-
公开(公告)号：CN102070952B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201010573616.X
申请日：2010-11-22
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC分类号： C23C18/1678 , C09D11/52 , C23C18/08 , C23C18/10 , C23C18/1204 , C23C18/52
摘要： 一种第3a族油墨，其包含以下物质作为初始组分：多胺溶剂；第3a族材料/有机络合物；以及还原剂；其中所述还原剂的摩尔浓度超过所述第3a族材料/有机络合物的摩尔浓度；所述第3a族油墨是稳定的分散体，第3a族油墨是不含肼且不含肼鎓的。还提供了制备第3a族油墨的方法，以及使用所述第3a族油墨在用于很多种半导体应用的基材上沉积第3a族材料的方法，例如VLSI技术中的硅装置的金属化、半导体III-V合金的生长、薄膜晶体管(TFT)、发光二极管(LED)；和红外检测器。
-
公开(公告)号：CN102713002A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201180007388.2
申请日：2011-01-26
申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构 , JSR株式会社
CPC分类号： C23C18/1603 , C23C18/06 , C23C18/08 , C23C18/10 , C23C18/42 , C23C22/73 , H05K3/182 , H05K2203/0709 , H05K2203/1105 , Y10T428/12028 , Y10T428/12493 , Y10T428/1275 , Y10T428/24917
摘要： 本发明涉及图案化导电膜的形成方法，其特征在于，所述形成方法经由如下的工序：在50~120℃的温度下，使形成有铂微晶粒子构成的图案化的层的基板接触胺化合物与氢化铝的络合物。根据本发明，可提供用于无需笨重高大的装置而简便地形成能够确保与基板之间的电接合、可理想地适用于许多电子装置的图案化导电层的方法。
-
公开(公告)号：CN102070952A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010573616.X
申请日：2010-11-22
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC分类号： C23C18/1678 , C09D11/52 , C23C18/08 , C23C18/10 , C23C18/1204 , C23C18/52
摘要： 一种第3a族油墨，其包含以下物质作为初始组分：多胺溶剂；第3a族材料/有机络合物；以及还原剂；其中所述还原剂的摩尔浓度超过所述第3a族材料/有机络合物的摩尔浓度；所述第3a族油墨是稳定的分散体，第3a族油墨是不含肼且不含肼鎓的。还提供了制备第3a族油墨的方法，以及使用所述第3a族油墨在用于很多种半导体应用的基材上沉积第3a族材料的方法，例如VLSI技术中的硅装置的金属化、半导体III-V合金的生长、薄膜晶体管(TFT)、发光二极管(LED)；和红外检测器。
-
公开(公告)号：CN102046517A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200880129495.0
申请日：2008-09-26
申请人： 株式会社百奥尼
IPC分类号： B82B3/00
CPC分类号： C23C18/1676 , B22F1/0022 , B22F1/025 , B22F2999/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/168 , C01B32/174 , C23C18/08 , C23C18/10 , C23C18/1658 , C23C18/31 , Y10T428/2927 , B22F9/24
摘要： 本发明涉及用于制备含有碳纳米管和金属的纳米复合物的方法，更准确的说，涉及用于制备碳纳米管-金属复合物的方法，所述方法包括以下步骤：通过在还原性溶剂中分散碳纳米管来制备分散液；通过加入稳定剂和金属前体来制备混合溶液；和通过加热所述混合溶液来还原所述金属前体。本发明还涉及用上述方法制备的碳纳米管-金属复合物。本发明的方法有利于制造碳纳米管-金属复合物，其特征在于，尺寸为几个nm至数百nm的金属颗粒是均匀的，以及与碳纳米管结合的这些颗粒分散均匀。
-
公开(公告)号：CN101889063A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200880119770.0
申请日：2008-12-24
申请人： JSR株式会社
IPC分类号： C09D185/00 , B32B15/20 , C09D5/00 , C09D7/12 , C07C211/65 , C07F5/06
CPC分类号： C09D185/00 , B32B15/20 , C07C211/65 , C07F5/069 , C09D5/00 , C23C18/08 , C23C18/10 , C23C18/14
摘要： 本发明涉及铝膜形成用组合物，该组合物含有下式(1)所示的络合物和下式(2)所示的络合物，下式(1)所示的络合物与下式(2)所示的络合物的摩尔比为40∶60-85∶15，AlH3·NR1R2R3(1)；AlH3·(NR1R2R3)2(2)。式(1)和(2)中，R1、R2和R3各自独立地为氢原子、烷基、环烷基、烯基、炔基、芳基或芳烷基。
-
公开(公告)号：CN1072735C
公开(公告)日：2001-10-10
申请号：CN94193375.X
申请日：1994-07-29
申请人： 国防大臣(由国防评估和研究机构代理)
发明人： A·C·琼斯
摘要： 一种将高纯度第ⅢA族金属层沉积在基材上的方法，它包括基材与第ⅢA族金属的叔丁基化合物接触，然后使该化合物裂解，在基材上留下沉积的第ⅢA族金属。本发明的方法可用于任何适合的基材，如硅和聚酰亚胺。本发明的方法可用于第ⅢA族金属/硅合金的生长，以及用于使半导体Ⅲ-Ⅴ合金沉积，如AlGaAs、AlInAs和AlSb合金的沉积。
-
公开(公告)号：CN104488069A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201380036945.2
申请日：2013-07-12
申请人： 日立化成株式会社
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/312 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/02167 , C23C18/1216 , H01L31/022425 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , C23C18/10
摘要： 本发明的钝化层形成用组合物包含通式(I)所示的有机铝化合物和通式(II)所示的有机化合物。通式(I)中，R1分别独立地表示碳数1～8的烷基。n表示0～3的整数。X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基。R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。
-
公开(公告)号：CN102713002B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201180007388.2
申请日：2011-01-26
申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构 , JSR株式会社
CPC分类号： C23C18/1603 , C23C18/06 , C23C18/08 , C23C18/10 , C23C18/42 , C23C22/73 , H05K3/182 , H05K2203/0709 , H05K2203/1105 , Y10T428/12028 , Y10T428/12493 , Y10T428/1275 , Y10T428/24917
摘要： 本发明涉及图案化导电膜的形成方法，其特征在于，所述形成方法经由如下的工序：在50~120℃的温度下，使形成有铂微晶粒子构成的图案化的层的基板接触胺化合物与氢化铝的络合物。根据本发明，可提供用于无需笨重高大的装置而简便地形成能够确保与基板之间的电接合、可理想地适用于许多电子装置的图案化导电层的方法。
-
公开(公告)号：CN100518443C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200510097934.2
申请日：2005-09-01
申请人： 升泰科株式会社
发明人： 金庆泰
CPC分类号： C23F17/00 , C22C1/002 , C22F1/04 , C23C18/10 , H05B3/845 , Y10T29/49082 , Y10T29/49083 , Y10T29/49099 , Y10T29/49101 , Y10T29/49117 , Y10T29/49124 , Y10T29/49155 , Y10T29/49156
摘要： 本发明提供廉价、而且其绝缘基板上印刷后均匀，完成后导热性也没有问题的面状发热体的制造方法以及用其制造的面状发热体。该面状发热体的制造方法，是将叠合在绝缘基板上的铝箔按照规定的图形腐蚀，印刷碳膏后，并联电流输入端子而制造面状发热体，其特征是将叠合铝箔的绝缘基板分阶段地回火处理后再进行腐蚀。
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
13 条记录 (耗时 0.012 秒)
