公开(公告)号：CN105006463B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201510179207.4

申请日：2015-04-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·鲍尔 ,  L·海策尔 ,  C·施廷普菲尔

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及用于制造半导体封装件的方法和半导体封装件，提供了一种用于制造半导体封装件的方法，包括：提供包括孔径的第一衬底，提供第一半导体芯片，将所述第一半导体芯片连接至所述第一衬底，使用第一绝缘材料填充所述孔径，以及使用第二绝缘材料包封所述半导体芯片，以创建第一包封体。

公开(公告)号：CN107403782A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710358120.2

申请日：2017-05-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·鲍尔 ,  J·丹格尔迈尔 ,  R·恩格尔 ,  J·加特鲍尔 ,  F·希勒 ,  M·许廷格 ,  W·卡纳特 ,  H·克尔纳 ,  J·马勒 ,  B·吕勒 ,  F·J·桑托斯罗德里格斯 ,  A·韦莱伊

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60

Abstract: 在各种实施例中，提供了芯片封装体。所述芯片封装体可包括：芯片；包括非贵金属并且电接触所述芯片的金属接触结构；封装材料；和保护层，所述保护层包括或基本上由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成，其中，所述保护层可包括贵金属，所述保护层的所述部分可包括多个不含所述贵金属的区域，所述不含所述贵金属的区域可提供所述封装材料与所述金属接触结构的非贵金属之间的接合面。

公开(公告)号：CN105810595A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610042137.2

申请日：2016-01-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·鲍尔 ,  H·德普克 ,  D·迈尔 ,  G·迈尔-贝格 ,  D·波尔沃尔 ,  T·施密特 ,  C·冯韦希特尔

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  B32B37/26 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/562 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H05K3/007 ,  Y10S156/93 ,  Y10S156/941 ,  H01L21/50 ,  H01L21/7813

Abstract: 一种用于处理产品衬底的方法包括将承载体粘结至产品衬底。将永久性粘合剂的层施加到承载体的表面上。提供结构化的中间层。所施加的永久性粘合剂将承载体粘结至产品衬底。结构化的中间层布置在产品衬底与承载体之间。结构化的中间层的表面和永久性粘合剂的表面与产品衬底的表面直接接触。结构化的中间层减小产品衬底与承载体之间的粘合强度。