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公开(公告)号：CN113242029A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110515535.2
申请日：2021-05-12
Applicant: 西北工业大学深圳研究院 , 西北工业大学
IPC: H03H7/38
Abstract: 本发明涉及一种基于集总元件的多频阻抗匹配方法，首先用第一级匹配网络，实现f1阻抗匹配。接着利用由谐振频率为f1的串联谐振回路和并联谐振回路组成的第二级匹配网络，在不影响f1阻抗匹配的情况下，实现f2阻抗匹配。依次类推，第n级匹配网络由谐振频率在f1、f2…fn‑1的串联谐振回路和并联谐振回路通过并联和串联的连接形式组成，在不影响f1、f2…fn‑1阻抗匹配的情况下，实现fn阻抗匹配。增加级联的匹配网络，理论上可以实现任意多频点、任意阻抗的阻抗匹配。本发明的多个频点、阻抗点之间不相关，可以任意选取，可以应用到射频功率放大器、低噪声放大器、无线能量收集等多种电路设计中，有利于提高系统设计的灵活性，减小电路体积。
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公开(公告)号：CN119047923A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411251647.1
申请日：2024-09-08
Applicant: 西北工业大学 , 西北工业大学重庆科创中心
IPC: G06Q10/0639 , G06F18/25 , G06F18/22 , G06F17/16 , G06F17/10
Abstract: 本发明提供了一种基于相关系数和关联证据融合的人因可靠性评估方法，用于提升人因可靠性评估的准确性。本发明的方案为：首先，通过利用已得到的BPA计算证据体之间的所有相似度，并构造相关矩阵；然后计算所有证据的可信度即权重；接下来计算所有证据项的加权平均值；最后我们通过Dempster组合规则将平均证据融合(P‑1)次得到最后的结果。基于相关系数和关联证据融合的人因可靠性评估方法考虑了如何从信息源关联性的角度解决证据理论中的冲突信息融合问题，并且相应地降低了任务之间关联性评价的主观性，从而提升了人因可靠性评估的准确性。
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公开(公告)号：CN119004354A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410373370.3
申请日：2024-03-29
Applicant: 西北工业大学 , 西北工业大学重庆科创中心
IPC: G06F18/25 , G06F18/214 , G06F18/24 , G06F18/22
Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的证据理论中非完备信息融合加速计算方法，该方法将非完备信息融合加速计算任务分配给ZYNQ嵌入系统中的Progarmmable Logic(PL)和Processing System(PS)两个部分，其中PS部分基于ARM的SOC实现非完备信息的建模，而PL部分基于FPGA实现证据理论加速，PL和PS通过Advanced eXtensible interface(AXI)接口连接。本发明提出了非完备信息融合加速计算的硬件架构，可有效解决证据组合中可能出现的“焦元爆炸”问题，提高证据理论融合处理的效率和速度。
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公开(公告)号：CN118971408A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411054179.9
申请日：2024-08-02
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本申请的实施例涉及微波电能转化装置领域，公开了一种基于环形耦合器的极化非敏感微波电能转化装置，包括：环形耦合器、第一整流器、第二整流器、特征阻抗为Z0的λ0/4传输线、双极化天线；环形耦合器包含四个端口和连接两两端口且特征阻抗为#imgabs0#的四段传输线。本申请的实施例提供的一种基于环形耦合器的极化非敏感微波电能转换装置，可以实现对于空间中不同极化的微波电能捕获后的整流与功分，解决了微波电能转化中存在天线极化失配问题的现有技术中存在的集成度差、功率分配难的问题。
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公开(公告)号：CN118116970A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410311921.3
申请日：2024-03-19
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L29/778 , H01L23/373 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种具有金刚石插入结构的高导热氮化镓HEMT器件及其制备方法和应用，涉及半导体技术领域。包括衬底，以及衬底上设置的外延层；外延层包括从下至上依次设置的金刚石缓冲层、沟道层以及势垒层；金刚石缓冲层内贯穿插设有导热柱，且导热柱的一端延伸至沟道层内；势垒层上设置有源极、栅极、漏极；源极和漏极分别穿过势垒层与沟道层相接触；势垒层上以及位于源极、栅极和漏极之间设置有钝化层。本发明通过在器件底部金刚石缓冲层及衬底之间设置导热柱，实现对GaN HEMT器件热点源头进行热管理，充分发挥GaN材料的大功率优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110993707B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201911166673.3
