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公开(公告)号：CN110709369A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201880036002.2
申请日：2018-05-29
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 提供一种具有高接合性和优异的耐热循环特性的陶瓷电路基板。一种陶瓷电路基板，其特征在于，陶瓷基板和铜板介由钎料而接合，所述钎料含有Ag、Cu以及选自Ti和Zr中的至少1种活性金属成分和选自In、Zn、Cd和Sn中的至少1种元素，接合后的钎料层的连续率为80％以上且钎料层的维氏硬度为60～85Hv。
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公开(公告)号：CN110945974B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201880048695.7
申请日：2018-07-25
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有高接合性及优异的耐热循环特性的陶瓷电路基板。一种陶瓷电路基板，其在陶瓷基板上隔着钎料层设置电路图案，利用由电路图案的外周溢出的钎料层形成有溢出部，钎料层含有Ag、Cu及Ti；和Sn或In，从溢出部外周起沿着陶瓷基板与电路图案的接合界面朝着内侧连续地形成300μm以上的富Ag相，接合空隙率为1.0％以下。
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公开(公告)号：CN115298150A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180022041.9
申请日：2021-03-26
Applicant: 电化株式会社
IPC: C04B35/583 , C01B21/064 , H01L23/373 , C04B38/00 , C04B41/83 , H05K7/20
Abstract: 本发明提供氮化硼烧结体，其为具有多孔质结构的氮化硼烧结体，且包含氮化硼的一次粒子聚集而形成的粒径为15μm以上的块状粒子。还提供氮化硼烧结体的制造方法，其具有：氮化工序，将包含碳化硼的原料粉末在含氮的气氛下进行烧成，得到包含块状粒子的烧成物，所述块状粒子具有碳氮化硼的一次粒子聚集的芯部、和包围芯部的壳部；和烧成工序，进行含有烧结助剂和包含块状粒子的烧成物的配合物的成型及加热，得到具有多孔质结构且包含氮化硼的块状粒子的氮化硼烧结体。
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公开(公告)号：CN113226610B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201980086356.2
申请日：2019-12-26
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 陶瓷‑铜复合体，其为具备陶瓷层、铜层和存在于陶瓷层与铜层之间的钎料层的平板状陶瓷‑铜复合体，其中，将陶瓷‑铜复合体沿着与其主面垂直的面切断时，在铜层的切面中，将具有自(102)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(102)％、具有自(101)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(101)％、具有自(111)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(111)％、具有自(112)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(112)％时，满足特定的式(1)。
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公开(公告)号：CN109075136B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201780026320.6
申请日：2017-04-25
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明的课题在于得到一种功率模块用陶瓷电路基板，其在陶瓷电路基板中不使生产率降低，不使因绝缘树脂位置偏离而导致部分放电特性恶化及绝缘特性降低的情况发生，涂布有：防止焊料流动、芯片偏离的绝缘树脂以及防止部分放电、绝缘性降低的绝缘树脂。通过对于陶瓷电路基板，将防止焊料流动、芯片偏离的绝缘树脂以及防止部分放电、绝缘性降低的绝缘树脂分别涂布在金属电路的主面上以及金属电路的外周部或金属电路间，从而得到功率模块用陶瓷电路基板。
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公开(公告)号：CN114127918A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080051787.8
申请日：2020-07-29
Applicant: 电化株式会社
IPC: H01L23/14 , H01L23/15 , H01L23/498 , H01L23/544 , H01L21/48
Abstract: 提供下述陶瓷基板，其具备具有由划分线所划分的多个划分部、和对准标记的主面，该主面在比对准标记更靠近主面中心的位置具有至少一条划分线。提供陶瓷基板的制造方法，其包括得到在主面具有对准标记的陶瓷基材的工序，和对主面照射激光而形成将主面划分成多个划分部的划分线从而得到陶瓷基板的工序，并具有陶瓷基板的主面在比对准标记更靠近中心的位置具有至少一条划分线。
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公开(公告)号：CN113646149A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202080021035.7
申请日：2020-03-12
Applicant: 电化株式会社
IPC: B28D5/00 , B23K26/364 , C04B41/91 , H05K1/02 , H05K3/00
Abstract: 首先，利用激光，在氮化物陶瓷基材(100)的第1面(102)形成划线(110)。接着，沿着划线(110)将氮化物陶瓷基材(100)分割。划线(110)包含多个凹部(112)。多个凹部(112)在氮化物陶瓷基材(100)的第1面(102)形成为一列。多个凹部(112)各自的深度(d)为多个凹部(112)各自的开口宽度(w)的0.70倍以上、1.10倍以下。多个凹部(112)各自的开口宽度(w)为多个凹部(112)的中心间距离(p)的1.00倍以上、1.10倍以下。
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