公开(公告)号：CN1460284A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN02800852.9

申请日：2002-03-27

Applicant: 索尼公司

Inventor： 小林俊雅 ,  簗嶋克典 ,  山口恭司 ,  中岛博

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L31/10 ,  H01L33/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L31/1852 ,  H01L33/007 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12 ,  Y02E10/544

Abstract: 构造了一种氮化物半导体器件，使得器件的设计和制造具有高可靠性和灵活性。该氮化物半导体器件包括形成在蓝宝石衬底(10)上且每个均在其一侧表面上具有掩模(12)的籽晶部分(11)、以及通过横向生长法形成在蓝宝石衬底(10)和籽晶部分(11)上的GaN层(15)。因为GaN层(15)仅自籽晶部分(11)的暴露且未覆盖掩模(12)的侧面上生长，所以其横向生长非对称地进行，从而汇合部分(32)在GaN层(15)的厚度方向上形成在籽晶部分(11)和掩模(12)之间的界面附近。汇合部分(32)在平行于衬底表面的方向上在一个偏离相邻籽晶部分(11)之间的中心的位置上形成，这提供了一种结构，其中，相对于籽晶部分(11)的间距WP的横向生长区的宽度WL大于传统结构的。

公开(公告)号：CN1237578C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN02800852.9

申请日：2002-03-27

Applicant: 索尼公司

Inventor： 小林俊雅 ,  簗克典 ,  山口恭司 ,  中岛博

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L31/10 ,  H01L33/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L31/1852 ,  H01L33/007 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12 ,  Y02E10/544

Abstract: 构造了一种氮化物半导体器件，使得器件的设计和制造具有高可靠性和灵活性。该氮化物半导体器件包括形成在蓝宝石衬底(10)上且每个均在其一侧表面上具有掩模(12)的籽晶部分(11)、以及通过横向生长法形成在蓝宝石衬底(10)和籽晶部分(11)上的GaN层(15)。因为GaN层(15)仅自籽晶部分(11)的暴露且未覆盖掩模(12)的侧面上生长，所以其横向生长非对称地进行，从而汇合部分(32)在GaN层(15)的厚度方向上形成在籽晶部分(11)和掩模(12)之间的界面附近。汇合部分(32)在平行于衬底表面的方向上在一个偏离相邻籽晶部分(11)之间的中心的位置上形成，这提供了一种结构，其中，相对于籽晶部分(11)的间距WP的横向生长区的宽度WL大于传统结构的。