电区。集电区生长结束后，设置Al流量，生长双层阶梯掺杂的基区，其中第一层低掺缓变区，第二层为高掺杂。最后，设置N2流量，生长高掺杂的发射区。

公开(公告)号：CN104233464A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410350268.8

申请日：2014-07-22

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王悦湖 ,  胡继超 ,  张艺蒙 ,  宋庆文 ,  张玉明

IPC: C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/32

Abstract: 本发明涉及一种控制氢气流量P型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，所述制备方法包括以下步骤：（1）将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；（2）向反应室通入H2直至反应室气压到达100mbar，保持反应室气压恒定，再将H2流量逐渐增至60L/min，继续向反应室通气；（3）打开高频线圈感应加热器RF，逐渐增大该加热器的功率，当反应室温度升高逐渐至1400℃进行原位刻蚀；（4）当反应室温度到达到1580℃-1600℃时，保持温度和压强恒定，向反应室通入C3H8和SiH4；将液态三甲基铝放置于鼓泡器中用作掺杂源，将一定量的H2通入鼓泡器中，使H2携带三甲基铝通入反应室中。

公开(公告)号：CN104233462A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410349892.6

申请日：2014-07-22

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王悦湖 ,  涂银辉 ,  胡继超 ,  张艺蒙 ,  张玉明

IPC: C30B25/16 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明涉及一种控制生长压强P型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，所述制备方法包括以下步骤：（1）将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；（2）向反应室通入H2直至反应室气压到达100mbar，保持反应室气压恒定，再将H2流量逐渐增至60L/min，继续向反应室通气；（3）打开高频线圈感应加热器RF，逐渐增大该加热器的功率，当反应室温度升高逐渐至1400℃进行原位刻蚀；（4）当反应室温度到达到1580℃-1600℃时，保持温度和压强恒定，向反应室通入C3H8和SiH4；将液态三甲基铝放置于鼓泡器中用作掺杂源，将一定量的H2通入鼓泡器中，使H2携带三甲基铝通入反应室中。

公开(公告)号：CN104233218A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410350089.4

申请日：2014-07-22

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王悦湖 ,  胡继超 ,  张艺蒙 ,  宋庆文 ,  张玉明

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种控制生长压强N型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，所述制备方法包括以下步骤：（1）将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；（2）向反应室通入H2直至反应室气压到达100mbar，保持反应室气压恒定，再将H2流量逐渐增至80L/min，继续向反应室通气；（3）打开高频线圈感应加热器RF，逐渐增大该加热器的功率，当反应室温度升高逐渐至1400℃进行原位刻蚀；（4）当反应室温度到达到1580℃-1600℃时，将反应室压强增大到300mbar，保持温度和压强稳定，向反应室通入C3H8和SiH4；将高纯N2用作N型掺杂源通入反应室中。

公开(公告)号：CN104131335A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410349940.1

申请日：2014-07-22

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王悦湖 ,  胡继超 ,  宋庆文 ,  张艺蒙 ,  张玉明

IPC: C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明涉及一种控制掺杂源流量N型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；(2)向反应室通入H2直至反应室气压到达100mbar，保持反应室气压恒定，再将H2流量逐渐增至60L/min，继续向反应室通气；(3)打开高频线圈感应加热器RF，逐渐增大该加热器的功率，当反应室温度升高逐渐至1400℃进行原位刻蚀；(4)当反应室温度到达到1580℃-1600℃时，保持温度和压强恒定，向反应室通入C3H8和SiH4；将高纯N2用作N型掺杂源通入反应室中；当第一层N型掺杂层生长结束后，停止向反应室通入SiH4、C3H8和高纯N2并保持1min，其间调整高纯N2流量；之后继续向反应室通入SiH4、C3H8和高纯N2生长第二层N型掺杂层。

公开(公告)号：CN104064247A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410301095.0

申请日：2014-06-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  顾磊 ,  王悦湖 ,  宋庆文 ,  张玉明

IPC: G21H1/06

Abstract: 本发明公开了一种3D式PIN结构β辐照电池及其制备方法，主要解决当前β辐照电池能量转化率及输出功率低的问题。其实现步骤是：在清洗后的4H-SiC衬底上依次外延生长N型低掺杂4H-SiC外延层和P型高掺杂4H-SiC外延层；再在P型高掺杂外延层上和SiC衬底未外延背面淀积Ni欧姆接触电极；然后在P型欧姆接触电极上光刻出沟槽窗口，并刻蚀沟槽；最后在沟槽中放置β放射源，得到3D式PIN结构β辐照电池。本发明制作出的β辐照电池具有β放射源与半导体接触面积大，核原料利用率及能量收集率高，电池输出电流和输出电压大的优点，可为心脏起搏器等微小电路持久供电，或在需长期供电但无人看守的场合下供电。