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公开(公告)号：CN115513050A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211012216.0
申请日：2022-08-23
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L21/3065 , H01L21/306 , H01L21/308
Abstract: 本发明公开了一种新型氮化镓外延材料的刻蚀方法，具体操作包括生长掩膜层；刻蚀掩膜图形；等离子体刻蚀；湿法溶液处理；重复干湿法刻蚀；去除掩膜层；清洗烘干。本发明采用基于等离子体和湿法溶液共同处理的新型刻蚀方法，通过交替循环执行干湿法刻蚀，达到刻蚀速率可控、刻蚀深度可控和表面形态可控的效果。
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公开(公告)号：CN115290705A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210793222.8
申请日：2022-07-05
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Sm掺杂的SnS2/ZnS分级微球结构的三乙胺室温传感器及方法，包括Al2O3陶瓷管、环形金电极、铂丝导线和Sm掺杂的SnS2/ZnS分级微球敏感材料；以Al2O3陶瓷管作为衬底，在Al2O3陶瓷管外表面设有两条平行的环形金电极；所述Sm掺杂的SnS2/ZnS分级微球敏感材料涂覆在环形金电极上及Al2O3陶瓷管外表面两条环形金电极中间区域。利用Sm掺杂的SnS2/ZnS分级微球作为敏感材料，能够显著提高室温下的三乙胺传感性能，包括较高灵敏度、快速的反应/恢复速度、较低的检测下限和良好的选择性，促进此种传感器在室温气体检测领域的实用化。
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公开(公告)号：CN115290705B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202210793222.8
申请日：2022-07-05
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Sm掺杂的SnS2/ZnS分级微球结构的三乙胺室温传感器及方法，包括Al2O3陶瓷管、环形金电极、铂丝导线和Sm掺杂的SnS2/ZnS分级微球敏感材料；以Al2O3陶瓷管作为衬底，在Al2O3陶瓷管外表面设有两条平行的环形金电极；所述Sm掺杂的SnS2/ZnS分级微球敏感材料涂覆在环形金电极上及Al2O3陶瓷管外表面两条环形金电极中间区域。利用Sm掺杂的SnS2/ZnS分级微球作为敏感材料，能够显著提高室温下的三乙胺传感性能，包括较高灵敏度、快速的反应/恢复速度、较低的检测下限和良好的选择性，促进此种传感器在室温气体检测领域的实用化。
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公开(公告)号：CN115469276A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211085540.5
申请日：2022-09-06
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01S7/02 , G01S13/88 , A61B5/05 , A61B5/0205
Abstract: 本发明公开一种双音雷达射频前端电路，包括双极化天线、环形器I、II、信号源I、II、III、正交耦合器、混频器I、II构成。双极化天线的水平极化与垂直极化端口分别接环形器I、II端口1，环形器I、II端口3分别接信号源I、II，环形器I、II端口2分别接正交耦合器输入(P1)与隔离(P4)端口，正交耦合器直通(P2)与耦合(P3)端口分别接混频器I、II端口1，混频器I、II端口3接信号源III，混频器I、II端口2输出差分中频IF+与IF‑，实现一种双音雷达射频前端电路。
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公开(公告)号：CN115148795A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210595458.0
申请日：2022-05-29
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L29/205 , H01L29/8605 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN异质结外延的压敏电阻器件及方法，包括依次从下往上堆叠的衬底、AlN/AlInGaN缓冲层、uGaN缓冲层、GaN沟道层、AlN势垒插入层、Al(In)GaN势垒层、GaN帽层和两个金属电极；GaN沟道层、AlN势垒插入层、Al(In)GaN势垒层和GaN帽层的中部被刻蚀形成一个槽；所述两个金属电极分布在槽两侧；金属电极从下至上依次为Ti、Al、Ni、Au四层结构。本发明制备方法简单且所得器件具有典型的压敏电阻特性。
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