公开(公告)号：CN102089357A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200980127026.X

申请日：2009-07-09

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 ,  国立大学法人金泽大学 ,  JSR株式会社

Inventor： 下田达也 ,  川尻陵 ,  矶边清 ,  中井英隆 ,  松木安生

IPC: C08G77/60 ,  C08G77/08 ,  C08G79/00

CPC classification number: C08G77/60 ,  C07F7/0896

Abstract: 本发明涉及聚合物的制造方法，其特征在于，使下述式（1）所示的化合物在下述式（2）所示的双核金属络合物的存在下进行反应。R4-nMHn（1）（式（1）中，R为1价有机基团，M为硅原子或锗原子，n为2或3。) ［CpM（μ-CH2）］2 （2）（式（2）中，Cp为环戊二烯基系配位体，Ｍ为选自Rh及Ir的金属原子，Ｍ-Ｍ间为双键。)。

公开(公告)号：CN102713002A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180007388.2

申请日：2011-01-26

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 ,  JSR株式会社

Inventor： 下田达也 ,  松木安生 ,  申仲荣

IPC: C23C18/10 ,  H05K3/00

CPC classification number: C23C18/1603 ,  C23C18/06 ,  C23C18/08 ,  C23C18/10 ,  C23C18/42 ,  C23C22/73 ,  H05K3/182 ,  H05K2203/0709 ,  H05K2203/1105 ,  Y10T428/12028 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/1275 ,  Y10T428/24917

Abstract: 本发明涉及图案化导电膜的形成方法，其特征在于，所述形成方法经由如下的工序：在50~120℃的温度下，使形成有铂微晶粒子构成的图案化的层的基板接触胺化合物与氢化铝的络合物。根据本发明，可提供用于无需笨重高大的装置而简便地形成能够确保与基板之间的电接合、可理想地适用于许多电子装置的图案化导电层的方法。

公开(公告)号：CN102656667A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201080059237.7

申请日：2010-12-22

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 ,  JSR株式会社

Inventor： 下田达也 ,  松木安生 ,  川尻陵

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/288

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/288 ,  H01L29/665

Abstract: 本发明涉及结晶性硅化钴膜的形成方法，其特征在于：经过在由硅构成的表面上涂布将下式(1A)或(1B)所示的化合物或其聚合物与0价钴络合物混合而得到的组合物形成涂膜，将该涂膜在550～900℃下加热的步骤，形成由第一层和第二层构成的双层膜，然后除去上述双层膜的上述第二层，其中，该第一层在由硅构成的表面上，由结晶性硅化钴构成；该第二层在该第一层上，含有硅原子、氧原子、碳原子和钴原子。式(1A)和(1B)中，X分别为氢原子或卤原子，n为1～10的整数，m为3～10的整数。

公开(公告)号：CN102713002B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201180007388.2

申请日：2011-01-26

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 ,  JSR株式会社

Inventor： 下田达也 ,  松木安生 ,  申仲荣

IPC: C23C18/10 ,  H05K3/00

CPC classification number: C23C18/1603 ,  C23C18/06 ,  C23C18/08 ,  C23C18/10 ,  C23C18/42 ,  C23C22/73 ,  H05K3/182 ,  H05K2203/0709 ,  H05K2203/1105 ,  Y10T428/12028 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/1275 ,  Y10T428/24917

Abstract: 本发明涉及图案化导电膜的形成方法，其特征在于，所述形成方法经由如下的工序：在50~120℃的温度下，使形成有铂微晶粒子构成的图案化的层的基板接触胺化合物与氢化铝的络合物。根据本发明，可提供用于无需笨重高大的装置而简便地形成能够确保与基板之间的电接合、可理想地适用于许多电子装置的图案化导电层的方法。

公开(公告)号：CN102089358A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200980127035.9

申请日：2009-07-09

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 ,  国立大学法人金泽大学 ,  JSR株式会社

Inventor： 下田达也 ,  川尻陵 ,  矶边清 ,  中井英隆 ,  松木安生

IPC: C08G77/60 ,  C08G77/08

CPC classification number: C08G77/60

Abstract: 本发明涉及聚硅烷的制造方法，其特征在于，使以下述式（2）所示的环状硅烷化合物为代表的特定的硅烷化合物在下述式（4）所示的双核金属络合物的存在下进行反应。SijH2j（2）（式（2）中，j为3～10的整数。)［CpM（μ-CH2）］2（4）（式（4）中，Cp为环戊二烯基系配位体，M为选自Rh及Ir的金属原子，M-M间为双键。)。

公开(公告)号：CN104221154A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201380016026.9

申请日：2013-03-18

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 下田达也 ,  井上聪 ,  潘仲慧 ,  宫迫毅明 ,  李金望

