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公开(公告)号：CN101322217A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200680045586.7
申请日：2006-11-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 史费特那·B·瑞都凡诺 , 彼德·L·凯勒曼 , 维克多·M·本夫尼斯特 , 罗伯特·C·林德柏格 , 肯尼士·H·波什 , 泰勒·B·洛克威尔 , 詹姆士·史帝夫·贝福 , 安东尼·雷诺
IPC: H01J37/12 , H01J37/30 , H01J37/317
Abstract: 本发明揭示一种缎带状离子束的成形技术。在一特定例示性实施例中，可将该技术实现为用于缎带状离子束的成形装置。装置可包含具有实质上为矩形的用于使缎带状离子束穿过的孔径的静电透镜，其中多个聚焦元件沿孔径的短边缘而定位，且其中每一聚焦元件经各别地偏压且定向以成形缎带状离子束。
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公开(公告)号：CN101138080A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200680007513.9
申请日：2006-03-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼得·D·纽南 , 安东尼·雷诺 , 艾伦·升 , 保罗·墨菲 , 沈圭河 , 查理斯·泰欧多尔赤克 , 史蒂芬·恩尔拉 , 萨缪尔·巴思凯 , 罗伦斯·费卡拉 , 理查德·J·赫尔特
IPC: H01L21/68 , H01J37/20 , H01J37/317
Abstract: 一种基板遮罩装置，包括：一平板组合(assembly)，其支撑着一处理用的基板；一光罩，其具有一种孔径；一保持机构，其使光罩保持在遮罩位置中；以及一定位机构，其改变此光罩和基板的相对位置，以经由光罩中的孔径来对基板的不同区域进行曝光。此装置可另外包含一光罩载入机构，其使光罩转移至遮罩位置和非遮罩位置且在此遮罩位置和非遮罩位置之间移动。处理过程包括以不同的植入参数值来对基板的不同区域进行离子植入。在其它实施例中，可由基板前方的光罩、光闸或离子束修正器来选取此基板的待处理的区域。
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公开(公告)号：CN101095209A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200580045542.X
申请日：2005-11-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/1475 , H01J37/026 , H01J37/3171 , H01J2237/0041 , H01J2237/0042 , H01J2237/055
Abstract: 本发明揭露一种借由束缚一离子布植机的一磁铁的一磁性区域内的电子，以降低电子损耗且因此改良一低能量射束的输送效率，从而改良邻近该离子布植机的该磁铁的空间电荷中和的方法以及装置。提供一用于一离子布植机的一磁铁的磁极部件，前述磁极部件包括一外表面，其具有形成邻近前述磁极部件的磁场集中区的多个磁场集中部件。遭遇该增强的磁场的电子沿相同磁场线反弹回去而不是经允许而逃逸。本发明亦提供一分析器磁铁以及包括前述磁极的离子布植机，因此实现了一改良一离子布植机中的低能量离子束空间电荷中和的方法。
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公开(公告)号：CN105849852B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201480070125.X
申请日：2014-12-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/32532 , H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32568 , H01J2237/3365
Abstract: 本发明涉及一种控制提供至基板的离子束的处理装置与方法。处理装置可包括电浆源、提取板、偏转电极与偏转电极电源，其中所述电浆源耦接至电浆腔室以在电浆腔室中产生电浆，所述提取板具有沿着电浆腔室的一侧配置的孔隙，所述偏转电极配置为接近于孔隙，且当电浆腔室中存在电浆时所述偏转电极经设置以界定一对电浆半月区，所述偏转电极电源用于相对于电浆施加偏压至偏转电极，其中施加至偏转电极的第一偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第一入射角，且施加至偏转电极的第二偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第二入射角，所述第二入射角不同于所述第一入射角。本发明对离子角分布的进一步的控制可以更有效率地处理基板。
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公开(公告)号：CN105849852A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480070125.X
申请日：2014-12-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/32532 , H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32568 , H01J2237/3365
Abstract: 处理装置可包括电浆源、提取板、偏转电极与偏转电极电源，其中所述电浆源耦接至电浆腔室以在电浆腔室中产生电浆，所述提取板具有沿着电浆腔室的一侧配置的孔隙，所述偏转电极配置为接近于孔隙，且当电浆腔室中存在电浆时所述偏转电极经设置以界定一对电浆半月区，所述偏转电极电源用于相对于电浆施加偏压至偏转电极，其中施加至偏转电极的第一偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第一入射角，且施加至偏转电极的第二偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第二入射角，所述第二入射角不同于所述第一入射角。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102428762B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201080020257.3