申请日：2019-11-25
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体领域，具体提供了一种基于氧化镓多层堆叠结构的PIN二极管，包括最底层的Ga2O3衬底、生长在所述Ga2O3衬底表面一侧的CsPbI3层和另一侧的底电极、生长在所述CsPbI3层表面的钙钛矿层、生长在所述钙钛矿层表面的本征ZnO层以及生长在所述ZnO层表面的顶电极；本发明的PIN二极管具有使载流子快速分离和传导的性能，应用在光电探测器中可以使光电探测器实现紫外‑可见光的双波段探测。
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公开(公告)号：CN111081886B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201911166662.5
申请日：2019-11-25
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明属于半导体领域，具体提供了一种基于Ga2O3/钙钛矿多层堆叠结构的PIN二极管，包括最底层的Ga2O3衬底、生长在Ga2O3衬底表面一侧的CsPbI3层和另一侧的底电极、生长在CsPbI3层表面以CH3NH3PbI3、CH3NH3PbCl3、CH3NH3SnI3等材料的钙钛矿层、生长在以CH3NH3PbI3、CH3NH3PbCl3、CH3NH3SnI3等材料的钙钛矿层表面的本征Ga2O3层以及生长在Ga2O3层表面的顶电极；本发明的PIN二极管具有使载流子快速分离和传导的性能，应用在光电探测器中可以使光电探测器实现紫外‑可见光的双波段探测。
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公开(公告)号：CN118917344A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410939404.0
申请日：2024-07-15
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本申请的实施例涉及零功耗反向散射通信技术领域，公开了一种反向散射矢量调制标签电路，包括：共口径的正交双极化天线、正交耦合器、1/8波长移相单元、第一晶体管、第二晶体管；1/8波长移相单元和正交耦合器的直通端连接，第一晶体管的源极和1/8波长移相单元连接，第二晶体管的源极和正交耦合器的耦合端连接，第一晶体管的漏极和第二晶体管的漏极连接，第一晶体管的栅极和第一控制电平连接，第二晶体管的栅极和第二控制电平连接。本申请的实施例提供的一种反向散射矢量调制标签电路，仅使用两个多幅度电平信号即可实现QAM调制，满足高传输速率和低功耗的要求。
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公开(公告)号：CN115148795A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210595458.0
申请日：2022-05-29
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L29/205 , H01L29/8605 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN异质结外延的压敏电阻器件及方法，包括依次从下往上堆叠的衬底、AlN/AlInGaN缓冲层、uGaN缓冲层、GaN沟道层、AlN势垒插入层、Al(In)GaN势垒层、GaN帽层和两个金属电极；GaN沟道层、AlN势垒插入层、Al(In)GaN势垒层和GaN帽层的中部被刻蚀形成一个槽；所述两个金属电极分布在槽两侧；金属电极从下至上依次为Ti、Al、Ni、Au四层结构。本发明制备方法简单且所得器件具有典型的压敏电阻特性。
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公开(公告)号：CN111029461B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911229898.9
申请日：2019-12-04
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种基于P型SiC的新型晶体管器件及其制备方法，包括：选取碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底表面使用第一掩模版生长空穴传输层；在所述空穴传输层表面生长钙钛矿光吸收层；在所述钙钛矿光吸收层表面或所述衬底下表面生长绝缘层；在所述绝缘层表面生长栅电极；在所述碳化硅衬底表面使用第二掩模版生长源漏电极，最终形成所述基于碳化硅/钙钛矿传输层异质结的晶体管器件；由于本发明的晶体管采用钙钛矿光吸收层/传输层来为沟道提供相同极性光生载流子，提高了现有技术中的碳化硅晶体管器件的迁移率、开关速度等其他重要参数。
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