公开(公告)号：CN101516970B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200780034461.9

申请日：2007-09-21

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 岩沢晴生 ,  酒井达也 ,  松木安生 ,  玉木研太郎

IPC: C08G77/12 ,  C04B41/81 ,  C09D183/05 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/3124 ,  C08G77/06 ,  C08G77/12 ,  C08G77/16 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明涉及有机硅树脂，其特征在于：由下述示性式(1)表示：(H2SiO)n(Si1.5)m(SiO2)k(1)(式(1)中，n、m和k分别为数，n+m+k＝1时，n为0.05以上，m超过0但为0.95以下，k为0～0.2)，该树脂在120℃下为固态。本发明的有机硅树脂适合在用于形成长宽比较大的沟槽隔离的组合物中使用。

公开(公告)号：CN102713002A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180007388.2

申请日：2011-01-26

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 ,  JSR株式会社

Inventor： 下田达也 ,  松木安生 ,  申仲荣

IPC: C23C18/10 ,  H05K3/00

CPC classification number: C23C18/1603 ,  C23C18/06 ,  C23C18/08 ,  C23C18/10 ,  C23C18/42 ,  C23C22/73 ,  H05K3/182 ,  H05K2203/0709 ,  H05K2203/1105 ,  Y10T428/12028 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/1275 ,  Y10T428/24917

Abstract: 本发明涉及图案化导电膜的形成方法，其特征在于，所述形成方法经由如下的工序：在50~120℃的温度下，使形成有铂微晶粒子构成的图案化的层的基板接触胺化合物与氢化铝的络合物。根据本发明，可提供用于无需笨重高大的装置而简便地形成能够确保与基板之间的电接合、可理想地适用于许多电子装置的图案化导电层的方法。

公开(公告)号：CN101365821B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200680052501.8

申请日：2006-07-27

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 酒井达也 ,  松木安生 ,  河口和雄

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C16/4485 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873

Abstract: 本发明涉及一种使形成有选自钴化合物、钌化合物和钨化合物中的至少一种金属化合物的膜的基体上的金属化合物升华，将该升华气体向用于形成金属膜的基体供给并分解，由此在基体表面上形成金属膜的方法。提供一种能简单形成下述金属膜的方法：在绝缘体基板的沟槽内，采用镀敷法将金属特别是铜埋入之际，在形成种子层的同时，还起到防止金属原子向绝缘膜迁移的阻挡层的作用，且和绝缘体的密合性优良的金属膜。

公开(公告)号：CN1868037A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200480030494.2

申请日：2004-10-06

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 松木安生 ,  王道海 ,  酒井达也 ,  岩泽晴生

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  B05D3/00 ,  B32B15/01 ,  C01B33/04 ,  C07F17/02

CPC classification number: H01L21/28518 ,  C07F17/02 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/14

Abstract: 本发明提供一种不需要高价的真空装置或高频发生装置、并且制造成本低的用于形成硅·钴膜的组合物和方法。所述用于形成硅·钴膜的组合物含有硅化合物和钴化合物。将该组合物涂布在基体上，通过热和光进行处理时，形成硅·钴膜。

公开(公告)号：CN102656667A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201080059237.7

申请日：2010-12-22

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 ,  JSR株式会社

Inventor： 下田达也 ,  松木安生 ,  川尻陵

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/288

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/288 ,  H01L29/665

Abstract: 本发明涉及结晶性硅化钴膜的形成方法，其特征在于：经过在由硅构成的表面上涂布将下式(1A)或(1B)所示的化合物或其聚合物与0价钴络合物混合而得到的组合物形成涂膜，将该涂膜在550～900℃下加热的步骤，形成由第一层和第二层构成的双层膜，然后除去上述双层膜的上述第二层，其中，该第一层在由硅构成的表面上，由结晶性硅化钴构成；该第二层在该第一层上，含有硅原子、氧原子、碳原子和钴原子。式(1A)和(1B)中，X分别为氢原子或卤原子，n为1～10的整数，m为3～10的整数。

