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公开(公告)号：CN111029460B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911229888.5
申请日：2019-12-04
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种基于互补型SiC的新型晶体管器件及其制备方法，包括：选取SiC衬底，中部用绝缘阻挡层分开；在所述SiC衬底一侧表面生长N型SiC外延层及电子传输层，在所述SiC衬底另一侧表面生长P型SiC外延层及空穴传输层；在所述两侧传输层表面生长钙钛矿光吸收层；在所述两侧钙钛矿光吸收层表面生长绝缘层；在所述两侧绝缘层表面生长栅电极；在所述SiC衬底两侧表面分别生长源漏电极，最终形成所述基于互补型SiC/钙钛矿传输层异质结的晶体管器件。本发明的晶体管采用钙钛矿光吸收层/传输层来为沟道提供光生载流子，提高了现有技术中的SiC晶体管器件的迁移率、开关速度等重要参数，增加了器件集成度，降低器件功耗。
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公开(公告)号：CN111463274A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010218115.3
申请日：2020-03-25
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/20 , H01L29/40 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，尤其涉及一种基于氮化镓外延异质结的常开型HEMT器件及其制备方法。器件包括GaN外延、SiN钝化层、源漏电极、栅电极、第一SiO2钝化层、源场板、第二SiO2钝化层；所述GaN外延位于最底层，所述SiN钝化层、源漏电极均位于GaN外延表面，第一SiO2钝化层位于SiN钝化层表面、源漏电极之间并覆盖栅电极；所述源场板位于第一SiO2钝化层和源电极表面，所述第二SiO2钝化层位于最顶层并覆盖源场板，这种器件发热量小，极限工作温度高，且GaN介电常数较小，器件的寄生电容更小，使其更适用于制造抗辐射、耐高温、高频、微波器件。
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公开(公告)号：CN106788278A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611090968.3
申请日：2016-12-01
Applicant: 西北工业大学
CPC classification number: H03F1/26 , H03F1/56 , H03F3/19 , H03F3/24 , H03F2200/372 , H03F2200/451
Abstract: 本发明公开一种KU波段低噪声放大器，包括第一级共源共栅级联电感源级负反馈结构、级间匹配网络、第二级共源共栅级联电感源级负反馈结构，所述的第一级共源共栅级联电感源级负反馈结构通过级间匹配网络和第二级共源共栅级联电感源级负反馈结构相连接。本发明具有以下有益效果：(1)工作频带为12GHz～18GHz；(2)增益(S21)最小为20dB，且具备良好的增益平坦度；(3)在工作带宽内输入匹配S11、输出匹配S22噪声系数小于‑10dB；(4)在波段内K＞1，即电路满足无条件稳定。
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公开(公告)号：CN106783996A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611090387.X
申请日：2016-12-01
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/0603 , H01L29/0684 , H01L29/4232 , H01L29/42364 , H01L29/66462 , H01L29/7786
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，特别是涉及一种高电子迁移率晶体管及其制备方法。具体包括了n型GaAs衬底(1)、厚度为150nm的GaAs外延层(2)、厚度为600nm的AlGaSb缓冲层(3)、厚度为70nm的下层AlSb势垒层(4)、厚度为12nm的InAs沟道层(5)、厚度为5nm的上层AlSb势垒层(6)、厚度为6nm的InAlAs空穴阻挡层(7)、厚度为4nm的InAs帽层(8)、HfO2栅介质层(9)以及金属层(10)，解决了现有技术中将Si掺杂于GaSb和AlSb中时则会出现p型特性的技术问题，本发明进一步解决的技术问题是现有技术中因没有介质层的设置，或介质层的缺陷而造成高电子迁移率晶体管漏电及不稳定的问题。
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公开(公告)号：CN118740079A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410961036.X
申请日：2024-07-17
