公开(公告)号：CN104733424A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410817762.0

申请日：2014-12-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 渡边真司 ,  木田刚 ,  小野善宏 ,  森健太郎 ,  坂田贤治 ,  山田裕介

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/1607 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/165 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/013

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。为了提高半导体器件的可靠性。在电耦合Cu柱形电极和引线的导电材料中，包括锡和铜的合金的合金部件形成在这个导电材料内部。此时，合金部件接触Cu柱形电极和引线二者，并且Cu柱形电极和引线通过合金部件相接。类似地，另外，在图8中，发现Cu柱形电极和引线通过合金部件彼此电耦合。由此，可以提高Cu柱形电极和引线之间的电耦合可靠性。

公开(公告)号：CN102646628A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210097778.X

申请日：2007-10-09

Applicant: 日本电气株式会社 ,  瑞萨电子株式会社

Inventor： 菊池克 ,  山道新太郎 ,  村井秀哉 ,  前田胜美 ,  船矢琢央 ,  森健太郎 ,  前田武彦 ,  川野连也 ,  萱岛祐治

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82

Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法，包括：在金属基材的一个表面上形成金属图案；形成覆盖金属图案的树脂层；通过从金属基材的另一表面侧在金属基材中形成开口，使得金属图案被保留来得到金属框架；在半导体芯片的电路形成表面面朝上的情况下，将半导体芯片安装在开口内；形成覆盖金属框架和半导体芯片的绝缘层；形成连接到半导体芯片的上表面的导电部分的通孔导体；形成电连接到通孔导体的互连层；以及去除树脂层，使得金属图案被暴露。

公开(公告)号：CN205050835U

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201520449677.3

申请日：2015-06-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小野善宏 ,  木下顺弘 ,  木田刚 ,  绀野顺平 ,  坂田贤治 ,  森健太郎 ,  马场伸治

IPC: H01L23/498

CPC classification number: H01L23/49568 ,  H01L22/32 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49558 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/544 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/06153 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2224/45147

Abstract: 本实用新型提高半导体装置的可靠性。在由保护绝缘膜(PIF)覆盖的焊盘(PD)的探针区域(PBR)形成有探针痕迹(PM)。并且，柱状电极(PE)具有：形成在开口区域(OP2)上的第1部分；和从开口区域(OP2)上向探针区域(PBR)上延伸的第2部分。此时，开口区域(OP2)的中心位置相对于与接合指形部相对的柱状电极(PE)的中心位置偏离。