申请日：2010-04-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H05H1/24 , H05H1/34 , H01L21/265 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32623 , C23C14/48
Abstract: 一种等离子体处理装置，其包含处理腔室；压板，其定位于处理腔室中，用于支撑工件；源，其经组态以在所述处理腔室中产生等离子体，等离子体具有邻近工件的前表面的等离子体鞘；以及绝缘修改器。绝缘修改器具有间隙以及间隙平面，其中间隙平面由绝缘修改器的最靠近鞘且接近间隙的部分界定。将间隙角度界定为间隙平面与由工件的前表面所界定的平面之间的角度。另外，揭示一种使离子撞击工件的方法，其中撞击工件的离子的入射角范围包含中心角以及角分布，且其中绝缘修改器的使用形成不垂直于工件的中心角。
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公开(公告)号：CN102971825A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201080051532.8
申请日：2010-11-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 安东尼·雷诺 , 卢多维克·葛特 , 提摩太·J·米勒 , 约瑟·C·欧尔森 , 维克拉姆·辛 , 詹姆士·布诺德诺 , 迪帕克·瑞曼帕 , 拉塞尔·J·罗 , 阿塔尔·古普塔 , 凯文·M·丹尼尔斯
IPC: H01J37/317 , H01J37/32 , H01L21/265 , H01L21/266 , C23C14/48
CPC classification number: B01J19/081 , H01J37/3171 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32623 , H01J2237/0453 , H01J2237/1205 , H01L21/2236 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/08 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种等离子体处理装置包括等离子体源，所述等离子体源经组态以在等离子体腔室中产生等离子体，以使得所述等离子体含有用于植入至工件中的离子。所述装置亦包含具有孔隙配置的聚焦板配置，所述聚焦板配置经组态以修改接近所述聚焦板的所述等离子体的等离子体外鞘的形状，以使得离开所述孔隙配置的孔隙的离子界定聚焦离子。所述装置还包含与所述聚焦板隔开的含有工件的处理腔室，以使得在所述工件处的所述聚焦离子的固定植入区域实质上比所述孔隙窄。所述装置经组态以藉由在离子植入期间扫描所述工件而在所述工件中形成多个图案化区。
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公开(公告)号：CN101809714B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200880109201.8
申请日：2008-09-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/04 , H01J37/3171 , H01J2237/04735 , H01J2237/04756 , H05H15/00
Abstract: 本文揭示了一种控制带电粒子束的技术。在一特定示范性实施例中，此技术可实现成带电粒子加速/减速系统。此带电粒子加速/减速系统可包括加速柱体。此加速柱体可包括具有孔径的多个电极，其中带电粒子束可穿过此孔径。带电粒子加速/减速系统还可包括电性耦接到多个电极的多个电阻器。带电粒子加速/减速系统还可包括电性耦接到多个电极以及多个电阻器的多个开关，多个开关中的每一个可构造成分别选择性接通多个操作模式。
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公开(公告)号：CN101809714A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880109201.8
申请日：2008-09-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/04 , H01J37/3171 , H01J2237/04735 , H01J2237/04756 , H05H15/00
Abstract: 本发明揭示了一种控制带电粒子束的技术。在一特定示范性实施例中，此技术可实现成带电粒子加速/减速系统。此带电粒子加速/减速系统可包括加速柱体。此加速柱体可包括具有孔径的多个电极，其中带电粒子束可穿过此孔径。带电粒子加速/减速系统还可包括电性耦接到多个电极的多个电阻器。带电粒子加速/减速系统还可包括电性耦接到多个电极以及多个电阻器的多个开关，多个开关中的每一个可构造成分别选择性接通多个操作模式。
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公开(公告)号：CN101681820A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880015242.0
申请日：2008-04-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 爱德温·A·阿雷瓦洛 , 克里斯多夫·R·汉特曼 , 安东尼·雷诺 , 乔纳森·吉罗德·英格兰
IPC: H01L21/265 , H01J37/317
CPC classification number: H01L21/26506 , H01J2237/2001 , H01J2237/31701 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/26593
Abstract: 本发明揭示形成浅接合的技术。在一个特定示范性实施例中，技术可被实现为形成浅接合的方法。此方法可包括生成包括分子离子的离子束，分子离子基于由下列各物所构成的群族中选出的一种或多种物质：二锗烷(Ge 2 H 6 )、氮化锗(Ge 3 N 4 )、锗-氟化合物(GF n ，其中n＝1、2或3)，以及其它含锗化合物。此方法亦可包括使离子束冲击半导体晶片。
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