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本申请的实施例涉及电子元件技术领域，公开了一种基于零电流软开关的高效率开关电容电感功率放大器，包括：低位支路二元分离阵列和高位支路一元并列阵列；高位支路一元分离阵列由若干个零电流软开关单元并联构成，低位支路二元分离阵列包括若干个零电流软开关单元、接地支路、若干个第二电容和若干个第二电感；低位支路二元分离阵列的输出端和高位支路一元并联阵列的输出端相连，构成功率放大器的输出端。本申请的实施例提供的一种基于零电流软开关的高效率开关电容电感功率放大器，借助电感电容串联谐振的能量存储功能，解决了传统SCPA的电容充放电动态功耗，同时提升了输出功率回退区的能量效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117690887A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311558965.8
申请日：2023-11-21
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/52 , H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种双面散热的氧化镓芯片倒装封装结构及其制备方法和应用，涉及半导体结构技术领域。该结构包括双面散热的氧化镓芯片倒装结构，以及对双面散热的氧化镓芯片倒装结构封装塑封外壳；双面散热的氧化镓芯片倒装结构从上至下依次包括热沉材料层、氧化镓芯片、双面覆铜陶瓷基板以及高导热底板层；氧化镓芯片，采用倒装结构，电极朝下，且通过互连铜柱与双面覆铜陶瓷基板连接；位于氧化镓芯片底部与双面覆铜陶瓷基板之间设有填充层，填充层包裹着互连铜柱。本发明采用双面散热结构能够使芯片产生的热量可以通过封装主体顶部的热沉层和底部的高导热底板结构来提高散热效果。
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公开(公告)号：CN106788278B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201611090968.3
申请日：2016-12-01
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开一种KU波段低噪声放大器，包括第一级共源共栅级联电感源级负反馈结构、级间匹配网络、第二级共源共栅级联电感源级负反馈结构，所述的第一级共源共栅级联电感源级负反馈结构通过级间匹配网络和第二级共源共栅级联电感源级负反馈结构相连接。本发明具有以下有益效果：(1)工作频带为12GHz～18GHz；(2)增益(S21)最小为20dB，且具备良好的增益平坦度；(3)在工作带宽内输入匹配S11、输出匹配S22噪声系数小于‑10dB；(4)在波段内K＞1，即电路满足无条件稳定。
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公开(公告)号：CN110911565A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911228621.4
申请日：2019-12-04
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种基于N型SiC的新型晶体管器件及其制备方法，包括：选取碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底表面使用第一掩模版生长电子传输层；在所述电子传输层表面生长钙钛矿光吸收层；在所述钙钛矿光吸收层表面生长绝缘层；在所述绝缘层表面生长栅电极；在所述碳化硅衬底表面使用第二掩模版生长源漏电极，最终形成所述基于N型碳化硅/钙钛矿传输层异质结的晶体管器件。由于本发明的晶体管采用钙钛矿光吸收层/电子传输层来为沟道提供相同极性光生载流子，提高了现有技术中的碳化硅晶体管器件的迁移率、开关速度等其他重要参数。
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公开(公告)号：CN106711762B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201710045602.2
申请日：2017-01-20
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子器件领域，并且更特别地，涉及一种新型的可调谐垂直腔面发射激光器的制备方法。针对现有技术中可调谐垂直腔面发射激光器制造工艺成品率低，价格高昂的技术问题，本发明提出了一种新型的可调谐垂直腔面发射激光器的制备方法。通过利用黑蜡作为支撑层结合ELO工艺剥离外延层；避免了等离子体刻蚀的操作步骤，显著降低了可调谐垂直腔面发射激光器的制造成本，提高了制造成品率。
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公开(公告)号：CN106784042A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611090967.9
申请日：2016-12-01
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/022425 , H01L31/022441
Abstract: 本发明涉及电池制造技术领域，提供了一种制备杂化太阳能电池的方法，通过插指电极刷图法、电池导电薄膜喷涂法，实现在低温环境下制备杂化太阳能电池，并且不影响电池其它方面的性能，从而有效提高了杂化太阳能电池制造的自动化水平，避免了在插指电极制造过程中由于高温工艺而对有机薄膜造成损伤，提高了电池的使用效率，简化了杂化太阳能电池的制备方法。
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