公开(公告)号：CN1965034A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200580018977.5

申请日：2005-04-13

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 王勇 ,  松木安生

IPC: C09B57/10 ,  C07D213/79 ,  H01L31/04 ,  H01M14/00 ,  C07F15/00 ,  C09K3/00

CPC classification number: Y02E10/542

Abstract: 本发明提供新型的染料以及使用该染料的染料敏化太阳能电池，所述染料在用于染料敏化太阳能电池时，显示高转换效率、优异的耐候性、耐热性。该染料如下式(1)所示：ML1L2X1X2…(1)，式(1)中，M为元素周期表长表上的8～10族元素，L1和L2分别为含有特定联吡啶的二齿配体，X1和X2为一价原子基团或单齿配体。

公开(公告)号：CN102713002B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201180007388.2

申请日：2011-01-26

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 ,  JSR株式会社

Inventor： 下田达也 ,  松木安生 ,  申仲荣

IPC: C23C18/10 ,  H05K3/00

CPC classification number: C23C18/1603 ,  C23C18/06 ,  C23C18/08 ,  C23C18/10 ,  C23C18/42 ,  C23C22/73 ,  H05K3/182 ,  H05K2203/0709 ,  H05K2203/1105 ,  Y10T428/12028 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/1275 ,  Y10T428/24917

Abstract: 本发明涉及图案化导电膜的形成方法，其特征在于，所述形成方法经由如下的工序：在50~120℃的温度下，使形成有铂微晶粒子构成的图案化的层的基板接触胺化合物与氢化铝的络合物。根据本发明，可提供用于无需笨重高大的装置而简便地形成能够确保与基板之间的电接合、可理想地适用于许多电子装置的图案化导电层的方法。

公开(公告)号：CN102089358A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200980127035.9

申请日：2009-07-09

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 ,  国立大学法人金泽大学 ,  JSR株式会社

Inventor： 下田达也 ,  川尻陵 ,  矶边清 ,  中井英隆 ,  松木安生

IPC: C08G77/60 ,  C08G77/08

CPC classification number: C08G77/60

Abstract: 本发明涉及聚硅烷的制造方法，其特征在于，使以下述式（2）所示的环状硅烷化合物为代表的特定的硅烷化合物在下述式（4）所示的双核金属络合物的存在下进行反应。SijH2j（2）（式（2）中，j为3～10的整数。)［CpM（μ-CH2）］2（4）（式（4）中，Cp为环戊二烯基系配位体，M为选自Rh及Ir的金属原子，M-M间为双键。)。

公开(公告)号：CN101365821A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200680052501.8

申请日：2006-07-27

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 酒井达也 ,  松木安生 ,  河口和雄

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C16/4485 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873

Abstract: 本发明涉及一种使形成有选自钴化合物、钌化合物和钨化合物中的至少一种金属化合物的膜的基体上的金属化合物升华，将该升华气体向用于形成金属膜的基体供给并分解，由此在基体表面上形成金属膜的方法。提供一种能简单形成下述金属膜的方法：在绝缘体基板的沟槽内，采用镀敷法将金属特别是铜埋入之际，在形成种子层的同时，还起到防止金属原子向绝缘膜迁移的阻挡层的作用，且和绝缘体的密合性优良的金属膜。

公开(公告)号：CN1579012A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN03801435.1

申请日：2003-08-15

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 松木安生 ,  岩泽晴生 ,  加藤仁史

IPC: H01L21/208

CPC classification number: C23C24/10 ,  C23C26/02 ,  C30B7/005 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02686

Abstract: 本发明提供含有硅粒子和分散介质的硅膜形成用组合物以及在基体上形成上述硅膜形成用组合物的涂膜，接着进行瞬间熔融、热处理或者光处理的硅膜的形成方法。采用该组合物和方法，能够高效率并且简便地形成用作为太阳能电池的硅膜那样的具有所要求的膜厚的多晶硅膜。