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公开(公告)号：CN101939823B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200980104352.9
申请日：2009-02-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 奎格·R·钱尼 , 阿多夫·R·多利 , 克里斯多夫·R·汉特曼 , 艾力克斯恩德·S·培尔
IPC: H01L21/265
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01L21/26506 , H01L21/2658
Abstract: 为了植入含碳种类，在离子室中离子化含碳气体。这些气体的离子化通常会产生许多离子化种类。然而，许多这些所产生的离子化种类对于想要的植入无益，因为他们仅包含非碳原子。在进行植入之前必须消除这些种类，而仅留下基于碳的种类。然而，想要的种类的电流可能很低，因此需藉由额外的能量或时间才能将想要的剂量的碳植入基底。此可藉由使用第二气体来改善。此第二气体用来稀释将于离子室中离子化的主要的含碳气体。藉由结合此稀释气体，更多的所产生的离子化种类对于碳植入有利。
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公开(公告)号：CN102511076A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201080042566.0
申请日：2010-08-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 克里斯多夫·R·汉特曼 , 本杰明·哥伦柏 , 什玫尔·辛诺盖凡岚 , 沈圭河 , 丹尼斯·罗迪尔
IPC: H01L21/265 , H01L21/223 , H01L21/336 , H01L29/10
CPC classification number: H01L21/2236 , H01L21/265 , H01L21/26513 , H01L21/26586 , H01L29/1045 , H01L29/1083 , H01L29/665 , H01L29/6659
Abstract: 揭示一种执行袋状或环状植入的经改良的方法。由所述环状植入造成的损伤及缺陷的量藉由增加漏电流、降低噪声容限且增加最小栅极电压而使半导体装置的效能降级。在冷温下执行环状或袋状植入，其减少了对结晶结构造成的损伤且改良晶体的非晶化。冷温的使用亦允许将诸如硼或磷等较轻元素用于所述环状植入。
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公开(公告)号：CN101939823A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200980104352.9
申请日：2009-02-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 奎格·R·钱尼 , 阿多夫·R·多利 , 克里斯多夫·R·汉特曼 , 艾力克斯恩德·S·培尔
IPC: H01L21/265
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01L21/26506 , H01L21/2658
Abstract: 为了植入含碳种类，在离子室中离子化含碳气体。这些气体的离子化通常会产生许多离子化种类。然而，许多这些所产生的离子化种类对于想要的植入无益，因为他们仅包含非碳原子。在进行植入之前必须消除这些种类，而仅留下基于碳的种类。然而，想要的种类的电流可能很低，因此需藉由额外的能量或时间才能将想要的剂量的碳植入基底。此可藉由使用第二气体来改善。此第二气体用来稀释将于离子室中离子化的主要的含碳气体。藉由结合此稀释气体，更多的所产生的离子化种类对于碳植入有利。
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公开(公告)号：CN101578681A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200880001770.0
申请日：2008-01-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 克里斯多夫·R·汉特曼 , 奎格·R·钱尼 , 艾利克·R·科步 , 约瑟·C·欧尔森 , 奎斯·坎贝儿
IPC: H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/317 , F17C9/02
CPC classification number: H01J27/02 , C23C14/246 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006
Abstract: 揭示一种提供离子源供料材料的技术。在一特定实施例中，此技术可实现为供应离子源供料材料的容器。容器可包括内腔，其预填充有离子源供料材料。容器还可包括外主体，其配置为可载入对应的外罩内并可由外罩内移除，外罩经由喷嘴总成耦接至离子源室。容器还可包括出口，以密封预填充的离子源供料材料，出口还配置为与喷嘴总成啮合以在内腔与离子源室之间建立引流路径。容器可配置为抛弃式构件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108431925B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201680074876.8
申请日：2016-11-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 克里斯多夫·R·汉特曼 , 克里斯多福·A·罗兰德
