公开(公告)号：CN110785901B

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN201880041719.6

申请日：2018-04-27

Applicant: 索尼公司

Inventor： 滨口达史 ,  御友重吾 ,  佐藤进 ,  中岛博 ,  伊藤仁道 ,  川西秀和

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/343

Abstract: 一种制造发光元件的方法，至少包括以下步骤：(A)形成堆叠结构20，堆叠结构20包括GaN基化合物半导体，并且在堆叠结构中堆叠以下层：第一化合物半导体层21、有源层23和第二化合物半导体层22，并在第一化合物半导体层21的第一面侧形成凹面镜部43；然后(B)在第二化合物半导体层22上形成光敏材料层35；并且然后(C)使光敏材料层35暴露于通过堆叠结构20的来自凹面镜部侧的光，从而获得包括光敏材料层35的处理掩模层，并且然后使用处理掩模层对第二化合物半导体层22进行处理。

公开(公告)号：CN109923742A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201780066313.9

申请日：2017-09-01

Applicant: 索尼公司

Inventor： 佐藤进 ,  滨口达史 ,  泉将一郎 ,  风田川统之 ,  伊藤仁道 ,  御友重吾 ,  中岛博

IPC: H01S5/183

Abstract: 该发光元件设置有由GaN化合物半导体形成的层压结构20，所述层压结构中层压有：第一化合物半导体层21，其具有第一表面21a和在第一表面21a的相反侧上的第二表面21b；有源层23，其面向第一化合物半导体层21的第二表面21b；以及第二化合物半导体层22，其具有面向有源层23的第一表面22a和在第一表面22a的相反侧上的第二表面22b。所述发光元件还设置有：第一光反射层41，其设置在第一化合物半导体层21的第一表面21a侧；和第二光反射层42，其设置在第二化合物半导体层22的第二表面22b侧。所述第一光反射层41具有凹面镜部分43，所述第二光反射层42具有平坦形状。

公开(公告)号：CN104160521A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201380008509.4

申请日：2013-02-05

Applicant: 索尼公司 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 田才邦彦 ,  中岛博 ,  风田川统之 ,  簗岛克典 ,  盐谷阳平 ,  熊野哲弥 ,  京野孝史

IPC: H01L33/32 ,  H01S5/343

Abstract: 一种半导体器件，其包括：具有半极面的半导体基板，由六方III族氮化物半导体形成；第一导电类型的第一包覆层，由Inx1Aly1Ga1-x1-y1N(其中，x1>0且y1>0)形成；第二导电类型的第二包覆层，由Inx2Aly2Ga1-x2-y2N(其中，0≤x2≤0.02且0.03≤y2≤0.07)形成；以及在第一包覆层和第二包覆层之间形成的发光层。该半导体器件配备有在半导体基板的半极面上形成的外延层。

公开(公告)号：CN1460284A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN02800852.9

申请日：2002-03-27

Applicant: 索尼公司

Inventor： 小林俊雅 ,  簗嶋克典 ,  山口恭司 ,  中岛博

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L31/10 ,  H01L33/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L31/1852 ,  H01L33/007 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12 ,  Y02E10/544

Abstract: 构造了一种氮化物半导体器件，使得器件的设计和制造具有高可靠性和灵活性。该氮化物半导体器件包括形成在蓝宝石衬底(10)上且每个均在其一侧表面上具有掩模(12)的籽晶部分(11)、以及通过横向生长法形成在蓝宝石衬底(10)和籽晶部分(11)上的GaN层(15)。因为GaN层(15)仅自籽晶部分(11)的暴露且未覆盖掩模(12)的侧面上生长，所以其横向生长非对称地进行，从而汇合部分(32)在GaN层(15)的厚度方向上形成在籽晶部分(11)和掩模(12)之间的界面附近。汇合部分(32)在平行于衬底表面的方向上在一个偏离相邻籽晶部分(11)之间的中心的位置上形成，这提供了一种结构，其中，相对于籽晶部分(11)的间距WP的横向生长区的宽度WL大于传统结构的。

公开(公告)号：CN104160521B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201380008509.4

申请日：2013-02-05

Applicant: 索尼公司 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 田才邦彦 ,  中岛博 ,  风田川统之 ,  簗岛克典 ,  盐谷阳平 ,  熊野哲弥 ,  京野孝史

IPC: H01L33/32 ,  H01S5/343

Abstract: 一种半导体器件，其包括：具有半极面的半导体基板，由六方III族氮化物半导体形成；第一导电类型的第一包覆层，由Inx1Aly1Ga1‑x1‑y1N(其中，x1>0且y1>0)形成；第二导电类型的第二包覆层，由Inx2Aly2Ga1‑x2‑y2N(其中，0≤x2≤0.02且0.03≤y2≤0.07)形成；以及在第一包覆层和第二包覆层之间形成的发光层。该半导体器件配备有在半导体基板的半极面上形成的外延层。

公开(公告)号：CN1237578C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN02800852.9

申请日：2002-03-27

Applicant: 索尼公司

Inventor： 小林俊雅 ,  簗克典 ,  山口恭司 ,  中岛博

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L31/10 ,  H01L33/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L31/1852 ,  H01L33/007 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12 ,  Y02E10/544

Abstract: 构造了一种氮化物半导体器件，使得器件的设计和制造具有高可靠性和灵活性。该氮化物半导体器件包括形成在蓝宝石衬底(10)上且每个均在其一侧表面上具有掩模(12)的籽晶部分(11)、以及通过横向生长法形成在蓝宝石衬底(10)和籽晶部分(11)上的GaN层(15)。因为GaN层(15)仅自籽晶部分(11)的暴露且未覆盖掩模(12)的侧面上生长，所以其横向生长非对称地进行，从而汇合部分(32)在GaN层(15)的厚度方向上形成在籽晶部分(11)和掩模(12)之间的界面附近。汇合部分(32)在平行于衬底表面的方向上在一个偏离相邻籽晶部分(11)之间的中心的位置上形成，这提供了一种结构，其中，相对于籽晶部分(11)的间距WP的横向生长区的宽度WL大于传统结构的。