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明的一种薄膜晶体管(100)，在栅极(20)和沟道(44)之间具备作为包含镧和锆的氧化物(可包含不可避免的杂质；这一点对于氧化物均相同)的栅绝缘层(34)，沟道(44)是由包含铟和锌，并且包含将铟作为1时原子数比为0.015以上且0.075以下的锆(Zr)的第一氧化物；包含铟，并且包含将所述铟(In)作为1时原子数比为0.055以上且0.16以下的锆(Zr)的第二氧化物；或者包含铟，并且包含将所述铟作为1时原子数比为0.055以上且0.16以下的镧的第三氧化物，构成的沟道用氧化物。

公开(公告)号：CN103999207A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201280058844.0

申请日：2012-10-25

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 下田达也 ,  德光永辅 ,  尾上允敏 ,  宫迫毅明

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/316 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01G4/1254 ,  H01G4/1263 ,  H01G4/306 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/76817 ,  H01L27/016 ,  H01L28/40 ,  H01L29/84

Abstract: 本发明的一个固体电子装置具备包含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物层(可以包含不可避免的杂质)，其中，所述氧化物层通过将前躯体层在含氧气氛中加热而形成，所述前躯体层将前躯体溶液作为原料，所述前躯体溶液将包含所述铋(Bi)的前躯体及包含所述铌(Nb)的前躯体作为溶质，并且用于形成所述氧化物层的加热温度为520℃以上且650℃以下。

公开(公告)号：CN103987680A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201280055282.4

申请日：2012-11-07

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 下田达也 ,  金田敏彦

IPC: C04B35/622 ,  B28B11/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/04 ,  H01L27/105 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L41/22

CPC classification number: H01L27/1255 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1637 ,  B41J2/1645 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/67098 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/127 ,  H01L28/55 ,  H01L29/78391 ,  H01L29/7869 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/317 ,  H01L41/332 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608

Abstract: 本发明的一种功能性设备的制造方法包括模压工艺、功能性固体材料层形成工艺。模压工艺中，在对以功能性固体材料前驱体溶液作为起始材料的功能性固体材料前驱体层推压用于形成模压结构的模具的期间的至少一部分时间内，以使对所述功能性固体材料前驱体层供应热量的热源的第一温度高于所述功能性固体材料前驱体层的第二温度的方式，对所述功能性固体材料前驱体层实施模压加工的模压工艺。另外，功能性固体材料层形成工艺中，在所述模压工艺后，在含氧气氛中通过用高于所述第一温度的第三温度对所述功能性固体材料前驱体层进行热处理，从而由所述功能性固体材料前驱体层形成功能性固体材料层。

公开(公告)号：CN103946930A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201280056688.4

申请日：2012-11-15

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 下田达也 ,  李金望

IPC: H01B13/00 ,  C01G55/00 ,  H01B1/08 ,  H01B1/20 ,  H01B5/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01B1/08 ,  H01L21/02614 ,  H01L29/247 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供无定形导电性氧化物膜的形成方法，其特征在于，进行以下工序：在基板上涂布含有a×y摩尔份的(A1)、a×(1-y)摩尔份的(A2)、1摩尔份的(B)和(C)的组合物，形成涂膜，在氧化性气氛下加热该涂膜，其中，(A1)选自由除铈以外的镧系元素中选择的金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐、硝酸盐和卤化物的1种以上金属化合物，(A2)选自由铅、铋、镍、钯、铜和银中选择的金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐、硝酸盐和卤化物的1种以上金属化合物；(B)选自由钌、铱、铑和钴中选择的金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐、硝酸盐、卤化物、亚硝酰基羧酸盐、亚硝酰基硝酸盐、亚硝酰基硫酸盐和亚硝酰基卤化物的1种以上金属化合物；以及(C)含有选自羧酸、醇、酮、二醇和二醇醚的1种以上的溶剂。

公开(公告)号：CN102388435A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201080016856.8

申请日：2010-04-09

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 下田达也 ,  松木安生 ,  川尻陵 ,  增田贵史 ,  金田敏彦

IPC: H01L21/208 ,  B29C59/02 ,  C01B33/02 ,  C01B33/027

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B33/02 ,  C01B33/027 ,  C01B33/18 ,  C01P2004/01 ,  C01P2004/20 ,  C23C18/06 ,  C23C18/08 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/14 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/02656 ,  H01L21/31 ,  Y10T428/24612

Abstract: 本发明涉及图案的形成方法，该方法包括下述步骤：步骤一，在基板和图案状模的间隙配置选自氢化硅化合物和卤化硅化合物的至少一种硅烷化合物；步骤二，对配置的上述硅烷化合物实施选自热处理和紫外线照射处理的至少一种处理。通过在惰性气氛或还原性气氛下进行上述步骤二，可以形成包含硅的图案；通过在含氧气氛下进行上述步骤二的至少一部分，可以形成包含硅氧化物的图案。