IPC: H01L21/02 , H01L21/3215 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种对衬底与半导体装置进行掺杂的方法及对衬底进行掺杂的系统。所述方法可包括在300℃或高于300℃的植入温度下经由所述衬底的表面将一定剂量的氦物质植入至所述衬底中。所述方法可进一步包括在所述衬底的所述表面上沉积含有掺杂剂的掺杂层，以及在退火温度下对所述衬底进行退火，所述退火温度高于所述植入温度。本发明提供用于提高从沉积层进行的衬底的掺杂剂扩散，而不使正进行植入的衬底非晶化的技术的优点。
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公开(公告)号：CN101681820B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200880015242.0
申请日：2008-04-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 爱德温·A·阿雷瓦洛 , 克里斯多夫·R·汉特曼 , 安东尼·雷诺 , 乔纳森·吉罗德·英格兰
IPC: H01L21/265 , H01J37/317
CPC classification number: H01L21/26506 , H01J2237/2001 , H01J2237/31701 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/26593
Abstract: 本发明揭示形成浅接合的技术。在一个特定示范性实施例中，技术可被实现为形成浅接合的方法。此方法可包括生成包括分子离子的离子束，分子离子基于由下列各物所构成的群族中选出的一种或多种物质：二锗烷(Ge2H6)、氮化锗(Ge3N4)、锗-氟化合物(GeFn，其中n＝1、2或3)，以及其它含锗化合物。此方法亦可包括使离子束冲击半导体晶片。
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公开(公告)号：CN102668038A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080055181.8
申请日：2010-11-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 海伦·L·梅纳德 , 班杰明·B·里欧登 , 克里斯多夫·R·汉特曼 , 迪帕克·瑞曼帕
IPC: H01L21/266 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0682 , H01L21/266 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 使用各种方法来形成可用于后续植入的掩模，此等方法是利用非晶化硅与晶体硅之间物理特性及化学特性的差异。在某些实施例中，利用非晶硅与晶体硅之间在膜生长方面的差异来形成掩模。在其他实施例中，利用非晶硅与晶体硅之间在反射率或光吸收性的差异来形成掩模。在其他实施例中，则利用经掺杂的硅与未经掺杂的硅的特性差异来形成掩模。
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公开(公告)号：CN102439703A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080022218.7
申请日：2010-04-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 克里斯多夫·R·汉特曼 , 海伦·L·梅纳德 , 迪帕克·瑞曼帕
IPC: H01L21/336 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/26593 , H01L29/165 , H01L29/41783 , H01L29/7848
Abstract: 揭示一种用于增强半导体结构的通道区中的张应力的方法。所述方法包含执行一或多个冷碳或分子碳离子植入步骤，以在所述半导体结构内植入碳离子，从而在通道区的任一侧形成应力层。接着在所述应变层上方形成升起式源极/漏极区，且使用随后的离子植入步骤来掺杂所述升起式源极/漏极区。毫秒退火步骤激活应变层及升起式源极/漏极区。应变层增强半导体结构的通道区内的载流子迁移率，同时所述升起式源极/漏极区使所述应变层中因随后掺杂剂离子在所述升起式源极/漏极区中的植入而导致的应变减至最小。
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公开(公告)号：CN101584018B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200780049119.6
申请日：2007-11-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔纳森·吉罗德·英格兰 , 克里斯多夫·R·汉特曼 , 杰·汤玛斯·舒尔 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01J37/08 , H01J37/302 , H01J37/317 , H01J27/02
CPC classification number: Y02E60/324
Abstract: 本发明揭示一种用于产生原子或分子离子束的具有双抽吸模式的离子植入装置及其方法。在一个特定示范性实施例中，提供一种离子植入设备，其用于控制对应于所产生的离子束种类的离子束源外壳内的压力。离子植入设备可包含离子束源外壳，其包括用于离子束产生的多个种类。还可包含抽吸区段，用于从离子束源外壳排放气体。可进一步包含控制器，用于根据对应于用于离子束产生的多个种类中的一种类的抽吸参数来控制抽吸区段。
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