公开(公告)号：CN102713002A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180007388.2

申请日：2011-01-26

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 ,  JSR株式会社

Inventor： 下田达也 ,  松木安生 ,  申仲荣

IPC: C23C18/10 ,  H05K3/00

CPC classification number: C23C18/1603 ,  C23C18/06 ,  C23C18/08 ,  C23C18/10 ,  C23C18/42 ,  C23C22/73 ,  H05K3/182 ,  H05K2203/0709 ,  H05K2203/1105 ,  Y10T428/12028 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/1275 ,  Y10T428/24917

Abstract: 本发明涉及图案化导电膜的形成方法，其特征在于，所述形成方法经由如下的工序：在50~120℃的温度下，使形成有铂微晶粒子构成的图案化的层的基板接触胺化合物与氢化铝的络合物。根据本发明，可提供用于无需笨重高大的装置而简便地形成能够确保与基板之间的电接合、可理想地适用于许多电子装置的图案化导电层的方法。

公开(公告)号：CN102713002B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201180007388.2

申请日：2011-01-26

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 ,  JSR株式会社

Inventor： 下田达也 ,  松木安生 ,  申仲荣

IPC: C23C18/10 ,  H05K3/00

CPC classification number: C23C18/1603 ,  C23C18/06 ,  C23C18/08 ,  C23C18/10 ,  C23C18/42 ,  C23C22/73 ,  H05K3/182 ,  H05K2203/0709 ,  H05K2203/1105 ,  Y10T428/12028 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/1275 ,  Y10T428/24917

Abstract: 本发明涉及图案化导电膜的形成方法，其特征在于，所述形成方法经由如下的工序：在50~120℃的温度下，使形成有铂微晶粒子构成的图案化的层的基板接触胺化合物与氢化铝的络合物。根据本发明，可提供用于无需笨重高大的装置而简便地形成能够确保与基板之间的电接合、可理想地适用于许多电子装置的图案化导电层的方法。